|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Н. В. Агринская, В. И. Козуб, А. В. Шумилин, “Динамические спиновые явления в сложных структурах на основе ферромагнитных металлов и полупроводников (Миниобзор)”, Письма в ЖЭТФ, 110:7 (2019), 482–492   ; N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, A. V. Shumilin, “Dynamic spin phenomena in complex structures based on ferromagnetic metals and semiconductors (scientific summary)”, JETP Letters, 110:7 (2019), 495–504   |
|
2018 |
| 2. |
Н. В. Агринская, А. А. Лебедев, С. П. Лебедев, М. А. Шахов, E. Lahderanta, “Переход между электронной локализацией и антилокализацией, а также проявление фазы Берри в графене на поверхности SiC”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1512–1517 ; N. V. Agrinskaya, A. A. Lebedev, S. P. Lebedev, M. A. Shakhov, E. Lahderanta, “Transition between electron localization and antilocalization and manifestation of the Berry phase in graphene on a SiC surface”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1616–1620 |
|
2017 |
| 3. |
N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, N. Yu. Mikhailin, D. V. Shamshur, “Spin-controlled negative magnetoresistance resulting from exchange interactions”, Письма в ЖЭТФ, 105:8 (2017), 477–478 ; JETP Letters, 105:8 (2017), 484–487 |
9
|
|
2015 |
| 4. |
N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, “Ferromagnetism mediated by the upper Hubbard band in selectively doped GaAs/AlGaAs structures”, Письма в ЖЭТФ, 102:4 (2015), 250–252 ; JETP Letters, 102:4 (2015), 222–225 |
1
|
|
2014 |
| 5. |
N. V. Agrinskaya, V. A. Berezotets, V. I. Kozub, “Positive magnetoresistance peaked at ferromagnetic transition in Mn-doped quantum wells GaAs/AlGaAs”, Письма в ЖЭТФ, 100:3 (2014), 186–193 ; JETP Letters, 100:3 (2014), 167–173 |
1
|
|
2013 |
| 6. |
Н. В. Агринская, В. И. Козуб, “Особенности проводимости и магнетосопротивления легированных
двумерных структур вблизи перехода металл–диэлектрик”, Письма в ЖЭТФ, 98:5 (2013), 342–350 ; N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, “Features of the conductivity and magnetoresistance of doped two-dimensional structures near a metal-insulator transition”, JETP Letters, 98:5 (2013), 304–311 |
|
2011 |
| 7. |
Н. В. Агринская, В. И. Козуб, Д. С. Полоскин, “Разрушение виртуального перехода Андерсона в примесной зоне легированных структур квантовых ям”, Письма в ЖЭТФ, 94:2 (2011), 120–124 ; N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, D. S. Poloskin, “Suppression of the virtual anderson transition in the impurity band of doped quantum well structures”, JETP Letters, 94:2 (2011), 116–120 |
4
|
|
2007 |
| 8. |
Н. В. Агринская, В. И. Козуб, Д. С. Полоскин, “Виртуальный переход Андерсона в узкой примесной зоне легированных слоев $p$-GaAs/AlGaAs”, Письма в ЖЭТФ, 85:3 (2007), 202–207 ; N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, D. S. Poloskin, “Virtual Anderson transition in a narrow impurity band of doped $p$-GaAs/AlGaAs layers”, JETP Letters, 85:3 (2007), 169–173 |
9
|
|
2004 |
| 9. |
Н. В. Агринская, В. И. Козуб, Д. С. Полоскин, А. В. Черняев, Д. В. Шамшур, “Переход от сильной к слабой локализации в отщепленной примесной зоне в двумерных структурах $p$-GaAs/AlGaAs”, Письма в ЖЭТФ, 80:1 (2004), 36–40 ; N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, D. S. Poloskin, A. V. Chernyaev, D. V. Shamshur, “Transition from strong to weak localization in the split-off impurity band in two-dimensional p-GaAs/AlGaAs structures”, JETP Letters, 80:1 (2004), 30–34 |
16
|
|
2002 |
| 10. |
Н. В. Агринская, В. И. Козуб, В. М. Устинов, А. В. Черняев, Д. В. Шамшур, “Проявление кулоновской щели в двумерных структурах $p$-GaAs-AIGaAs в условиях заполнения верхней зоны Хаббарда”, Письма в ЖЭТФ, 76:6 (2002), 420–424 ; N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, V. M. Ustinov, A. V. Chernyaev, D. V. Shamshur, “Manifestation of coulomb gap in two-dimensional $p$-GaAs-AlGaAs structures with filled upper Hubbard band”, JETP Letters, 76:6 (2002), 360–364 |
5
|
|
1992 |
| 11. |
Н. В. Агринская, Е. Г. Гук, Л. А. Ремизова, “Эволюция нелинейных оптических свойств полидиацетиленов с изменением химической природы азотсодержащих заместителей: путь к оптимизации параметров нелинейных оптических устройств”, Физика твердого тела, 34:10 (1992), 3042–3046 |
|
1991 |
| 12. |
Н. В. Агринская, Е. Г. Гук, Е. А. Дрыгайлова, Л. А. Ремизова, В. М. Тучкевич, “Получение и оптические свойства замещенного полидиацетилена”, Физика твердого тела, 33:9 (1991), 2770–2772 |
|
1989 |
| 13. |
Н. В. Агринская, А. Н. Алешин, “Прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка в компенсированных кристаллах CdTe : Сl”, Физика твердого тела, 31:11 (1989), 277–280 |
|
1987 |
| 14. |
Б. Х.-о. Байрамов, Г. Ирмер, И. Монеке, В. В. Топоров, Н. В. Агринская, С. А. Самедов, “Комбинационное рассеяние света связанными фонон-плазмонными модами в кристаллах теллурида кадмия”, Физика твердого тела, 29:7 (1987), 2201–2203 |
|
1984 |
| 15. |
Н. В. Агринская, Е. Н. Аркадьева, В. П. Карпенко, О. А. Матвеев, А. И. Терентьев, “Влияние ловушек на люксамперные характеристики и инерционность
фотосопротивлений на основе полуизолирующих кристаллов теллурида кадмия”, Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984), 951–954 |
|
Обратная связь: