|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
А. В. Андрианов, А. Н. Алешин, С. Н. Аболмасов, Е. И. Теруков, А. О. Захарьин, “Возбуждение терагерцевого излучения в $p$–$n$-гетероструктурах на основе $a$-Si:H/$c$-Si”, Физика твердого тела, 65:5 (2023), 848–852   |
|
2019 |
| 2. |
А. О. Захарьин, А. В. Андрианов, А. Г. Петров, “Стимулированное терагерцовое излучение в системе экситонов фотовозбужденного кремния”, Письма в ЖЭТФ, 109:12 (2019), 821–825 ; A. O. Zakhar'in, A. V. Andrianov, A. G. Petrov, “Stimulated terahertz emission in a system of excitons in photoexcited silicon”, JETP Letters, 109:12 (2019), 781–785   |
2
|
|
2018 |
| 3. |
А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, А. Г. Петров, “Внутриэкситонное и внутрицентровое терагерцовое излучение при межзонном фотовозбуждении легированного кремния”, Письма в ЖЭТФ, 107:9 (2018), 564–568 ; A. V. Andrianov, A. O. Zakhar'in, A. G. Petrov, “Intraexciton and intracenter terahertz radiation from doped silicon under interband photoexcitation”, JETP Letters, 107:9 (2018), 540–543 |
2
|
|
2017 |
| 4. |
А. О. Захарьин, Ю. Б. Васильев, Н. А. Соболев, В. В. Забродский, С. В. Егоров, А. В. Андрианов, “Инжекционная терагерцовая электролюминесценция кремниевых $p$–$n$-структур”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 632–636 ; A. O. Zahar'in, Yu. B. Vasil'ev, N. A. Sobolev, V. V. Zabrodskii, S. V. Egorov, A. V. Andrianov, “Injection-induced terahertz electroluminescence from silicon $p$–$n$ structures”, Semiconductors, 51:5 (2017), 604–607 |
1
|
|
2016 |
| 5. |
Ю. Б. Васильев, Н. Н. Михайлов, Г. Ю. Васильева, Ю. Л. Иванов, А. О. Захарьин, А. В. Андрианов, Л. Е. Воробьев, Д. А. Фирсов, М. Н. Григорьев, А. В. Антонов, А. В. Иконников, В. И. Гавриленко, “Терагерцовое излучение из квантовых ям CdHgTe/HgTe с инвертированной структурой зон”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 932–936 ; Yu. B. Vasil'ev, N. N. Mikhailov, G. Yu. Vasil'eva, Yu. L. Ivanov, A. O. Zahar'in, A. V. Andrianov, L. E. Vorob'ev, D. A. Firsov, M. N. Grigor'ev, A. V. Antonov, A. V. Ikonnikov, V. I. Gavrilenko, “Terahertz emission from CdHgTe/HgTe quantum wells with an inverted band structure”, Semiconductors, 50:7 (2016), 915–919 |
2
|
| 6. |
А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, Р. Х. Жукавин, В. Н. Шастин, Д. В. Шенгуров, Н. В. Абросимов, “Терагерцовое излучение при примесном пробое в Si(Li)”, Письма в ЖТФ, 42:20 (2016), 18–23 ; A. V. Andrianov, A. O. Zahar'in, R. Kh. Zhukavin, V. N. Shastin, D. V. Shengurov, N. V. Abrosimov, “Terahertz emission at impurity electrical breakdown in Si(Li)”, Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1031–1033 |
|
2015 |
| 7. |
А. О. Захарьин, А. В. Бобылев, С. В. Егоров, А. В. Андрианов, “Терагерцовое излучение при межзонном фотовозбуждении полупроводников IV группы при комнатной температуре”, Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015), 314–318 ; A. O. Zahar'in, A. V. Bobylev, S. V. Egorov, A. V. Andrianov, “Terahertz emission upon the band-to-band excitation of Group-IV semiconductors at room temperature”, Semiconductors, 49:3 (2015), 305–308 |
2
|
| 8. |
В. И. Санкин, А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, А. Г. Петров, “Терагерцовая генерация, обусловленная новыми эффектами в естественной сверхрешетке 6H-SiC”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 249–253 ; V. I. Sankin, A. V. Andrianov, A. O. Zahar'in, A. G. Petrov, “Terahertz-emission generation caused by new effects in the 6H-SiC natural superlattice”, Semiconductors, 49:2 (2015), 242–246 |
4
|
|
2014 |
| 9. |
А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, Р. Х. Жукавин, В. Н. Шастин, Н. В. Абросимов, А. В. Бобылев, “Терагерцовая внутрицентровая фотолюминесценция
кремния с литием при межзонном возбуждении”, Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014), 876–880 ; A. V. Andrianov, A. O. Zahar'in, R. Kh. Zhukavin, V. N. Shastin, N. V. Abrosimov, A. V. Bobylev, “Terahertz intracenter photoluminescence of silicon with lithium at interband excitation”, JETP Letters, 100:12 (2014), 771–775 |
6
|
|
2013 |
| 10. |
А. В. Андрианов, П. С. Алексеев, Г. В. Климко, С. В. Иванов, В. Л. Щеглов, М. А. Седова, А. О. Захарьин, “Генерация когерентного терагерцового излучения поляризованными электронно-дырочными парами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013), 1441–1445 ; A. V. Andrianov, P. S. Alekseev, G. V. Klimko, S. V. Ivanov, V. L. Shcheglov, M. A. Sedova, A. O. Zahar'in, “Generation of coherent terahertz radiation by polarized electron-hole pairs in GaAs/AlGaAs quantum wells”, Semiconductors, 47:11 (2013), 1433–1437 |
1
|
|
2012 |
| 11. |
А. О. Захарьин, А. В. Бобылев, А. В. Андрианов, “Терагерцовое излучение при межзонном фотовозбуждении слоев GaN”, Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012), 1158–1162 ; A. O. Zahar'in, A. V. Bobylev, A. V. Andrianov, “Terahertz emission upon the interband excitation of GaN layers”, Semiconductors, 46:9 (2012), 1135–1139 |
19
|
|
2011 |
| 12. |
В. И. Санкин, А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, А. Г. Петров, “Терагерцовое излучение, вызванное ванье-штарковской локализацией электронов в естественной сверхрешетке карбида кремния”, Письма в ЖЭТФ, 94:5 (2011), 393–396 ; V. I. Sankin, A. V. Andrianov, A. O. Zahar'in, A. G. Petrov, “Terahertz radiation induced by the Wannier-Stark localization of electrons in a natural silicon carbide superlattice”, JETP Letters, 94:5 (2011), 362–365 |
10
|
|
2010 |
| 13. |
А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, Ю. Л. Иванов, М. С. Кипа, “Примесная терагерцовая люминесценция при межзонном фотовозбуждении полупроводников”, Письма в ЖЭТФ, 91:2 (2010), 102–105 ; A. V. Andrianov, A. O. Zahar'in, Yu. L. Ivanov, M. S. Kipa, “Terahertz impurity luminescence under the interband photoexcitation of semiconductors”, JETP Letters, 91:2 (2010), 96–99 |
40
|
| 14. |
Д. А. Фирсов, В. А. Шалыгин, В. Ю. Паневин, Г. А. Мелентьев, А. Н. Софронов, Л. Е. Воробьёв, А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, В. С. Михрин, А. П. Васильев, А. Е. Жуков, Л. В. Гавриленко, В. И. Гавриленко, А. В. Антонов, В. Я. Алешкин, “Излучение и фотопроводимость в квантовых ямах GaAs/AlGaAs $n$-типа в терагерцовой области спектра: роль резонансных состояний”, Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010), 1443–1446 ; D. A. Firsov, V. A. Shalygin, V. Yu. Panevin, G. A. Melentev, A. N. Sofronov, L. E. Vorob'ev, A. V. Andrianov, A. O. Zahar'in, V. S. Mikhrin, A. P. Vasil'ev, A. E. Zhukov, L. V. Gavrilenko, V. I. Gavrilenko, A. V. Antonov, V. Ya. Aleshkin, “Terahertz emission and photoconductivity in $n$-type GaAs/AlGaAs quantum wells: the role of resonant impurity states”, Semiconductors, 44:11 (2010), 1394–1397 |
14
|
|
2006 |
| 15. |
А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, И. Н. Яссиевич, “Линейно поляризованное терагерцовое излучение в одноосно деформированном Ge(Ga) при пробое примеси электрическим полем”, Письма в ЖЭТФ, 83:8 (2006), 410–413 ; A. V. Andrianov, A. O. Zahar'in, I. N. Yassievich, “Linearly polarized terahertz radiation in uniaxially deformed Ge(Ga) upon the electric breakdown of an impurity”, JETP Letters, 83:8 (2006), 351–354 |
6
|
|
2004 |
| 16. |
А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, И. Н. Яссиевич, Н. Н. Зиновьев, “Терагерцовая электролюминесценция в условиях пробоя мелкого акцептора в германии”, Письма в ЖЭТФ, 79:8 (2004), 448–451 ; A. V. Andrianov, A. O. Zahar'in, I. N. Yassievich, N. N. Zinov'ev, “Terahertz electroluminescence under conditions of shallow acceptor breakdown in germanium”, JETP Letters, 79:8 (2004), 365–367 |
49
|
|
Обратная связь: