|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
Г. А. Матвеев, В. И. Осипов, В. А. Роганов, “Обзор алгоритмов планировщиков параллельных задач: эволюция, классификация и современные подходы”, Междунар. науч.-исслед. журн., 2025, № 11(161), 63  |
|
2024 |
| 2. |
В. И. Осипов, Г. А. Матвеев, В. А. Роганов, “Гибридное программирование MPI+T++ для T-системы с открытой архитектурой”, Междунар. науч.-исслед. журн., 2024, № 1(139), 1–8 |
|
2021 |
| 3. |
С. М. Абрамов, В. А. Роганов, В. И. Осипов, Г. А. Матвеев, “Реализация пакета LAMMPS на Т-системе с открытой архитектурой”, Информатика и автоматизация, 20:4 (2021), 971–999 |
|
2018 |
| 4. |
В. А. Роганов, В. И. Осипов, Г. А. Матвеев, “Интеграция пакета Mantevo MiniAMR и OpenTS. Сравнение OpenTS DMPI и Open MPI”, Программные системы: теория и приложения, 9:4 (2018), 361–381 |
|
2017 |
| 5. |
В. А. Роганов, В. И. Осипов, Г. А. Матвеев, “Интеграция приложения Tachyon с системой параллельного программирования OpenTS”, Программные системы: теория и приложения, 8:4 (2017), 319–326 |
| 6. |
С. М. Абрамов, В. А. Роганов, В. И. Осипов, Г. А. Матвеев, “Метастохастические адаптивные алгоритмы и их реализация в супервычислительной среде T++&MPI”, Программные системы: теория и приложения, 8:1 (2017), 173–191 |
|
2016 |
| 7. |
В. А. Роганов, В. И. Осипов, Г. А. Матвеев, “Решение задачи Дирихле для уравнения Пуассона методом Гаусса–Зейделя на языке параллельного программирования Т++”, Программные системы: теория и приложения, 7:3 (2016), 99–107 |
1
|
|
2015 |
| 8. |
В. А. Роганов, А. А. Кузнецов, Г. А. Матвеев, В. И. Осипов, “Адаптивный анализ надежности паролей при помощи гибридных суперЭВМ”, Программные системы: теория и приложения, 6:4 (2015), 139–155 |
1
|
| 9. |
А. А. Кузнецов, В. А. Роганов, Г. А. Матвеев, В. И. Осипов, “Алгоритм динамического распараллеливания решения задачи адаптивного разбиения расчетной сетки для численного решения дифференциальных уравнений”, Программные системы: теория и приложения, 6:3 (2015), 53–60 |
1
|
| 10. |
В. А. Роганов, А. А. Кузнецов, Г. А. Матвеев, В. И. Осипов, “Реализация T-системы с открытой архитектурой для CUDA-устройств с поддержкой динамического параллелизма и для гибридных суперЭВМ на их основе”, Программные системы: теория и приложения, 6:1 (2015), 175–188 |
2
|
|
2013 |
| 11. |
В. А. Роганов, А. А. Кузнецов, Г. А. Матвеев, В. И. Осипов, “Методы адаптации системы параллельного программирования OpenTS для поддержки работы Т-приложений на гибридных вычислительных кластерах”, Программные системы: теория и приложения, 4:4 (2013), 17–31 |
2
|
|
2011 |
| 12. |
В. И. Гурман, Г. А. Матвеев, Е. А. Трушкова, “Социо-эколого-экономическая модель региона в параллельных вычислениях”, УБС, 32 (2011), 109–130 |
7
|
|
1988 |
| 13. |
А. Т. Лончаков, Г. А. Матвеев, И. М. Цидильковский, “Особенности термомагнитных эффектов в $n$-Ge вблизи перехода
металл–диэлектрик”, Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988), 1396–1400 |
| 14. |
А. Т. Лончаков, И. М. Цидильковский, Г. А. Матвеев, “Термоэдс $n$-Ge вблизи перехода металл–диэлектрик”, Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988), 839–843 |
| 15. |
Г. А. Матвеев, И. М. Цидильковский, А. Т. Лончаков, Н. Б. Брандт, В. А. Кульбачинский, “Низкотемпературные особенности явлений переноса в $n$-Ge вблизи
перехода металл–диэлектрик”, Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988), 799–805 |
|
1987 |
| 16. |
Г. А. Матвеев, И. М. Цидильковский, А. Т. Лончаков, “Эффект Холла в одноосно деформированном $n$-Ge вблизи перехода
металл–полупроводник”, Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987), 222–230 |
|
1986 |
| 17. |
И. М. Цидильковский, Г. А. Матвеев, А. Т. Лончаков, “Об отрицательном температурном коэффициенте сопротивления
$n$-Ge вблизи перехода металл–диэлектрик”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 515–524 |
|
1984 |
| 18. |
Г. А. Матвеев, А. Т. Лончаков, “Проводимость Ge(Sb) в сильных магнитных полях”, Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984), 589–594 |
|
1983 |
| 19. |
Г. А. Матвеев, И. М. Цидильковский, “Токовые неустойчивости в $n$-GaAs в сильных магнитных полях”, Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983), 850–853 |
|
Обратная связь: