Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Качурин Григорий Аркадьевич
(1940–2013)

Качурин Григорий Аркадьевич
доктор физико-математических наук (1980)
Специальность ВАК: 01.04.10 (физика полупроводников)
Дата рождения: 20.11.1940
Сайт: https://www.isp.nsc.ru/11-novosti/2921-k-80-letiyu-grigoriya-arkadevicha-kachurina

Научная биография:

По окончании МЭИ уехал трудиться в Академгородок.

Качурин, Григорий Аркадьевич. Ионное легирование тонких слоев теллурида кадмия : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.00.00. - Новосибирск, 1968. - 90 с.

Качурин, Григорий Аркадьевич. Ионное легирование полупроводниковых соединений : дис. ... докт. физ.-мат. наук : 01.04.10. - Новосибирск, 1980. - 342 с.


https://www.mathnet.ru/rus/person56558
Список публикаций на Google Scholar
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=19002

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2013
1. Г. А. Качурин, С. Г. Черкова, Д. В. Марин, В. А. Володин, А. Г. Черков, А. Х. Антоненко, Г. Н. Камаев, В. А. Скуратов, “Действие быстрых тяжелых ионов на многослойные гетероструктуры Si/SiO$_2$”, Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  334–339  mathnet  elib; G. A. Kachurin, S. G. Cherkova, D. V. Marin, V. A. Volodin, A. G. Cherkov, A. Kh. Antonenko, G. N. Kamaev, V. A. Skuratov, “Influence of irradiation with swift heavy ions on multilayer Si/SiO$_2$ heterostructures”, Semiconductors, 47:3 (2013), 358–364 3
2007
2. В. А. Володин, М. Д. Ефремов, Г. А. Качурин, А. Г. Черков, M. Deutschmann, N. Baersch, “Фазовые переходы в пленках $a$-Si:H на стекле при воздействии мощных фемтосекундных импульсов: проявление нелинейных и нетермических эффектов”, Письма в ЖЭТФ, 86:2 (2007),  128–131  mathnet; V. A. Volodin, M. D. Efremov, G. A. Kachurin, A. G. Cherkov, M. Deutschmann, N. Baersch, “Phase transitions in $a$-Si:H films on a glass irradiated by high-power femtosecond pulses: Manifestation of nonlinear and nonthermal effects”, JETP Letters, 86:2 (2007), 119–122  isi  scopus 19
1992
3. Г. А. Качурин, Г. В. Гадияк, В. И. Шатров, И. Е. Тысченко, “Восходящая диффузия примеси при ионном облучении нагретого кремния: численное моделирование”, Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992),  1977–1982  mathnet
4. Г. А. Качурин, И. Е. Тысченко, А. Е. Плотников, В. П. Попов, “Рост монокристаллического $\alpha\text{-Si}_{3}\text{N}_{4}$ в захороненных слоях, полученных низкоинтенсивной имплантацией ионов N$^{+}$ в нагретый кремний”, Физика и техника полупроводников, 26:8 (1992),  1390–1393  mathnet

2012
5. А. Л. Асеев, А. В. Двуреченский, И. Г. Неизвестный, Г. А. Качурин, В. П. Попов, А. А. Гиппиус, В. Н. Мордкович, “Леонид Степанович Смирнов к 80-летию со дня рождения (1932–2011)”, Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  861–863  mathnet  elib

Организации