|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
В. В. Румянцев, А. А. Разова, Д. В. Козлов, М. А. Фадеев, К. В. Маремьянин, В. В. Уточкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Спектроскопия фотолюминесценции структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe в диапазоне длин волн 15–30 мкм”, Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022), 472–478   |
| 2. |
Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. И. Данилов, Д. В. Ушаков, А. А. Афоненко, А. А. Зайцев, К. В. Маремьянин, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, Р. Р. Галиев, А. Ю. Павлов, С. С. Пушкарев, Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин, “Квантово-каскадный лазер с частотой генерации 3.8 THz, выращенный методом металлоорганической газофазной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 48:10 (2022), 16–19 |
|
2021 |
| 3. |
Р. А. Хабибуллин, К. В. Маремьянин, Д. С. Пономарев, Р. Р. Галиев, А. А. Зайцев, А. И. Данилов, И. С. Васильевский, А. Н. Виниченко, А. Н. Клочков, А. А. Афоненко, Д. В. Ушаков, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, “Квантово-каскадный лазер на 3.3 ТГц на основе активного модуля из трех квантовых ям GaAs/AlGaAs с рабочей температурой > 120 K”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 989–994 |
1
|
| 4. |
В. В. Румянцев, К. В. Маремьянин, А. П. Фокин, А. А. Дубинов, А. А. Разова, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, М. Ю. Глявин, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Получение терагерцового излучения в кристаллах InP : Fe за счет решеточной нелинейности второго порядка”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 813–817 ; V. V. Rumyantsev, K. V. Marem'yanin, A. P. Fokin, A. A. Dubinov, A. A. Razova, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, M. Yu. Glyavin, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, “Generation of terahertz radiation in InP : Fe crystals due to second-order lattice nonlinearity”, Semiconductors, 55:10 (2021), 785–789 |
|
2020 |
| 5. |
В. В. Румянцев, К. В. Маремьянин, А. А. Разова, С. М. Сергеев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Исследования фоточувствительности узкозонных и бесщелевых твердых растворов HgCdTe в терагерцовом и субтерагерцовом диапазоне частот”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 906–912 ; V. V. Rumyantsev, K. V. Marem'yanin, A. A. Razova, S. M. Sergeev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, “Investigation of the photosensitivity of narrow-gap and gapless HgCdTe solid solutions in the terahertz and sub-terahertz range”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1096–1102 |
2
|
| 6. |
Г. Э. Цырлин, Р. Р. Резник, А. Е. Жуков, Р. А. Хабибуллин, К. В. Маремьянин, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Особенности роста наноструктур для терагерцовых квантово-каскадных лазеров и их физические свойства”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 902–905 ; G. E. Cirlin, R. R. Reznik, A. E. Zhukov, R. A. Khabibullin, K. V. Marem'yanin, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, “Specific growth features of nanostructures for terahertz quantum cascade lasers and their physical properties”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1092–1095 |
6
|
| 7. |
К. В. Маремьянин, В. В. Паршин, Е. А. Серов, В. В. Румянцев, К. Е. Кудрявцев, А. А. Дубинов, А. П. Фокин, С. С. Морозов, В. Я. Алешкин, М. Ю. Глявин, Г. Г. Денисов, С. В. Морозов, “Исследование микроволнового поглощения в полупроводниках для устройств умножения частоты и управления выводом излучения непрерывных и импульсных гиротронов”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 878–883 ; K. V. Marem'yanin, V. Parshin, E. A. Serov, V. V. Rumyantsev, K. E. Kudryavtsev, A. A. Dubinov, A. P. Fokin, S. S. Morozov, V. Ya. Aleshkin, M. Yu. Glyavin, G. G. Denisov, S. V. Morozov, “Investigation into microwave absorption in semiconductors for frequency-multiplication devices and radiation-output control of continuous and pulsed gyrotrons”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1069–1074 |
4
|
|
2019 |
| 8. |
В. В. Румянцев, К. В. Маремьянин, А. П. Фокин, А. А. Дубинов, В. В. Уточкин, М. Ю. Глявин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, “Получение второй гармоники излучения субтерагерцовых гиротронов при удвоении частоты в InP : Fe и ее использование для магнитоспектроскопии полупроводниковых структур”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1244–1249 ; V. V. Rumyantsev, K. V. Marem'yanin, A. P. Fokin, A. A. Dubinov, V. V. Utochkin, M. Yu. Glyavin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, “Second-harmonic generation of subterahertz gyrotron radiation by frequency doubling in InP : Fe and its application for magnetospectroscopy of semiconductor structures”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1217–1221 |
8
|
|
2018 |
| 9. |
К. В. Маремьянин, А. В. Иконников, Л. С. Бовкун, В. В. Румянцев, Е. Г. Чижевский, И. И. Засавицкий, В. И. Гавриленко, “Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 50 мкм и их использование для магнитоспектроскопии полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1486–1490 ; K. V. Marem'yanin, A. V. Ikonnikov, L. S. Bovkun, V. V. Rumyantsev, E. G. Chizhevskii, I. I. Zasavitskii, V. I. Gavrilenko, “Terahertz injection lasers based on a PbSnSe solid solution with an emission wavelength up to 50 $\mu$m and their application in the magnetospectroscopy of semiconductors”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1590–1594 |
19
|
| 10. |
К. Е. Спирин, Д. М. Гапонова, К. В. Маремьянин, В. В. Румянцев, В. И. Гавриленко, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Биполярная остаточная фотопроводимость в гетероструктурах HgTe/CdHgTe (013) с двойными квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1482–1485 ; K. E. Spirin, D. M. Gaponova, K. V. Marem'yanin, V. V. Rumyantsev, V. I. Gavrilenko, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, “Bipolar persistent photoconductivity in HgTe/CdHgTe (013) double quantum-well heterostructures”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1586–1589 |
11
|
| 11. |
Л. С. Бовкун, К. В. Маремьянин, А. В. Иконников, К. Е. Спирин, В. Я. Алешкин, M. Potemski, B. Piot, M. Orlita, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, “Магнитооптика квантовых ям на основе HgTe/CdTe с гигантским расщеплением Рашбы в магнитных полях до 34 Тл”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1274–1279 ; L. S. Bovkun, K. V. Marem'yanin, A. V. Ikonnikov, K. E. Spirin, V. Ya. Aleshkin, M. Potemski, B. Piot, M. Orlita, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, “Magnetooptics of HgTe/CdTe quantum wells with giant rashba splitting in magnetic fields up to 34 T”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1386–1391 |
7
|
| 12. |
Р. А. Хабибуллин, Н. В. Щаврук, Д. С. Пономарев, Д. В. Ушаков, А. А. Афоненко, И. С. Васильевский, А. А. Зайцев, А. И. Данилов, О. Ю. Волков, В. В. Павловский, К. В. Маремьянин, В. И. Гавриленко, “Температурная зависимость порогового тока и выходной мощности квантово-каскадного лазера с частотой генерации 3.3 ТГц”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1268–1273 ; R. A. Khabibullin, N. V. Shchavruk, D. S. Ponomarev, D. V. Ushakov, A. A. Afonenko, I. S. Vasil'evskii, A. A. Zaitsev, A. I. Danilov, O. Yu. Volkov, V. V. Pavlovskiy, K. V. Marem'yanin, V. I. Gavrilenko, “Temperature dependences of the threshold current and output power of a quantum-cascade laser emitting at 3.3 THz”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1380–1385 |
15
|
| 13. |
A. A. Andronov, A. A. Andronov, K. V. Maremianin, V. I. Pozdnjakova, Yu. N. Nozdrin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, M. A. Ladugin, V. A. Belyakov, I. V. Ladenkov, A. G. Fefelov, “THz stimulated emission from simple superlattice in positive differential conductivity region”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 463 ; Semiconductors, 52:4 (2018), 431–435 |
8
|
|
2017 |
| 14. |
С. С. Криштопенко, А. В. Иконников, К. В. Маремьянин, Л. С. Бовкун, К. Е. Спирин, А. М. Кадыков, M. Marcinkiewicz, S. Ruffenach, C. Consejo, F. Teppe, W. Knap, Б. Р. Семягин, М. А. Путято, Е. А. Емельянов, В. В. Преображенский, В. И. Гавриленко, “Циклотронный резонанс дираковских фермионов в квантовых ямах InAs/GaSb/InAs”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 40–44 ; S. S. Krishtopenko, A. V. Ikonnikov, K. V. Marem'yanin, L. S. Bovkun, K. E. Spirin, A. M. Kadykov, M. Marcinkiewicz, S. Ruffenach, C. Consejo, F. Teppe, W. Knap, B. R. Semyagin, M. A. Putyato, E. A. Emelyanov, V. V. Preobrazhenskii, V. I. Gavrilenko, “Cyclotron resonance of Dirac fermions in InAs/GaSb/InAs quantum wells”, Semiconductors, 51:1 (2017), 38–42 |
6
|
| 15. |
А. В. Иконников, К. В. Маремьянин, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, А. Ю. Павлов, Н. В. Щаврук, Р. А. Хабибуллин, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, Ф. И. Зубов, А. Е. Жуков, Ж. И. Алфёров, “Генерация терагерцового излучения в многослойных квантово-каскадных гетероструктурах”, Письма в ЖТФ, 43:7 (2017), 86–94 ; A. V. Ikonnikov, K. V. Marem'yanin, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, A. Yu. Pavlov, N. V. Shchavruk, R. A. Khabibullin, R. R. Reznik, G. E. Cirlin, F. I. Zubov, A. E. Zhukov, Zh. I. Alferov, “Terahertz radiation generation in multilayer quantum-cascade heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 43:4 (2017), 362–365 |
24
|
|
2016 |
| 16. |
К. В. Маремьянин, В. В. Румянцев, А. В. Иконников, Л. С. Бовкун, Е. Г. Чижевский, И. И. Засавицкий, В. И. Гавриленко, “Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 46.5 мкм”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1697–1700 ; K. V. Marem'yanin, V. V. Rumyantsev, A. V. Ikonnikov, L. S. Bovkun, E. G. Chizhevskii, I. I. Zasavitskii, V. I. Gavrilenko, “Terahertz injection lasers based on PbSnSe alloy with an emission wavelength up to 46.5 $\mu$m”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1669–1672 |
9
|
|
2015 |
| 17. |
К. В. Маремьянин, А. В. Иконников, А. В. Антонов, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, Л. С. Бовкун, К. Р. Умбеталиева, Е. Г. Чижевский, И. И. Засавицкий, В. И. Гавриленко, “Длинноволновые инжекционные лазеры на основе твердого раствора Pb$_{1-x}$Sn$_x$Se и их использование для спектроскопии твердого тела”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015), 1672–1675 ; K. V. Marem'yanin, A. V. Ikonnikov, A. V. Antonov, V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, L. S. Bovkun, K. R. Umbetalieva, E. G. Chizhevskii, I. I. Zasavitskii, V. I. Gavrilenko, “Long-wavelength injection lasers based on Pb$_{1-x}$Sn$_x$Se alloys and their use in solid-state spectroscopy”, Semiconductors, 49:12 (2015), 1623–1626 |
17
|
| 18. |
С. С. Криштопенко, К. В. Маремьянин, К. П. Калинин, К. Е. Спирин, В. И. Гавриленко, Н. В. Байдусь, Б. Н. Звонков, “Обменное усиление $g$-фактора электронов в напряженных гетероструктурах InGaAs/InP”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 196–203 ; S. S. Krishtopenko, K. V. Marem'yanin, K. P. Kalinin, K. E. Spirin, V. I. Gavrilenko, N. V. Baidus, B. N. Zvonkov, “Exchange enhancement of the electron $g$ factor in strained InGaAs/InP heterostructures”, Semiconductors, 49:2 (2015), 191–198 |
7
|
|
2014 |
| 19. |
К. В. Маремьянин, Д. И. Крыжков, С. В. Морозов, С. М. Сергеев, Д. И. Курицын, Д. М. Гапонова, В. Я. Алешкин, Ю. Г. Садофьев, “Исследование квантово-каскадных структур GaAs/AlGaAs оптическими методами на основе горячей люминесценции в ближнем ИК диапазоне”, Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014), 1499–1502 ; K. V. Marem'yanin, D. I. Kryzhkov, S. V. Morozov, S. M. Sergeev, D. I. Kuritsyn, D. M. Gaponova, V. Ya. Aleshkin, Yu. G. Sadof'ev, “Investigation of GaAs/AlGaAs quantum cascade structures by optical methods based on hot luminescence in the near-infrared range”, Semiconductors, 48:11 (2014), 1463–1466 |
|
2013 |
| 20. |
К. П. Калинин, С. С. Криштопенко, К. В. Маремьянин, К. Е. Спирин, В. И. Гавриленко, А. А. Бирюков, Н. В. Байдусь, Б. Н. Звонков, “Спиновое расщепление Рашбы и циклотронный резонанс в напряженных гетероструктурах InGaAs/InP с двумерным электронным газом”, Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013), 1497–1503 ; K. P. Kalinin, S. S. Krishtopenko, K. V. Marem'yanin, K. E. Spirin, V. I. Gavrilenko, A. A. Biryukov, N. V. Baidus, B. N. Zvonkov, “Rashba spin splitting and cyclotron resonance in strained InGaAs/InP heterostructures with a two-dimensional electron gas”, Semiconductors, 47:11 (2013), 1485–1491 |
7
|
|
2012 |
| 21. |
А. В. Иконников, М. С. Жолудев, К. В. Маремьянин, К. Е. Спирин, А. А. Ластовкин, В. И. Гавриленко, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, “Циклотронный резонанс в узкозонных гетероструктурах на основе
HgTe/CdTe(013) в квантующих магнитных полях”, Письма в ЖЭТФ, 95:8 (2012), 452–456 ; A. V. Ikonnikov, M. S. Zholudev, K. V. Marem'yanin, K. E. Spirin, A. A. Lastovkin, V. I. Gavrilenko, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, “Cyclotron resonance in HgTe/CdTe(013) narrowband heterostructures in quantized magnetic fields”, JETP Letters, 95:8 (2012), 406–410   |
14
|
| 22. |
Д. И. Крыжков, С. В. Морозов, Д. М. Гапонова, С. М. Сергеев, Д. И. Курицын, К. В. Маремьянин, В. И. Гавриленко, Ю. Г. Садофьев, “Диагностика квантовых каскадных структур оптическими методами в ближнем инфракрасном диапазоне”, Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012), 1440–1443 ; D. I. Kryzhkov, S. V. Morozov, D. M. Gaponova, S. M. Sergeev, D. I. Kuritsyn, K. V. Marem'yanin, V. I. Gavrilenko, Yu. G. Sadof'ev, “Diagnostics of quantum cascade structures by optical methods in the near infrared region”, Semiconductors, 46:11 (2012), 1411–1414 |
2
|
| 23. |
К. Е. Спирин, К. П. Калинин, С. С. Криштопенко, К. В. Маремьянин, В. И. Гавриленко, Ю. Г. Садофьев, “Особенности остаточной фотопроводимости в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами с туннельно-прозрачным барьером”, Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012), 1424–1429 ; K. E. Spirin, K. P. Kalinin, S. S. Krishtopenko, K. V. Marem'yanin, V. I. Gavrilenko, Yu. G. Sadof'ev, “Features of the persistent photoconductivity in InAs/AlSb heterostructures with double quantum wells and a tunneling-transparent barrier”, Semiconductors, 46:11 (2012), 1396–1401 |
20
|
|
2010 |
| 24. |
А. В. Иконников, А. А. Ластовкин, К. Е. Спирин, М. С. Жолудев, В. В. Румянцев, К. В. Маремьянин, А. В. Антонов, В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, Ю. Г. Садофьев, N. Samal, “Терагерцовая спектроскопия узкозонных гетероструктур с квантовыми ямами на основе HgTe/CdTe”, Письма в ЖЭТФ, 92:11 (2010), 837–841 ; A. V. Ikonnikov, A. A. Lastovkin, K. E. Spirin, M. S. Zholudev, V. V. Rumyantsev, K. V. Marem'yanin, A. V. Antonov, V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, Yu. G. Sadof'ev, N. Samal, JETP Letters, 92:11 (2010), 756–761 |
29
|
| 25. |
С. В. Морозов, К. В. Маремьянин, И. В. Ерофеева, А. Н. Яблонский, А. В. Антонов, Л. В. Гавриленко, В. В. Румянцев, В. И. Гавриленко, “Кинетика терагерцовой фотопроводимости в $p$-Ge в условиях примесного пробоя”, Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010), 1523–1526 ; S. V. Morozov, K. V. Marem'yanin, I. V. Erofeeva, A. N. Yablonskii, A. V. Antonov, L. V. Gavrilenko, V. V. Rumyantsev, V. I. Gavrilenko, “Kinetics of terahertz photoconductivity in $p$-Ge under impurity breakdown conditions”, Semiconductors, 44:11 (2010), 1476–1479 |
10
|
| 26. |
В. И. Гавриленко, А. В. Иконников, С. С. Криштопенко, А. А. Ластовкин, К. В. Маремьянин, Ю. Г. Садофьев, К. Е. Спирин, “Остаточная фотопроводимость в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010), 642–648 ; V. I. Gavrilenko, A. V. Ikonnikov, S. S. Krishtopenko, A. A. Lastovkin, K. V. Marem'yanin, Yu. G. Sadof'ev, K. E. Spirin, “Persistent photoconductivity in InAs/AlSb heterostructures with double quantum wells”, Semiconductors, 44:5 (2010), 616–622 |
24
|
| 27. |
К. В. Маремьянин, Д. М. Ермолаев, Д. В. Фатеев, С. В. Морозов, Н. А. Малеев, В. Е. Земляков, В. И. Гавриленко, В. В. Попов, С. Ю. Шаповал, “Широкоапертурный детектор терагерцового излучения на основе транзисторной структуры GaAs/InGaAs со щелевым решеточным затвором большой площади”, Письма в ЖТФ, 36:8 (2010), 39–47 ; K. V. Marem'yanin, D. M. Ermolaev, D. V. Fateev, S. V. Morozov, N. A. Maleev, V. E. Zemlyakov, V. I. Gavrilenko, V. V. Popov, S. Yu. Shapoval, “Wide-aperture detector of terahertz radiation based on GaAs/InGaAs transistor structure with large-area slit grating gate”, Tech. Phys. Lett., 36:4 (2010), 365–368 |
10
|
|
2009 |
| 28. |
А. В. Антонов, В. И. Гавриленко, К. В. Маремьянин, С. В. Морозов, F. Teppe, W. Knap, “Резонансное детектирование терагерцового излучения в субмикронных полевых транзисторах GaAs/AlGaAs с двумерным электронным газом”, Физика и техника полупроводников, 43:4 (2009), 552–555 ; A. V. Antonov, V. I. Gavrilenko, K. V. Marem'yanin, S. V. Morozov, F. Teppe, W. Knap, “Resonance detection of terahertz radiation in submicrometer field-effect GaAs/AlGaAs transistors with two-dimensional electron gas”, Semiconductors, 43:4 (2009), 528–531 |
3
|
| 29. |
Б. Н. Звонков, А. А. Бирюков, С. М. Некоркин, В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, А. А. Дубинов, К. В. Маремьянин, С. В. Морозов, “Генерация излучения разностной частоты в двухчиповом лазере”, Физика и техника полупроводников, 43:2 (2009), 220–223 ; B. N. Zvonkov, A. A. Biryukov, S. M. Nekorkin, V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, A. A. Dubinov, K. V. Marem'yanin, S. V. Morozov, “Difference-frequency generation in a butt-join diode laser”, Semiconductors, 43:2 (2009), 208–211 |
4
|
|
Обратная связь: