|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
Е. А. Алексеев, А. К. Кавеев, Г. В. Ли, Ш. А. Юсупова, М. И. Векслер, “Эпитаксиальное выращивание тонких пленок Ca$_{1-x}$Ba$_x$F$_2$ на Si(111) и исследование электрофизических характеристик структур металл–диэлектрик–полупроводник на их основе”, Письма в ЖТФ, 51:22 (2025), 26–30   |
| 2. |
Е. В. Никитина, Е. В. Пирогов, А. К. Кавеев, В. В. Федоров, “Влияние буферного слоя на характеристики слоев GaPN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках кремния”, Письма в ЖТФ, 51:10 (2025), 7–10 |
| 3. |
А. К. Кавеев, Г. И. Кропотов, “Преобразователи поляризации терагерцового излучения: физические принципы, устройство и применение”, УФН, 195:3 (2025), 311–333 ; A. K. Kaveev, G. I. Kropotov, “Terahertz polarization converters: physical principles, design, and applications”, Phys. Usp., 68:3 (2025), 294–314   |
|
2024 |
| 4. |
А. К. Кавеев, Д. В. Минив, В. В. Федоров, “Формирование островков и нитевидных нанокристаллов на коротких затравках InAs при эпитаксиальном росте InAs$_{1-x}$N$_x$ на кремнии”, Письма в ЖТФ, 50:17 (2024), 7–10 |
|
2023 |
| 5. |
А. К. Кавеев, В. В. Федоров, Л. Н. Дворецкая, С. В. Федина, И. С. Мухин, “Формирование одиночных и гетероструктурированных нитевидных нанокристаллов на основе твердых растворов $\mathrm{InAs}_{1-x}\mathrm{P}_x$ на $\mathrm{Si}(111)$”, Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023), 526–529 |
|
2022 |
| 6. |
А. К. Кавеев, О. Е. Терещенко, “Оптимизация буферного диэлектрического слоя для создания малодефектных эпитаксиальных пленок топологического изолятора
Pb$_{1-x}$Sn$_x$Te c $x\ge$ 0.4”, Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022), 642–645 |
|
2021 |
| 7. |
А. К. Кавеев, Д. Н. Бондаренко, О. Е. Терещенко, “Структурные свойства тонких пленок кристаллического топологического изолятора Pb$_{0.7}$Sn$_{0.3}$Te на Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 625–628 ; A. K. Kaveev, D. N. Bondarenko, O. E. Tereshchenko, “Structural characterization of Pb$_{0.7}$Sn$_{0.3}$Te crystalline topological insulator thin films grown on Si(111)”, Semiconductors, 55:8 (2021), 682–685 |
2
|
|
2020 |
| 8. |
А. К. Кавеев, А. Г. Банщиков, А. Н. Терпицкий, В. А. Голяшов, О. Е. Терещенко, К. А. Кох, Д. А. Естюнин, А. М. Шикин, “Раскрытие энергетической щели в области точки Дирака при осаждении кобальта на поверхность (0001) топологического изолятора BiSbTeSe$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 859–864 ; A. K. Kaveev, A. G. Banshchikov, A. N. Terpitsky, V. A. Golyashov, O. E. Tereshchenko, K. A. Kokh, D. A. Estyunin, A. M. Shikin, “Energy-gap opening near the Dirac point after the deposition of cobalt on the (0001) surface of the topological insulator BiSbTeSe$_{2}$”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1051–1055 |
3
|
|
2018 |
| 9. |
А. К. Кавеев, С. М. Сутурин, Н. С. Соколов, К. А. Кох, О. Е. Терещенко, “Изучение кристаллической структуры эпитаксиальных пленок Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$ на топологическом изоляторе Bi$_{2}$Te$_{3}$”, Письма в ЖТФ, 44:5 (2018), 10–15 ; A. K. Kaveev, S. M. Suturin, N. S. Sokolov, K. A. Kokh, O. E. Tereshchenko, “A study of the crystal structure of Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$ epitaxial films on a Bi$_{2}$Te$_{3}$ topological insulator”, Tech. Phys. Lett., 44:3 (2018), 184–186 |
5
|
|
2016 |
| 10. |
А. К. Кавеев, В. Э. Бурсиан, С. В. Гастев, Б. Б. Кричевцов, С. М. Сутурин, М. П. Волков, Н. С. Соколов, “Выращивание методом лазерной молекулярно-лучевой эпитаксии слоев Y$_{3}$Fe$_{5}$O$_{12}$/GaN и характеризация их структурных и магнитных свойств”, Письма в ЖТФ, 42:23 (2016), 72–78 ; A. K. Kaveev, V. E. Bursian, S. V. Gastev, B. B. Krichevtsov, S. M. Suturin, M. P. Volkov, N. S. Sokolov, “Growth of Y$_{3}$Fe$_{5}$O$_{12}$/GaN layers by laser molecular-beam epitaxy and characterization of their structural and magnetic properties”, Tech. Phys. Lett., 42:12 (2016), 1156–1158 |
|
2015 |
| 11. |
А. Н. Агафонов, Б. О. Володкин, А. К. Кавеев, Д. Г. Качалов, Б. А. Князев, Г. И. Кропотов, К. Н. Тукмаков, В. С. Павельев, Д. И. Цыпишка, Ю. Ю. Чопорова, “Фокусировка излучения лазера терагерцового диапазона (Novofel) в соосный отрезок”, Компьютерная оптика, 39:1 (2015), 58–63 |
3
|
|
2014 |
| 12. |
А. Н. Агафонов, Б. О. Володкин, А. К. Кавеев, Б. А. Князев, Г. И. Кропотов, В. С. Павельев, К. Н. Тукмаков, Ю. Ю. Чопорова, “Управление поперечно-модовым составом терагерцового лазерного излучения с помощью элементов бинарной кремниевой оптики”, Компьютерная оптика, 38:4 (2014), 763–769 |
|
2013 |
| 13. |
А. Н. Агафонов, Б. О. Володкин, С. Г. Волотовский, А. К. Кавеев, Б. А. Князев, Г. И. Кропотов, К. Н. Тукмаков, В. С. Павельев, Е. В. Цыганкова, Д. И. Цыпишка, Ю. Ю. Чопорова, “Кремниевая оптика для фокусировки лазерного излучения терагерцового диапазона в заданные двумерные области”, Компьютерная оптика, 37:4 (2013), 464–4700 |
|
2006 |
| 14. |
И. В. Голосовский, Н. С. Соколов, А. К. Кавеев, M. Boehm, J. Nogués, S. Nannarone, “Магнитный порядок в эпитаксиальном слое MnF$_2$ с орторомбической структурой”, Письма в ЖЭТФ, 83:4 (2006), 185–188 ; I. V. Golosovskii, N. S. Sokolov, A. K. Kaveev, M. Boehm, J. Nogués, S. Nannarone, “Magnetic order in an MnF<sub>2</sub> epitaxial layer with the orthorhombic structure”, JETP Letters, 83:4 (2006), 152–155 |
9
|
|
