Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Шамшур Дмитрий Владиленович

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 30
Научных статей: 30

Статистика просмотров:
Эта страница:531
Страницы публикаций:8400
Полные тексты:3764
доктор физико-математических наук (2006)
Специальность ВАК: 01.04.07 (физика конденсированного состояния)
E-mail:

Научная биография:

Шамшур, Дмитрий Владиленович. Сверхпроводимость в системе полупроводниковых соединений PbTe-SnTe, легированных элементами III группы : автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физико-математических наук 01.04.10 / Ленинградский политехн. ин-т им. М.И. Калинина. - Ленинград, 1986. - 18 с.

Шамшур, Дмитрий Владиленович. Сверхпроводимость полупроводниковых соединений AIVBVI с глубокими примесными состояниями элементов III группы : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.07. - Санкт-Петербург, 2006. - 268 с. : ил.


https://www.mathnet.ru/rus/person60464
Список публикаций на Google Scholar
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=27492

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2018
1. Н. Ю. Михайлин, С. Г. Романов, Ю. А. Кумзеров, А. В. Фокин, Д. В. Шамшур, “Сверхпроводящие свойства In, наноструктурированного в порах тонких пленок из микросфер SiO$_{2}$”, Физика твердого тела, 60:10 (2018),  1900–1905  mathnet  elib; N. Yu. Mikhailin, S. G. Romanov, Yu. A. Kumzerov, A. V. Fokin, D. V. Shamshur, “Superconducting properties of indium nanostructured in pores of thin films of SiO$_{2}$ microspheres”, Phys. Solid State, 60:10 (2018), 1942–1947 8
2. А. В. Черняев, Н. Ю. Михайлин, Д. В. Шамшур, Ю. А. Кумзеров, А. В. Фокин, А. Е. Калмыков, Р. В. Парфеньев, Л. М. Сорокин, A. Lashkul, “Электрические и магнитные свойства нанонитей Pb и In в асбесте в области сверхпроводящего перехода”, Физика твердого тела, 60:10 (2018),  1893–1899  mathnet  elib; A. V. Chernyaev, N. Yu. Mikhailin, D. V. Shamshur, Yu. A. Kumzerov, A. V. Fokin, A. E. Kalmykov, R. V. Parfen'ev, L. M. Sorokin, A. Lashkul, “Electrical and magnetic properties of Pb and In nanofilaments in asbestos near the superconducting transition”, Phys. Solid State, 60:10 (2018), 1935–1941 3
3. Н. Ю. Михайлин, Д. В. Шамшур, Р. В. Парфеньев, В. И. Козуб, Ю. М. Гальперин, Ю. А. Кумзеров, А. В. Фокин, “Размерные зависимости магнитных свойств сверхпроводящих наноструктур свинца в пористом стекле”, Физика твердого тела, 60:6 (2018),  1058–1061  mathnet  elib; N. Yu. Mikhailin, D. V. Shamshur, R. V. Parfen'ev, V. I. Kozub, Yu. M. Gal'perin, Yu. A. Kumzerov, A. V. Fokin, “Size dependences of the magnetic properties of superconducting lead–porous glass nanostructures”, Phys. Solid State, 60:6 (2018), 1068–1072 3
2017
4. N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, N. Yu. Mikhailin, D. V. Shamshur, “Spin-controlled negative magnetoresistance resulting from exchange interactions”, Письма в ЖЭТФ, 105:8 (2017),  477–478  mathnet  isi  elib  scopus; JETP Letters, 105:8 (2017), 484–487  isi  scopus 9
5. Н. Ю. Михайлин, Р. В. Парфеньев, А. В. Черняев, Д. В. Шамшур, Г. О. Андрианов, “Сверхпроводящие свойства (Pb$_{0.05}$Sn$_{0.95}$)Te, легированного индием, в условиях гидростатического сжатия”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1060–1063  mathnet  elib; N. Yu. Mikhailin, R. V. Parfen'ev, A. V. Chernyaev, D. V. Shamshur, G. O. Andrianov, “Superconducting properties of (Pb$_{0.05}$Sn$_{0.95}$)Te doped with indium under conditions of hydrostatic compression”, Semiconductors, 51:8 (2017), 1017–1020
2016
6. Н. Н. Степанов, В. А. Сидоров, Н. Ю. Михайлин, Д. В. Шамшур, В. В. Каминский, “Исследование электросопротивления полупроводникового SmS в отсутствие металлической фазы на поверхности”, Физика твердого тела, 58:5 (2016),  888–891  mathnet  elib; N. N. Stepanov, V. A. Sidorov, N. Yu. Mikhailin, D. V. Shamshur, V. V. Kaminskii, “Study of electrical resistivity of semiconductor SmS in the absence of a metallic phase on the surface”, Phys. Solid State, 58:5 (2016), 915–918 1
7. А. В. Черняев, Д. В. Шамшур, А. В. Фокин, А. Е. Калмыков, Ю. А. Кумзеров, Л. М. Сорокин, Р. В. Парфеньев, A. Lashkul, “Проявление размерных эффектов в электрических и магнитных свойствах квазиодномерных нитей олова в асбесте”, Физика твердого тела, 58:3 (2016),  443–450  mathnet  elib; A. V. Chernyaev, D. V. Shamshur, A. V. Fokin, A. E. Kalmykov, Yu. A. Kumzerov, L. M. Sorokin, R. V. Parfen'ev, A. Lashkul, “Size effects in electrical and magnetic properties of quasi-one-dimensional tin wires in asbestos”, Phys. Solid State, 58:3 (2016), 454–461 1
2011
8. С. А. Немов, Ю. И. Равич, Р. В. Парфеньев, Д. В. Шамшур, “Андерсоновская локализация и псевдощель в энергетическом спектре дырок в PbTe : Tl при наличии резонансного рассеяния”, Физика твердого тела, 53:5 (2011),  878–880  mathnet  elib; S. A. Nemov, Yu. I. Ravich, R. V. Parfen'ev, D. V. Shamshur, “Anderson localization and the pseudogap in the energy spectrum of holes in PbTe: Tl under resonant scattering”, Phys. Solid State, 53:5 (2011), 936–938
9. А. А. Лебедев, Н. В. Агринская, С. П. Лебедев, М. Г. Мынбаева, В. Н. Петров, А. Н. Смирнов, А. М. Стрельчук, А. Н. Титков, Д. В. Шамшур, “Низкотемпературные транспортные свойства пленок мультиграфена, сформированных сублимацией на поверхности SiC”, Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  634–638  mathnet  elib; A. A. Lebedev, N. V. Agrinskaya, S. P. Lebedev, M. G. Mynbaeva, V. N. Petrov, A. N. Smirnov, A. M. Strel'chuk, A. N. Titkov, D. V. Shamshur, “Low-temperature transport properties of multigraphene films grown on the SiC surface by sublimation”, Semiconductors, 45:5 (2011), 623–627 15
2010
10. Д. В. Шамшур, Р. В. Парфеньев, А. В. Черняев, С. А. Немов, “Низкотемпературная электропроводность и переход сверхпроводник–диэлектрик в твердых растворах (Pb$_{0.5}$Sn$_{0.5}$)$_{1-x}$In$_x$Te, связанный с примесными состояниями индия”, Физика твердого тела, 52:9 (2010),  1693–1697  mathnet  elib; D. V. Shamshur, R. V. Parfen'ev, A. V. Chernyaev, S. A. Nemov, “Low-temperature electrical conductivity and the superconductor-insulator transition induced by indium impurity states in (Pb$_{0.5}$Sn$_{0.5}$)$_{1-x}$In$_x$Te solid solutions”, Phys. Solid State, 52:9 (2010), 1815–1819 5
11. Г. О. Андрианов, С. А. Немов, Р. В. Парфеньев, Д. В. Шамшур, А. В. Черняев, “Влияние гидростатического сжатия на индуцированный примесью индия сверхпроводящий переход в Pb$_{0.3}$Sn$_{0.7}$Te”, Физика твердого тела, 52:9 (2010),  1688–1692  mathnet  elib; G. O. Andrianov, S. A. Nemov, R. V. Parfen'ev, D. V. Shamshur, A. V. Chernyaev, “Effect of hydrostatic compression on the indium-impurity-induced superconducting transition in Pb$_{0.3}$Sn$_{0.7}$Te”, Phys. Solid State, 52:9 (2010), 1810–1814 3
12. А. А. Лебедев, А. М. Стрельчук, Д. В. Шамшур, Г. А. Оганесян, С. П. Лебедев, М. Г. Мынбаева, А. В. Садохин, “Электрические характеристики пленок мультиграфена на подложках высокоомного карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1436–1438  mathnet  elib; A. A. Lebedev, A. M. Strel'chuk, D. V. Shamshur, G. A. Oganesyan, S. P. Lebedev, M. G. Mynbaeva, A. V. Sadokhin, “Electrical characteristics of multigraphene films grown on high-resistivity silicon carbide substrates”, Semiconductors, 44:10 (2010), 1389–1391 4
2009
13. С. А. Немов, В. И. Прошин, Г. Л. Тарантасов, Р. В. Парфеньев, Д. В. Шамшур, А. В. Черняев, “Поперечный эффект Нернста–Эттингсгаузена, разонансное расcеяние и сверхпроводимость в SnTe : In”, Физика твердого тела, 51:3 (2009),  461–464  mathnet  elib; S. A. Nemov, V. I. Proshin, G. L. Tarantasov, R. V. Parfen'ev, D. V. Shamshur, A. V. Chernyaev, “Transverse Nernst–Ettingshausen effect, resonant scattering, and superconductivity in SnTe: In”, Phys. Solid State, 51:3 (2009), 491–494 2
14. А. А. Лебедев, П. Л. Абрамов, Н. В. Агринская, В. И. Козуб, А. Н. Кузнецов, С. П. Лебедев, Г. А. Оганесян, А. С. Трегубова, А. В. Черняев, Д. В. Шамшур, М. О. Скворцова, “Переход металл–изолятор в эпитаксиальных пленках $n$-3C-SiC”, Физика и техника полупроводников, 43:3 (2009),  337–341  mathnet  elib; A. A. Lebedev, P. L. Abramov, N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, A. N. Kuznetsov, S. P. Lebedev, G. A. Oganesyan, A. S. Tregubova, A. V. Chernyaev, D. V. Shamshur, M. O. Skvortsova, “Metal–insulator transition in $n$-3C-SiC epitaxial films”, Semiconductors, 43:3 (2009), 318–322
2008
15. Д. В. Шамшур, С. А. Немов, Р. В. Парфеньев, М. С. Конончук, V. I. Nizhankovskii, “Низкотемпературная проводимость и эффект Холла в полупроводниковых твердых растворах (Pb$_z$Sn$_{1-z}$)$_{0.84}$In$_{0.16}$Te”, Физика твердого тела, 50:11 (2008),  1948–1952  mathnet  elib; D. V. Shamshur, S. A. Nemov, R. V. Parfen'ev, M. S. Kononchuk, V. I. Nizhankovskii, “Low-temperature conductivity and the Hall effect in (Pb$_z$Sn$_{1-z}$)$_{0.84}$In$_{0.16}$Te semiconducting solid solutions”, Phys. Solid State, 50:11 (2008), 2028–2032 5
2007
16. А. А. Лебедев, П. Л. Абрамов, Н. В. Агринская, В. И. Козуб, А. Н. Кузнецов, С. П. Лебедев, Г. А. Оганесян, Л. М. Сорокин, А. В. Черняев, Д. В. Шамшур, “Гальваномагнитные свойства эпитаксиальных пленок 3C–SiC, выращенных на основе подложек гексагонального SiC”, Письма в ЖТФ, 33:24 (2007),  8–15  mathnet  elib; A. A. Lebedev, P. L. Abramov, N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, A. N. Kuznetsov, S. P. Lebedev, G. A. Oganesyan, L. M. Sorokin, A. V. Chernyaev, D. V. Shamshur, “Galvanomagnetic properties of 3C-SiC epilayers grown on hexagonal SiC substrates”, Tech. Phys. Lett., 33:12 (2007), 1035–1037 1
2006
17. В. И. Козуб, Р. В. Парфеньев, Д. В. Шамшур, Д. В. Шакура, А. В. Черняев, С. А. Немов, “Переход сверхпроводник-диэлектрик в $\mathrm{(Pb_zSn_{1-z})_{0.84}In_{0.16}Te}$”, Письма в ЖЭТФ, 84:1 (2006),  37–42  mathnet; V. I. Kozub, R. V. Parfen'ev, D. V. Shamshur, D. V. Shakura, A. V. Chernyaev, S. A. Nemov, “Superconductor-insulator transition in (Pb<sub>z</sub>Sn<sub>1-z</sub>)<sub>0.84</sub>In<sub>0.16</sub>Te”, JETP Letters, 84:1 (2006), 35–40  isi  scopus 11
2004
18. Н. В. Агринская, В. И. Козуб, Д. С. Полоскин, А. В. Черняев, Д. В. Шамшур, “Переход от сильной к слабой локализации в отщепленной примесной зоне в двумерных структурах $p$-GaAs/AlGaAs”, Письма в ЖЭТФ, 80:1 (2004),  36–40  mathnet; N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, D. S. Poloskin, A. V. Chernyaev, D. V. Shamshur, “Transition from strong to weak localization in the split-off impurity band in two-dimensional p-GaAs/AlGaAs structures”, JETP Letters, 80:1 (2004), 30–34  scopus 16
2002
19. Н. В. Агринская, В. И. Козуб, В. М. Устинов, А. В. Черняев, Д. В. Шамшур, “Проявление кулоновской щели в двумерных структурах $p$-GaAs-AIGaAs в условиях заполнения верхней зоны Хаббарда”, Письма в ЖЭТФ, 76:6 (2002),  420–424  mathnet; N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, V. M. Ustinov, A. V. Chernyaev, D. V. Shamshur, “Manifestation of coulomb gap in two-dimensional $p$-GaAs-AlGaAs structures with filled upper Hubbard band”, JETP Letters, 76:6 (2002), 360–364  scopus 5
1992
20. А. В. Березин, М. К. Житинская, С. А. Немов, Р. В. Парфеньев, Д. В. Шамшур, “Сверхпроводящие свойства твердых растворов Sn$_{1-x}$Ge$_{x}$Te, легированных индием”, Физика твердого тела, 34:4 (1992),  1216–1219  mathnet  isi
1990
21. М. К. Житинская, С. А. Немов, Р. В. Парфеньев, Д. В. Шамшур, “Зависимость параметров сверхпроводящего перехода в PbTe$\langle$Tl$\rangle$ от сорта и количества изовалентной примеси”, Физика твердого тела, 32:11 (1990),  3441–3443  mathnet  isi
22. Ю. М. Гальперин, И. Л. Дричко, Д. В. Шамшур, “Поглощение ультразвука в слаболегированном компенсированном $n$-InSb при сверхнизких температурах”, Физика твердого тела, 32:9 (1990),  2579–2585  mathnet  isi
23. М. К. Житинская, С. А. Немов, Р. В. Парфеньев, Д. В. Шамшур, “Сверхпроводимость в твердых растворах PbTe$_{1-x}$S$_{x}$, с примесью таллия”, Физика твердого тела, 32:1 (1990),  122–126  mathnet  isi
1989
24. М. К. Житинская, В. И. Кайданов, С. А. Немов, Р. В. Парфеньев, Д. В. Шамшур, “Влияние дополнительного легирования различными примесями на сверхпроводящий переход в РbТе$\langle\text{Тl}\rangle$”, Физика твердого тела, 31:4 (1989),  268–270  mathnet  isi
1987
25. В. И. Кайданов, С. А. Немов, Р. В. Парфеньев, Д. В. Шамшур, “Сверхпроводимость в теллуриде свинца с примесями таллия и лития”, Физика твердого тела, 29:6 (1987),  1886–1887  mathnet  isi
1986
26. Г. С. Бушмарина, И. А. Драбкин, В. В. Компаниец, Р. В. Парфеньев, Д. В. Шамшур, М. А. Шахов, “Сверхпроводящий переход в SnTe, легированном индием”, Физика твердого тела, 28:4 (1986),  1094–1099  mathnet  isi 1
27. В. И. Кайданов, C. A. Казьмин, С. А. Немов, Р. В. Парфеньев, Д. В. Шамшур, В. Ф. Шох, “Сверхпроводящий переход в тонких слоях PbTe, легированного таллием”, Физика твердого тела, 28:4 (1986),  1058–1062  mathnet  isi
1985
28. В. И. Кайданов, С. А. Немов, Р. В. Парфеньев, Д. В. Шамшур, “Сверхпроводимость в системе PbTe$_{1-x}$Se$_{x}\langle$Tl$\rangle$”, Физика твердого тела, 27:8 (1985),  2513–2515  mathnet  isi
29. С. А. Немов, Р. В. Парфеньев, Д. В. Шамшур, “Влияние добавок олова на сверхпроводящий переход в РbТе$\langle$Тl$\rangle$”, Физика твердого тела, 27:2 (1985),  589–592  mathnet  isi
1984
30. C. A. Казьмин, В. И. Кайданов, С. А. Немов, Р. В. Парфеньев, Д. В. Шамшур, М. Л. Шубников, “Влияние давления на сверхпроводящий переход в РbТе, легированном таллием”, Физика твердого тела, 26:10 (1984),  3205–3207  mathnet  isi

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026