|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
А. С. Апрелева, В. Г. Кытин, В. А. Кульбачинский, “Термоэлектрические свойства монокристаллов твердых растворов висмут–мышьяк–теллур”, Физика и техника полупроводников, 58:5 (2024), 248–251   |
|
2021 |
| 2. |
В. А. Кульбачинский, В. Г. Кытин, А. С. Апрелева, Е. А. Константинова, “Термоэлектрическая эффективность и квантовая подвижность дырок в монокристаллах теллурида сурьмы, легированных медью”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1138–1143 |
|
2019 |
| 3. |
A. V. Kochura, L. N. Oveshnikov, A. P. Kuzmenko, A. B. Davydov, S. Yu. Gavrilkin, V. S. Zakhvalinskii, V. A. Kulbachinskii, N. A. Khokhlov, B. A. Aronzon, “Vapor-phase synthesis and magnetoresistance of (Cd$_{1-x}$Zn$_x$)$_3$As$_2$ ($x=0.007$) single crystals”, Письма в ЖЭТФ, 109:3 (2019), 174–175   ; JETP Letters, 109:3 (2019), 175–179 |
9
|
| 4. |
В. А. Кульбачинский, В. Г. Кытин, Д. А. Зиновьев, Н. В. Маслов, P. Singha, S. Das, A. Banerjee, “Термоэлектрические свойства нанокомпозитов Sb$_{2}$Te$_{3}$ c графитом”, Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019), 645–647 ; V. A. Kul'bachinskii, V. G. Kytin, D. A. Zinoviev, N. V. Maslov, P. Singha, S. Das, A. Banerjee, “Thermoelectric properties of Sb$_{2}$Te$_{3}$-based nanocomposites with graphite”, Semiconductors, 53:5 (2019), 638–640 |
7
|
|
2016 |
| 5. |
А. А. Кудряшов, В. Г. Кытин, Р. А. Лунин, В. А. Кульбачинский, A. Banerjee, “Влияние легирования таллием на подвижности электронов в Bi$_{2}$Se$_{3}$ и дырок в Sb$_{2}$Te$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 886–892 ; A. A. Kudryashov, V. G. Kytin, R. A. Lunin, V. A. Kul'bachinskii, A. Banerjee, “Effect of thallium doping on the mobility of electrons in Bi$_{2}$Se$_{3}$ and holes in Sb$_{2}$Te$_{3}$”, Semiconductors, 50:7 (2016), 869–875 |
4
|
|
2015 |
| 6. |
О. В. Реукова, В. Г. Кытин, В. А. Кульбачинский, Л. И. Бурова, А. Р. Кауль, “Магнетосопротивление тонких пленок, обусловленное слабой
локализацией, в условиях изменения размерности системы
под действием магнитного поля и температуры”, Письма в ЖЭТФ, 101:3 (2015), 207–211 ; O. V. Reukova, V. G. Kytin, V. A. Kul'bachinskii, L. I. Burova, A. R. Kaul, “Magnetoresistance of thin films due to weak localization under the variation of the dimensionality induced by the magnetic field and temperature”, JETP Letters, 101:3 (2015), 189–192 |
4
|
| 7. |
В. А. Кульбачинский, Л. Н. Овешников, Р. А. Лунин, Н. А. Юзеева, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, С. С. Пушкарев, П. П. Мальцев, “Влияние конструкции буфера и ориентации подложки на подвижности электронов в метаморфных структурах In$_{0.70}$Al$_{0.30}$As/In$_{0.76}$Ga$_{0.24}$As/In$_{0.70}$Al$_{0.30}$As на подложках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015), 942–950 ; V. A. Kul'bachinskii, L. N. Oveshnikov, R. A. Lunin, N. A. Yuzeeva, G. B. Galiev, E. A. Klimov, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Influence of buffer-layer construction and substrate orientation on the electron mobilities in metamorphic In$_{0.70}$Al$_{0.30}$As/In$_{0.76}$Ga$_{0.24}$As/In$_{0.70}$Al$_{0.30}$As structures on GaAs substrates”, Semiconductors, 49:7 (2015), 921–929 |
7
|
| 8. |
В. А. Кульбачинский, А. А. Кудряшов, В. Г. Кытин, “Эффект Шубникова–де Гааза и термоэлектрические свойства Sb$_2$Te$_3$ и Bi$_2$Se$_3$, легированных таллием”, Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015), 786–792 ; V. A. Kul'bachinskii, A. A. Kudryashov, V. G. Kytin, “The Shubnikov–de Haas effect and thermoelectric properties of Tl-doped Sb$_2$Te$_3$ and Bi$_2$Se$_3$”, Semiconductors, 49:6 (2015), 767–773 |
8
|
| 9. |
В. А. Кульбачинский, Л. Н. Овешников, Р. А. Лунин, Н. А. Юзеева, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, П. П. Мальцев, “Экспериментальное определение эффективных масс и подвижностей электронов в каждой из подзон размерного квантования в квантовой яме In$_x$Ga$_{1-x}$As со вставками InAs”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 204–213 ; V. A. Kul'bachinskii, L. N. Oveshnikov, R. A. Lunin, N. A. Yuzeeva, G. B. Galiev, E. A. Klimov, P. P. Maltsev, “Experimental determination of the electron effective masses and mobilities in each dimensionally-quantized subband in an In$_x$Ga$_{1-x}$As quantum well with InAs inserts”, Semiconductors, 49:2 (2015), 199–208 |
16
|
|
2014 |
| 10. |
Л. Н. Овешников, В. А. Кульбачинский, А. Б. Давыдов, Б. А. Аронзон, “Аномальный эффект Холла в 2D-гетероструктуре: квантовая яма
GaAs/InGaAs/GaAs с отдаленным $\delta$-слоем Mn”, Письма в ЖЭТФ, 100:9 (2014), 648–653 ; L. N. Oveshnikov, V. A. Kul'bachinskii, A. B. Davydov, B. A. Aronzon, “Anomalous hall effect in a 2D heterostructure including a GaAs/InGaAs/GaAs quantum well with a remote Mn $\delta$-layer”, JETP Letters, 100:9 (2014), 570–575 |
8
|
|
2013 |
| 11. |
Р. А. Хабибуллин, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, Д. С. Пономарев, И. С. Васильевский, В. А. Кульбачинский, П. Ю. Боков, Л. П. Авакянц, А. В. Червяков, П. П. Мальцев, “Электрофизические и оптические свойства приповерхностных квантовых ям AlGaAs/InGaAs/AlGaAs c различной глубиной залегания”, Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013), 1215–1220 ; R. A. Khabibullin, G. B. Galiev, E. A. Klimov, D. S. Ponomarev, I. S. Vasil'evskii, V. A. Kul'bachinskii, P. Yu. Bokov, L. P. Avakyants, A. V. Chervyakov, P. P. Maltsev, “Electrical and optical properties of near-surface AlGaAs/InGaAs/AlGaAs quantum wells with different quantum-well depths”, Semiconductors, 47:9 (2013), 1203–1208 |
8
|
| 12. |
В. А. Кульбачинский, Р. А. Лунин, Н. А. Юзеева, И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, “Замороженная фотопроводимость и подвижности электронов в структурах с квантовой ямой
In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As/InP”, Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013), 927–934 ; V. A. Kul'bachinskii, R. A. Lunin, N. A. Yuzeeva, I. S. Vasil'evskii, G. B. Galiev, E. A. Klimov, “Persistent photoconductivity and electron mobility in In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As/InP quantum-well structures”, Semiconductors, 47:7 (2013), 935–942 |
5
|
|
2012 |
| 13. |
С. Н. Николаев, В. В. Рыльков, Б. А. Аронзон, К. И. Маслаков, И. А. Лихачев, Э. М. Пашаев, К. Ю. Черноглазов, А. С. Семисалова, Н. С. Перов, В. А. Кульбачинский, О. А. Новодворский, А. В. Шорохова, О. Д. Храмова, Е. В. Хайдуков, В. Я. Панченко, “Высокотемпературный ферромагнетизм Si$_{1-x}$Mn$_x$ пленок, полученных лазерным напылением с использованием сепарации осаждаемых частиц по скорости”, Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012), 1546–1553 ; S. N. Nikolaev, V. V. Ryl'kov, B. A. Aronzon, K. I. Maslakov, I. A. Likhachev, È. M. Pashaev, K. Yu. Chernoglazov, A. S. Semisalova, N. S. Perov, V. A. Kul'bachinskii, O. A. Novodvorskii, A. V. Shorokhova, O. D. Khramova, E. V. Khaidukov, V. Ya. Panchenko, “High-temperature ferromagnetism of Si$_{1-x}$Mn$_x$ films fabricated by laser deposition using the droplet velocity separation technique”, Semiconductors, 46:12 (2012), 1510–1517 |
5
|
| 14. |
Д. С. Пономарев, И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, Р. А. Хабибуллин, В. А. Кульбачинский, Н. А. Юзеева, “Подвижность и эффективная масса электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нановставками InAs и GaAs”, Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012), 500–506 ; D. S. Ponomarev, I. S. Vasil'evskii, G. B. Galiev, E. A. Klimov, R. A. Khabibullin, V. A. Kul'bachinskii, N. A. Yuzeeva, “Electron mobility and effective mass in composite InGaAs quantum wells with InAs and GaAs nanoinserts”, Semiconductors, 46:4 (2012), 484–490 |
20
|
|
2011 |
| 15. |
D. K. Efimkin, V. A. Kul'bachinskii, Yu. E. Lozovik, “Influence of disorder on electron-hole pairing in graphene bilayer”, Письма в ЖЭТФ, 93:4 (2011), 238–241 ; JETP Letters, 93:4 (2011), 219–222 |
16
|
| 16. |
А. В. Шевельков, Е. А. Кельм, А. В. Оленев, В. А. Кульбачинский, В. Г. Кытин, “Аномально низкая теплопроводность и термоэлектрические свойства новых катионных клатратов в системе Sn–In–As–I”, Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011), 1454–1458 ; A. V. Shevelkov, E. A. Kelm, A. V. Olenev, V. A. Kul'bachinskii, V. G. Kytin, “Anomalously low thermal conductivity and thermoelectric properties of new cationic clathrates in the Sn–In–As–I system”, Semiconductors, 45:11 (2011), 1399–1403 |
9
|
| 17. |
Р. А. Хабибуллин, И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, Д. С. Пономарев, Р. А. Лунин, В. А. Кульбачинский, “Рассеяние и подвижность электронов в комбинированно-легированных HFET-структурах AlGaAs/InGaAs/AlGaAs с высокой концентрацией электронов”, Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011), 1373–1378 ; R. A. Khabibullin, I. S. Vasil'evskii, G. B. Galiev, E. A. Klimov, D. S. Ponomarev, R. A. Lunin, V. A. Kul'bachinskii, “Scattering and electron mobility in combination-doped HFET-structures AlGaAs/InGaAs/AlGaAs with high electron density”, Semiconductors, 45:10 (2011), 1321–1326 |
7
|
| 18. |
В. А. Кульбачинский, В. Г. Кытин, В. Д. Бланк, С. Г. Буга, М. Ю. Попов, “Термоэлектрические свойства нанокомпозитов теллурида висмута с фуллеренами”, Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011), 1241–1245 ; V. A. Kul'bachinskii, V. G. Kytin, V. D. Blank, S. G. Buga, M. Yu. Popov, “Thermoelectric properties of bismuth telluride nanocomposites with fullerene”, Semiconductors, 45:9 (2011), 1194–1198 |
16
|
| 19. |
В. А. Кульбачинский, В. Г. Кытин, З. В. Лаврухина, А. Н. Кузнецов, А. В. Маркелов, А. В. Шевельков, “Термоэлектрические свойства BiTeI с BiI$_3$, CuI и сверхстехиометрическим Bi”, Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011), 874–878 ; V. A. Kul'bachinskii, V. G. Kytin, Z. V. Lavrukhina, A. N. Kuznetsov, A. V. Markelov, A. V. Shevelkov, “Thermoelectric properties of BiTeI with addition of BiI$_3$, CuI, and overstoichiometric Bi”, Semiconductors, 45:7 (2011), 845–849 |
5
|
| 20. |
Р. А. Хабибуллин, И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, Д. С. Пономарев, В. П. Гладков, В. А. Кульбачинский, А. Н. Клочков, Н. А. Юзеева, “Влияние встроенного электрического поля на оптические и электрофизические свойства P-HEMT наногетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011), 666–671 ; R. A. Khabibullin, I. S. Vasil'evskii, G. B. Galiev, E. A. Klimov, D. S. Ponomarev, V. P. Gladkov, V. A. Kul'bachinskii, A. N. Klochkov, N. A. Yuzeeva, “Effect of the built-in electric field on optical and electrical properties of AlGaAs/InGaAs/GaAs P-HEMT nanoheterostructures”, Semiconductors, 45:5 (2011), 657–662 |
21
|
|
2010 |
| 21. |
В. А. Кульбачинский, В. Г. Кытин, П. М. Тарасов, Н. А. Юзеева, “Аномальное увеличение термоэдс и термоэлектрической эффективности в легированных Ga монокристаллах $p$-(Bi$_{0.5}$Sb$_{0.5}$)$_2$Te$_3$”, Физика твердого тела, 52:9 (2010), 1707–1711 ; V. A. Kul'bachinskii, V. G. Kytin, P. M. Tarasov, N. A. Yuzeeva, “Anomalous increase of the thermopower and thermoelectric figure of merit in Ga-doped $p$-(Bi$_{0.5}$Sb$_{0.5}$)$_2$Te$_3$ single crystals”, Phys. Solid State, 52:9 (2010), 1830–1835 |
15
|
| 22. |
В. А. Кульбачинский, В. Г. Кытин, З. В. Лаврухина, А. Н. Кузнецов, А. В. Шевельков, “Гальваномагнитные, термоэлектрические свойства и электронное строение монокристаллических BiTeBr и BiTeI”, Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010), 1596–1601 ; V. A. Kul'bachinskii, V. G. Kytin, Z. V. Lavrukhina, A. N. Kuznetsov, A. V. Shevelkov, “Galvanomagnetic and thermoelectric properties of BiTeBr and BiTeI single crystals and their electronic structure”, Semiconductors, 44:12 (2010), 1548–1553 |
20
|
| 23. |
В. Г. Кытин, В. А. Кульбачинский, Д. С. Глебов, Л. И. Бурова, А. Р. Кауль, О. В. Реукова, “Электропроводность и магнитные свойства тонких пленок оксида цинка, легированного кобальтом”, Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010), 164–169 ; V. G. Kytin, V. A. Kul'bachinskii, D. S. Glebov, L. I. Burova, A. R. Kaul, O. V. Reukova, “The conductivity and magnetic properties of zinc oxide thin films doped with cobalt”, Semiconductors, 44:2 (2010), 155–160 |
9
|
|
2007 |
| 24. |
Б. А. Аронзон, В. А. Кульбачинский, П. В. Гурин, А. Б. Давыдов, В. В. Рыльков, А. Б. Грановский, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, Y. Horikoshi, K. Onomitsu, “Аномальный эффект Холла в $\delta$-легированных Mn GaAs/In$_{0.17}$Ga$_{0.83}$As/GaAs квантовых ямах c высокой подвижностью дырок”, Письма в ЖЭТФ, 85:1 (2007), 32–39 ; B. A. Aronzon, V. A. Kul'bachinskii, P. V. Gurin, A. B. Davydov, V. V. Ryl'kov, A. B. Granovskii, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, Y. Horikoshi, K. Onomitsu, “Anomalous hall effect in Mn $\delta$-doped GaAs/In$_{0.17}$Ga$_{0.83}$As/GaAs quantum wells with high hole mobility”, JETP Letters, 85:1 (2007), 27–33 |
37
|
| 25. |
В. А. Кульбачинский, П. В. Гурин, Ю. А. Данилов, Е. И. Малышева, Y. Horikoshi, K. Onomitsu, “Ферромагнетизм и аномальный транспорт в GaAs, легированном имплантацией ионов Mn и Mg”, Физика и техника полупроводников, 41:6 (2007), 674–678 ; V. A. Kul'bachinskii, P. V. Gurin, Yu. A. Danilov, E. I. Malysheva, Y. Horikoshi, K. Onomitsu, “Ferromagnetism and anomalous transport in GaAs doped by implantation of Mn and Mg ions”, Semiconductors, 41:6 (2007), 655–659 |
1
|
|
2006 |
| 26. |
В. А. Кульбачинский, А. Ю. Каминский, П. М. Тарасов, П. Лостак, “Поверхность Ферми и термоэдс смешанных кристаллов (Bi$_{1-x}$Sb$_x$)$_2$Te$_3$ $\langle$Ag,Sn$\rangle$”, Физика твердого тела, 48:5 (2006), 786–793 ; V. A. Kul'bachinskii, A. Yu. Kaminskii, P. M. Tarasov, P. Lostak, “Fermi surface and thermoelectric power of (Bi$_{1-x}$Sb$_x$)$_2$Te$_3$ $\langle$Ag,Sn$\rangle$”, Phys. Solid State, 48:5 (2006), 833–840 |
11
|
|
2005 |
| 27. |
В. А. Кульбачинский, П. М. Тарасов, Э. Брюк, “Аномальный эффект Холла и ферромагнетизм в новом разбавленном магнитном полупроводнике Sb$_{2-x}$Cr$_x$Te$_3$”, Письма в ЖЭТФ, 81:7 (2005), 426–430 ; V. A. Kul'bachinskii, P. M. Tarasov, E. Brük, “Anomalous Hall effect and ferromagnetism in the new diluted magnetic semiconductor Sb$_{2-x}$Cr$_x$Te$_3$”, JETP Letters, 81:7 (2005), 342–345 |
9
|
| 28. |
Г. А. Дубицкий, В. Д. Бланк, С. Г. Буга, Е. Е. Семенова, В. А. Кульбачинский, А. В. Кречетов, В. Г. Кытин, “Сверхтвердые сверхпроводящие материалы на основе алмаза и кубического нитрида бора”, Письма в ЖЭТФ, 81:6 (2005), 323–326 ; G. A. Dubitskiy, V. D. Blank, S. G. Buga, E. E. Semenova, V. A. Kul'bachinskii, A. V. Krechetov, V. G. Kytin, “Superhard superconducting materials based on diamond and cubic boron nitride”, JETP Letters, 81:6 (2005), 260–263 |
23
|
|
2001 |
| 29. |
В. А. Кульбачинский, А. Ю. Каминский, К. Киндо, Е. Нарюми, К. Суга, П. Лостак, П. Сванда, “Низкотемпературный ферромагнетизм в новом полумагнитном полупроводнике Bi$_{2-x}$Fe$_x$Te$_3$”, Письма в ЖЭТФ, 73:7 (2001), 396–400 ; V. A. Kul'bachinskii, A. Yu. Kaminskii, K. Kindo, Y. Narumi, K. Suga, P. Lostak, P. Svanda, “Low-temperature ferromagnetism in a new diluted magnetic semiconductor Bi$_{2-x}$Fe$_x$Te$_3$”, JETP Letters, 73:7 (2001), 352–356 |
47
|
|
1992 |
| 30. |
Н. Б. Брандт, С. Г. Ионов, В. А. Кульбачинский, С. А. Лапин, В. В. Авдеев, “Электрофизические свойства гетероинтеркалированного соединения внедрения в графит типа акцептор-акцептор”, Физика твердого тела, 34:11 (1992), 3366–3372 |
| 31. |
Р. П. Вардапетян, В. Д. Кузнецов, В. А. Кульбачинский, С. И. Рейман, И. В. Свистунов, С. М. Чудинов, “Магнитная восприимчивость и эффект Мессбауэра в CdS, легированном Fe”, Физика твердого тела, 34:7 (1992), 2016–2024 |
| 32. |
В. А. Кульбачинский, В. Г. Кытин, В. В. Абрамов, А. Б. Тимофеев, А. Г. Ульяшин, Н. В. Шлопак, “Прыжковая проводимость ионно-имплантированного серой кремния”, Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992), 1801–1814 |
| 33. |
В. В. Абрамов, В. А. Кульбачинский, В. Г. Кытин, А. Б. Тимофеев, А. Г. Ульяшин, “Низкотемпературная электропроводность ионно-имплантированного фосфором и сурьмой кремния”, Физика и техника полупроводников, 26:5 (1992), 878–881 |
|
1991 |
| 34. |
В. А. Кульбачинский, С. А. Азоу, З. Д. Ковалюк, М. Н. Пырля, С. Я. Скипидаров, “Влияние интеркалирования атомами металлов на энергетический спектр Bi$_{2}$Te$_{3}$”, Физика твердого тела, 33:3 (1991), 812–816 |
| 35. |
В. А. Кульбачинский, “Критические параметры литиевого интеркалята 2$H$-NbSe$_{2}$”, Физика твердого тела, 33:3 (1991), 698–701 |
| 36. |
В. А. Кульбачинский, И. В. Свистунов, С. М. Чудинов, В. Д. Кузнецов, Э. К. Арушанов, В. С. Захвалинский, А. Н. Натепров, “Аномалии магнитных и гальваномагнитных свойств разбавленных твердых
растворов (Zn$_{1-x}$Mn$_{x}$)$_{3}$As$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 25:12 (1991), 2201–2214 |
| 37. |
В. И. Кадушкин, В. А. Кульбачинский, “Фаза осцилляций магнитокинетических коэффициентов вырожденных
двумерных электронов”, Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991), 612–616 |
| 38. |
В. В. Абрамов, Н. В. Брандт, В. А. Кульбачинский, А. В. Тимофеев, А. Г. Ульяшин, Н. В. Шлопак, И. Г. Горольчук, “Низкотемпературная электропроводность сильно легированного Si”, Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991), 513–517 |
|
1990 |
| 39. |
В. А. Кульбачинский, “Характер рассеяния электронов в Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Se при сверхнизких температурах”, Физика твердого тела, 32:8 (1990), 2495–2497 |
| 40. |
Е. М. Байтингер, В. А. Иванов, В. А. Кульбачинский, С. В. Шулепов, “Об электронной модели дефектных углеродных материалов”, Физика твердого тела, 32:1 (1990), 151–155 |
| 41. |
Н. Б. Брандт, В. А. Кульбачинский, С. А. Лапин, В. В. Авдеев, И. В. Никольская, Н. Е. Фадеева, “Двумерная сверхрешетка в соединении внедрения в графит с серной кислотой”, Физика твердого тела, 32:1 (1990), 94–97 |
| 42. |
С. М. Чудинов, В. А. Кульбачинский, Дж. Манчини, Б. К. Медведев, Д. Ю. Родичев, “Квантовый эффект Холла и $g$-фактор $2D$-электронов
в гетероструктурах на основе GaAs”, Физика и техника полупроводников, 24:11 (1990), 1905–1910 |
| 43. |
С. А. Азоу, В. А. Кульбачинский, Г. А. Миронова, С. Я. Скипидаров, “Локальные состояния в In$_{x}$Bi$_{2-x}$Te$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990), 283–286 |
|
1989 |
| 44. |
Н. Б. Брандт, В. А. Кульбачинский, Ю. Е. Лозовик, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, Д. Ю. Родичев, С. М. Чудинов, “Особенности квантового эффекта Холла в гетероструктурах GaAs$-$Ga$_{1-x}$Al$_{x}$As на переменном токе”, Физика твердого тела, 31:3 (1989), 73–78 |
| 45. |
В. А. Кульбачинский, Н. Е. Клокова, Я. Горак, П. Лоштяк, С. А. Азоу, Г. А. Миронова, “Влияние давления на энергетический спектр $p$-Bi$_{2}$Te$_{3}$”, Физика твердого тела, 31:1 (1989), 205–208 |
| 46. |
В. В. Абрамов, А. Д. Божко, В. А. Кульбачинский, С. М. Чудинов, “Эффект локализации в инверсионном слое на поверхности кремния”, Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989), 1704–1706 |
|
1988 |
| 47. |
Н. Б. Брандт, З. Д. Ковалюк, В. А. Кульбачинский, “Фотопроводимость в слоистых кристаллах InSe”, Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988), 1657–1660 |
| 48. |
Г. А. Матвеев, И. М. Цидильковский, А. Т. Лончаков, Н. Б. Брандт, В. А. Кульбачинский, “Низкотемпературные особенности явлений переноса в $n$-Ge вблизи
перехода металл–диэлектрик”, Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988), 799–805 |
| 49. |
Ж. Т. Исмаилов, В. А. Кульбачинский, С. М. Чудинов, Н. П. Гавалешко, П. Д. Марьянчук, “Перетекание электронов на примесный уровень
в Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Se”, Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988), 375–380 |
| 50. |
Н. Б. Брандт, В. А. Кульбачинский, “Локализация и сверхпроводимость в углеродных волокнах”, Письма в ЖТФ, 14:18 (1988), 1687–1690 |
|
1987 |
| 51. |
В. А. Кульбачинский, Я. М. Муковский, “Влияние магнитного поля и давления на электросопротивление соединения CeMo$_{6}$S$_{8}$”, Физика твердого тела, 29:10 (1987), 3144–3147 |
| 52. |
Н. Б. Брандт, В. Н. Давыдов, В. А. Кульбачинский, О. М. Никитина, “Особенности эффекта Шубникова$-$де Гааза у графита и его интеркалированных соединений”, Физика твердого тела, 29:6 (1987), 1763–1767 |
| 53. |
Н. Б. Брандт, В. А. Кульбачинский, О. М. Никитина, С. М. Чудинов, “Двумерная локализация носителей в углеродных волокнах”, Физика твердого тела, 29:1 (1987), 263–265 |
| 54. |
Н. Б. Брандт, В. А. Кульбачинский, З. Д. Ковалюк, Г. В. Лашкарев, “Двумерная проводимость в InSe при низких температурах”, Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987), 1001–1004 |
| 55. |
Н. Б. Брандт, В. А. Кульбачинский, О. М. Никитина, “Влияние давления на электронные свойства гетероинтеркалированного графита”, Письма в ЖТФ, 13:15 (1987), 930–934 |
| 56. |
Н. Б. Брандт, В. А. Кульбачинский, О. М. Никитина, В. В. Авдеев, В. Я. Аким, С. Г. Ионов, “Суперметаллическая проводимость и энергетический спектр у соединения внедрения в графит хлорида меди третьей ступени”, Письма в ЖТФ, 13:5 (1987), 302–305 |
|
1986 |
| 57. |
Н. Б. Брандт, С. Г. Жуков, В. А. Кульбачинский, П. С. Смирнов, Б. А. Струков, “Влияние гидростатического давления на диэлектрические свойства CsH$_{2}$PO$_{4}$”, Физика твердого тела, 28:10 (1986), 3159–3161 |
|
1984 |
| 58. |
С. Г. Буга, Л. К. Зарембо, А. И. Коробов, В. А. Кульбачинский, В. В. Ржевский, “Акустическая нелинейность в сплаве BiSb вблизи электронно-топологического перехода”, Физика твердого тела, 26:1 (1984), 293–295 |
|
Обратная связь: