|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
1. |
S. N. Abolmasov, V. S. Levitskii, E. I. Terukov, A. S. Titov, “On sputter damage of silicon heterojunction solar cells and its recovery by illuminated annealing”, Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025), 53 |
2. |
А. В. Андрианов, Е. И. Теруков, А. Н. Алешин, С. Н. Аболмасов, “Проявление эффекта экранирования электрического поля в процессе генерации терагерцевого излучения в $p$–$n$-гетероструктурах $a$-Si:H/$a$-SiC:H/$c$-Si при фотовозбуждении ультракороткими лазерными импульсами”, Письма в ЖТФ, 51:10 (2025), 22–26 |
3. |
А. В. Марченко, Е. И. Теруков, Ф. С. Насрединов, Ю. А. Петрушин, П. П. Серегин, “Симметрия локального окружения атомов германия в аморфных пленках Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$”, Письма в ЖТФ, 51:9 (2025), 11–13 |
|
2024 |
4. |
E. V. Malchukova, E. I. Terukov, “Spectral and kinetic non-equivalent site distribution of Ce$^{3+}$ and Eu$^{2+}$ ions in borosilicate glasses”, Физика твердого тела, 66:3 (2024), 432 |
5. |
Г. А. Бордовский, А. В. Марченко, Е. И. Теруков, Ф. С. Насрединов, П. П. Серегин, “Мёссбауэровское исследование примесных атомов цинка в галогенидах щелочных металлов и меди”, Физика твердого тела, 66:1 (2024), 51–55 |
6. |
С. А. Яковлев, И. Ю. Дмитриев, М. Ю. Михайлов, К. В. Емцев, А. С. Абрамов, Е. И. Теруков, “Полугибкие фотоэлектрические модули на основе кремниевых HJT-ячеек”, ЖТФ, 94:10 (2024), 1707–1712 |
7. |
Л. Буджемила, Г. В. Ненашев, В. Г. Малышкин, Е. И. Теруков, А. Н. Алешин, “Исследование методом импедансной спектроскопии тандемных солнечных элементов на основе $c$-Si с верхним слоем нанокристаллов перовскитов CsPbBr$_3$ и CsPbI$_3$”, ЖТФ, 94:4 (2024), 638–645 |
8. |
М. С. Дунаевский, П. А. Алексеев, А. Н. Смирнов, П. А. Гостищев, Д. О. Грень, А. Д. Фурасова, Д. С. Саранин, Е. И. Теруков, “Дендритные структурные неоднородности в тонких слоях Cs$_{0.2}$FA$_{0.8}$PbI$_{2.93}$Cl$_{0.07}$ для перовскитных солнечных элементов”, Физика и техника полупроводников, 58:11 (2024), 629–635 |
9. |
О. П. Михайлов, А. И. Баранов, А. С. Гудовских, Е. И. Теруков, А. В. Кочергин, Н. Р. Костик, О. К. Атабоев, “Исследование влияния облучения потоком электронов на фотоэлектрические и электрофизические свойства кремниевых гетероструктурных солнечных элементов”, Письма в ЖТФ, 50:2 (2024), 23–27 |
|
2023 |
10. |
А. В. Андрианов, А. Н. Алешин, С. Н. Аболмасов, Е. И. Теруков, А. О. Захарьин, “Возбуждение терагерцевого излучения в $p$–$n$-гетероструктурах на основе $a$-Si:H/$c$-Si”, Физика твердого тела, 65:5 (2023), 848–852 |
11. |
В. С. Калиновский, Е. И. Теруков, К. К. Прудченко, А. А. Базелей, Е. В. Контрош, И. А. Толкачев, А. А. Титов, “Исследования радиационной стойкости гетероструктурных кремниевых солнечных элементов”, Письма в ЖТФ, 49:16 (2023), 18–21 |
12. |
А. В. Марченко, Е. И. Теруков, Ф. С. Насрединов, В. С. Киселев, П. П. Серегин, “Исследование галогенидов натрия и меди методом мессбауэровской спектроскопии на изотопе $^{67}$Zn”, Письма в ЖТФ, 49:14 (2023), 43–46 |
13. |
В. С. Калиновский, Е. И. Теруков, Ю. В. Ащеулов, Е. В. Контрош, В. С. Юферев, К. К. Прудченко, А. В. Чекалин, Е. Е. Терукова, И. А. Толкачев, С. Е. Гончаров, В. М. Устинов, “Разработка и исследование макета автономной энергоинформационной станции атмосферной оптической линии связи”, Письма в ЖТФ, 49:2 (2023), 21–25 |
|
2022 |
14. |
Л. Буджемила, А. Н. Алешин, В. Г. Малышкин, П. А. Алешин, И. П. Щербаков, В. Н. Петров, Е. И. Теруков, “Электрические и оптические характеристики пленок нанокристаллов перовскитов галогенида свинца CsPbI$_3$ и CsPbBr$_3$, нанесенных на $c$-Si солнечные элементы для фотовольтаических приложений”, Физика твердого тела, 64:11 (2022), 1695–1700 |
15. |
А. А. Рябко, Д. С. Мазинг, А. А. Бобков, А. И. Максимов, В. С. Левицкий, Э. Ф. Лазнева, А. С. Комолов, В. А. Мошников, Е. И. Теруков, “Эффект интерфейсного легирования системы наностержней оксида цинка”, Физика твердого тела, 64:11 (2022), 1681–1689 |
16. |
А. В. Андрианов, А. Н. Алешин, С. Н. Аболмасов, Е. И. Теруков, Е. В. Берегулин, “Генерация терагерцового излучения при фемтосекундном лазерном возбуждении многослойной структуры на основе a-Si:H/a-SiC:H/c-Si”, Письма в ЖЭТФ, 116:12 (2022), 825–829 ; A. V. Andrianov, A. N. Aleshin, S. N. Abolmasov, E. I. Terukov, E. V. Beregulin, “Generation of terahertz radiation under the femtosecond laser excitation of a multilayer structure based on a-Si:H/a-SiC:H/c-Si”, JETP Letters, 116:12 (2022), 859–862 |
1
|
17. |
А. В. Марченко, Е. И. Теруков, Ф. С. Насрединов, Ю. А. Петрушин, П. П. Серегин, “Локальная структура аморфных пленок (GeTe)$_x$(Sb$_2$Te$_3$)”, ЖТФ, 92:11 (2022), 1678–1686 |
18. |
А. А. Рябко, А. А. Бобков, С. С. Налимова, А. И. Максимов, В. С. Левицкий, В. А. Мошников, Е. И. Теруков, “Газочувствительность наноструктурированных покрытий на основе наностержней оксида цинка при комбинированной активации”, ЖТФ, 92:5 (2022), 758–764 |
2
|
19. |
С. Н. Аболмасов, А. С. Абрамов, В. Н. Вербицкий, Г. Г. Шелопин, А. В. Кочергин, Е. И. Теруков, “Формирование медной контактной сетки на поверхности кремниевых гетероструктурных фотоэлектрических преобразователей”, Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022), 516–525 |
20. |
А. Ф. Иванов, Ф. С. Егоров, Н. Д. Платонов, В. Л. Матухин, Е. И. Теруков, “Влияние кислорода при осаждении тонкой пленки оксида индия-олова методом магнетронного распыления для гетеропереходных солнечных элементов”, Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022), 315–319 |
21. |
А. В. Марченко, Е. И. Теруков, Ф. С. Насрединов, Ю. А. Петрушин, П. П. Серегин, “Природа локального окружения атомов германия в аморфных пленках (GeTe)$_x$(Sb$_2$Te$_3$)”, Письма в ЖТФ, 48:15 (2022), 11–14 |
22. |
С. Н. Каллаев, А. Г. Бакмаев, А. А. Бабаев, А. Р. Билалов, З. М. Омаров, Е. И. Теруков, “Теплофизические свойства терморасширенного графита”, ТВТ, 60:1 (2022), 19–22 ; S. N. Kallaev, A. G. Bakmaev, A. A. Babaev, A. R. Bilalov, Z. M. Omarov, E. I. Terukov, “Thermophysical properties of thermally expanded graphite”, High Temperature, 60:1 (2022), 15–18 |
|
2021 |
23. |
А. В. Марченко, Е. И. Теруков, Ф. С. Насрединов, Ю. А. Петрушин, П. П. Серегин, “Cтруктура ближнего порядка и антиструктурные дефекты олова в пленках аморфного и кристаллического Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$”, Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021), 3–8 ; A. V. Marchenko, E. I. Terukov, F. S. Nasredinov, Yu. A. Petrushin, P. P. Seregin, “Local structure and anti-structural defects of tin in amorphous and crystalline Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$ films”, Semiconductors, 55:1 (2021), 1–6 |
2
|
|
2020 |
24. |
Е. И. Теруков, А. В. Марченко, Ф. С. Насрединов, А. А. Левин, А. А. Лужков, П. П. Серегин, “Сверхтонкие взаимодействия в узлах меди антиферромагнитных соединений, аналогов сверхпроводящих металлооксидов меди”, Физика твердого тела, 62:3 (2020), 381–385 ; E. I. Terukov, A. V. Marchenko, F. S. Nasredinov, A. A. Levin, A. A. Luzhkov, P. P. Seregin, “Hyperfine interactions in copper lattice sites of antiferromagnetic compounds representing the analogues of superconducting copper metal-oxide compounds”, Phys. Solid State, 62:3 (2020), 431–435 |
25. |
В. В. Шпейзман, В. И. Николаев, А. О. Поздняков, А. В. Бобыль, Р. Б. Тимашов, А. И. Аверкин, С. Е. Никитин, О. И. Коньков, Г. Г. Шелопин, Е. И. Теруков, А. В. Нащекин, “Влияние текстурирования поверхности пластин кремния для солнечных фотопреобразователей на их прочностные свойства”, ЖТФ, 90:7 (2020), 1168–1174 ; V. V. Shpeyzman, V. I. Nikolaev, A. O. Pozdnyakov, A. V. Bobyl', R. B. Timashov, A. I. Averkin, S. E. Nikitin, O. I. Kon'kov, G. G. Shelopin, E. I. Terukov, A. V. Nashchekin, “The effect of texturing of silicon wafer surfaces for solar photoelectric transducers on their strength properties”, Tech. Phys., 65:7 (2020), 1123–1129 |
6
|
26. |
А. А. Бабаев, М. Е. Зобов, Е. И. Теруков, С. В. Ткачев, “Исследование структурных и оптических свойств углеродных нановолокон”, ЖТФ, 90:3 (2020), 430–433 ; A. A. Babaev, M. E. Zobov, E. I. Terukov, A. G. Tkachev, “Structural and optical properties of carbon nanofibers”, Tech. Phys., 65:3 (2020), 410–413 |
1
|
27. |
А. А. Рябко, А. И. Максимов, В. Н. Вербицкий, В. С. Левицкий, В. А. Мошников, Е. И. Теруков, “Двухэтапный синтез структурированных микросистем из наностержней оксида цинка с использованием ультразвукового спрей-пиролиза и низкотемпературного гидротермального метода”, Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020), 1251–1257 ; A. A. Ryabko, A. I. Maximov, V. N. Verbitskii, V. S. Levitskii, V. A. Moshnikov, E. I. Terukov, “Two-stage synthesis of structured microsystems based on zinc oxide nanorods using ultrasonic spray pyrolysis and low-temperature hydrothermal method”, Semiconductors, 54:11 (2020), 1496–1502 |
16
|
28. |
Е. И. Теруков, А. В. Марченко, А. А. Лужков, П. П. Серегин, К. Б. Шахович, “Сверхтонкие взаимодействия в узлах меди диэлектрических и сверхпроводящих металлооксидов меди”, Письма в ЖТФ, 46:21 (2020), 52–54 ; E. I. Terukov, A. V. Marchenko, A. A. Luzhkov, P. P. Seregin, K. B. Shakhovich, “Hyperfine interactions in copper sites of dielectric and superconducting copper metal oxides”, Tech. Phys. Lett., 46:11 (2020), 1100–1102 |
29. |
А. В. Марченко, Е. И. Теруков, Ф. С. Насрединов, П. П. Серегин, “Локальная структура аморфных и кристаллических пленок Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$”, Письма в ЖТФ, 46:19 (2020), 19–21 ; A. V. Marchenko, E. I. Terukov, F. S. Nasredinov, P. P. Seregin, “Local structure of amorphous and crystalline Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$ films”, Tech. Phys. Lett., 46:10 (2020), 958–960 |
4
|
30. |
Н. Д. Якушова, И. А. Аверин, И. А. Пронин, А. А. Карманов, Е. А. Алимова, В. А. Мошников, Е. И. Теруков, “Управление фрактальностью и размером серебряных кластеров при одностадийном синтезе гетероструктур Ag–ZnO”, Письма в ЖТФ, 46:17 (2020), 30–32 ; N. D. Yakushova, I. A. Averin, I. A. Pronin, A. A. Karmanov, E. A. Alimova, V. A. Moshnikov, E. I. Terukov, “Controlling the fractality and size of silver clusters in the one-step synthesis of Ag–ZnO heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 46:9 (2020), 864–866 |
31. |
И. Е. Панайотти, Е. И. Теруков, И. С. Шахрай, “Метод расчета рабочих характеристик кремниевых гетеропереходных солнечных элементов с произвольными параметрами кристаллической подложки”, Письма в ЖТФ, 46:17 (2020), 3–5 ; I. E. Panaiotti, E. I. Terukov, I. S. Shahray, “A method for calculating operating characteristics of silicon heterojunction solar cells with arbitrary parameters of crystalline substrates”, Tech. Phys. Lett., 46:9 (2020), 835–837 |
6
|
|
2019 |
32. |
И. А. Аверин, И. А. Пронин, Н. Д. Якушова, А. А. Карманов, Е. А. Алимова, С. Е. Игошина, В. А. Мошников, Е. И. Теруков, “Адаптация золь-гель технологии наноструктурированного оксида цинка для целей гибкой электроники”, ЖТФ, 89:12 (2019), 1917–1922 ; I. A. Averin, I. A. Pronin, N. D. Yakushova, A. A. Karmanov, E. A. Alimova, S. E. Igoshina, V. A. Moshnikov, E. I. Terukov, “Sol-gel technology adaptation of nanostructured zinc oxide for flexible electronics”, Tech. Phys., 64:12 (2019), 1821–1826 |
5
|
33. |
И. А. Аверин, И. А. Пронин, Н. Д. Якушова, А. А. Карманов, М. М. Сычев, С. В. Вихман, В. С. Левицкий, В. А. Мошников, Е. И. Теруков, “Анализ структурной эволюции порошков оксида цинка, полученных методом механического высокоэнергетического размола”, ЖТФ, 89:9 (2019), 1406–1411 ; I. A. Averin, I. A. Pronin, N. D. Yakushova, A. A. Karmanov, M. M. Sychov, S. V. Vikhman, V. S. Levitskii, V. A. Moshnikov, E. I. Terukov, “Analysis of the structural evolution of zinc oxide powders obtained by mechanical high-energy grinding”, Tech. Phys., 64:9 (2019), 1330–1335 |
4
|
34. |
Ю. К. Ундалов, Е. И. Теруков, И. Н. Трапезникова, “Формирование $ncl$-Si в аморфной матрице $a$-SiO$_{x}$ : H, расположенной вблизи анода и на катоде, с помощью модулированной по времени DC-плазмы с (SiH$_4$–Ar–O$_{2}$)-газовой фазой ($C_{\mathrm{O}_2}$ = 21.5 мол%)”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1547–1556 ; Yu. K. Undalov, E. I. Terukov, I. N. Trapeznikova, “Formation of $ncl$-Si in the amorphous matrix $a$-SiO$_{x}$ : H located near the anode and on the cathode, using a time-modulated DC plasma with the (SiH$_4$–Ar–O$_{2}$) gas phase ($C_{\mathrm{O}_2}$ = 21.5 мол%)”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1514–1523 |
2
|
35. |
S. N. Abolmasov, A. S. Abramov, A. V. Semenov, I. S. Shahray, E. I. Terukov, E. V. Malchukova, I. N. Trapeznikova, “Sensing amorphous/crystalline silicon surface passivation by attenuated total reflection infrared spectroscopy of amorphous silicon on glass”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1140 ; Semiconductors, 53:8 (2019), 1114–1119 |
4
|
36. |
А. В. Марченко, П. П. Серегин, Е. И. Теруков, К. Б. Шахович, “Антиструктурные дефекты в полупроводниковых стеклах Ge–Te и Ge–As–Te”, Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019), 718–723 ; A. V. Marchenko, P. P. Seregin, E. I. Terukov, K. B. Shakhovich, “Antisite defects in Ge–Te and Ge–As–Te semiconductor glasses”, Semiconductors, 53:5 (2019), 711–716 |
5
|
37. |
Г. Е. Яковлев, И. А. Няпшаев, И. С. Шахрай, Д. А. Андроников, В. И. Зубков, Е. И. Теруков, “Сквозное концентрационное профилирование гетероструктурных солнечных элементов”, Письма в ЖТФ, 45:17 (2019), 39–42 ; G. E. Yakovlev, I. A. Nyapshaev, I. S. Shahray, D. A. Andronikov, V. I. Zubkov, E. I. Terukov, “Through concentration profiling of heterojunction solar cells”, Tech. Phys. Lett., 45:9 (2019), 890–893 |
2
|
38. |
О. Д. Якобсон, О. Л. Грибкова, А. Р. Тамеев, Е. И. Теруков, “Перовскитный солнечный элемент с дырочным транспортным слоем на основе комплекса полианилина”, Письма в ЖТФ, 45:16 (2019), 3–5 ; O. D. Iakobson, O. L. Gribkova, A. R. Tameev, E. I. Terukov, “Perovskite photovoltaic cell with hole transport layer based on a polyaniline complex”, Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 794–796 |
2
|
39. |
И. А. Пронин, И. А. Аверин, Н. Д. Якушова, А. А. Карманов, В. А. Мошников, Е. И. Теруков, “Направленная самосборка микро- и нанопроводов оксида цинка”, Письма в ЖТФ, 45:12 (2019), 45–48 ; I. A. Pronin, I. A. Averin, N. D. Yakushova, A. A. Karmanov, V. A. Moshnikov, E. I. Terukov, “Directed self-assembly of micro- and nanowires of zinc oxide”, Tech. Phys. Lett., 45:6 (2019), 628–631 |
4
|
40. |
И. Е. Панайотти, Е. И. Теруков, “Исследование влияния радиации на рекомбинационные потери в гетеропереходных солнечных элементах на основе монокристаллического кремния”, Письма в ЖТФ, 45:5 (2019), 9–12 ; I. E. Panaiotti, E. I. Terukov, “A study of the effect of radiation on recombination loss in heterojunction solar cells based on single-crystal silicon”, Tech. Phys. Lett., 45:3 (2019), 193–196 |
9
|
41. |
А. А. Бабаев, М. Е. Зобов, Д. Ю. Корнилов, С. В. Ткачев, Е. И. Теруков, В. С. Левицкий, “Температурная зависимость электрического сопротивления оксида графена”, ТВТ, 57:2 (2019), 221–225 ; A. A. Babaev, M. E. Zobov, D. Yu. Kornilov, S. V. Tkachev, E. I. Terukov, V. S. Levitskii, “Temperature dependence of electrical resistance of graphene oxide”, High Temperature, 57:2 (2019), 198–202 |
3
|
|
2018 |
42. |
Е. И. Теруков, А. В. Марченко, П. П. Серегин, В. С. Киселев, К. Б. Шахович, “Параметры ядерного квадрупольного взаимодействия и пространственное распределение электронных дефектов в решетках YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7}$ и La$_{2-x}$Sr$_{x}$CuO$_{4}$”, Физика твердого тела, 60:10 (2018), 1866–1873 ; E. I. Terukov, A. V. Marchenko, P. P. Seregin, V. S. Kiselev, K. B. Shakhovich, “Parameters of nuclear quadrupole interaction and spatial distribution of electronic defects in YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7}$ and La$_{2-x}$Sr$_{x}$CuO$_{4}$ lattices”, Phys. Solid State, 60:10 (2018), 1908–1915 |
2
|
43. |
И. А. Аверин, С. Е. Игошина, А. А. Карманов, И. А. Пронин, В. А. Мошников, Е. И. Теруков, “Спектроскопические исследования эволюции фрактальных нанообъектов в пленкообразующих золях ортокремниевой кислоты”, ЖТФ, 88:11 (2018), 1743–1751 ; I. A. Averin, S. E. Igoshina, A. A. Karmanov, I. A. Pronin, V. A. Moshnikov, E. I. Terukov, “Spectroscopic investigation of the evolution of fractal nanoobjects in film-forming sols of orthosilicic acid”, Tech. Phys., 63:11 (2018), 1687–1695 |
44. |
Е. Н. Муратова, В. А. Мошников, В. В. Лучинин, А. А. Бобков, И. А. Врублевский, К. В. Чернякова, Е. И. Теруков, “Теплопроводящие платы на основе алюминия с наноструктурированным слоем Al$_{2}$O$_{3}$ для изделий силовой электроники”, ЖТФ, 88:11 (2018), 1678–1680 ; E. N. Muratova, V. A. Moshnikov, V. V. Luchinin, A. A. Bobkov, I. A. Vrublevsky, K. V. Chernyakova, E. I. Terukov, “Thermal-conductive boards based on aluminum with an Al$_{2}$O$_{3}$ nanostructured layer for products of power electronics”, Tech. Phys., 63:11 (2018), 1626–1628 |
4
|
45. |
Е. И. Теруков, А. А. Бабаев, А. Г. Ткачев, Д. В. Жилина, “Радиопоглощающие свойства полимерных композитов на основе шунгита и углеродного наноматериала “Таунит-М””, ЖТФ, 88:7 (2018), 1075–1079 ; E. I. Terukov, A. A. Babaev, A. G. Tkachev, D. V. Zhilina, “Radio-wave absorbing properties of polymer composites on the basis of shungite and carbon nanomaterial Taunit-M”, Tech. Phys., 63:7 (2018), 1044–1048 |
12
|
46. |
Ф. С. Егоров, А. В. Кукин, Е. И. Теруков, A. С. Титов, “Улучшения качества лазерного скрайбирования прозрачного проводящего оксида при изготовлении тонкопленочного солнечного модуля”, ЖТФ, 88:4 (2018), 572–577 ; F. S. Egorov, A. V. Kukin, E. I. Terukov, A. S. Titov, “Improved laser scribing of transparent conductive oxide for fabrication of thin-film solar module”, Tech. Phys., 63:4 (2018), 557–562 |
1
|
47. |
А. А. Бабаев, М. Е. Зобов, Д. Ю. Корнилов, С. В. Ткачев, Е. И. Теруков, В. С. Левицкий, “Оптические и электрические свойства оксида графена”, Оптика и спектроскопия, 125:6 (2018), 820–824 ; A. A. Babaev, M. E. Zobov, D. Yu. Kornilov, A. G. Tkachev, E. I. Terukov, V. S. Levitskii, “Optical and electrical properties of graphene oxide”, Optics and Spectroscopy, 125:6 (2018), 1014–1018 |
8
|
48. |
С. Е. Никитин, А. В. Бобыль, Н. Р. Авезова, Е. И. Теруков, “Новые технологические подходы к созданию текстур и согласованию термического расширения в дизайне высокоэффективных кремниевых солнечных фотопреобразователей”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1675–1682 ; S. E. Nikitin, A. V. Bobyl', N. R. Avezova, E. I. Terukov, “New manufacturing approaches to texture formation and thermal expansion matching in the design of highly efficient silicon solar photoconverters”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1782–1789 |
6
|
49. |
Ю. К. Ундалов, Е. И. Теруков, И. Н. Трапезникова, “Изучение влияния временных характеристик модулированной DC-плазмы с (SiH$_{4}$–Ar–O$_{2}$)-газовой фазой на рост ncl–Si в матрице $a$-SiO$_{x}$:H (C$_{\mathrm{O}_2}$ = 15.5 мол%)”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1137–1144 ; Yu. K. Undalov, E. I. Terukov, I. N. Trapeznikova, “Effect of the temporal characteristics of modulated DC plasma with the (SiH$_{4}$–Ar–O$_{2}$) gas phase on ncl-Si growth in an$a$-SiO$_{x}$:H matrix (C$_{\mathrm{O}_2}$ = 15.5 mol %)”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1255–1263 |
1
|
50. |
В. Л. Матухин, А. И. Погорельцев, А. Н. Гавриленко, С. О. Гарькавый, Е. В. Шмидт, С. Ф. Бабаева, А. А. Суханова, Е. И. Теруков, “Особенности спектров ЯМР $^{63,65}$Cu в локальном поле образцов полупроводникового минерала CuFeS$_{2}$ из сульфидных месторождений океана”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 836–839 ; V. L. Matukhin, A. I. Pogoreltsev, A. N. Gavrilenko, S. O. Garkavyi, E. V. Shmidt, S. F. Babaeva, A. A. Sukhanova, E. I. Terukov, “Features of $^{63,65}$Cu NMR spectra in the local field of samples of CuFeS$_{2}$ semiconductor mineral from oceanic sulfide deposits”, Semiconductors, 52:8 (2018), 969–972 |
1
|
51. |
Е. И. Теруков, А. С. Абрамов, Д. А. Андроников, К. В. Емцев, И. Е. Панайотти, A. С. Титов, Г. Г. Шелопин, “Исследование характеристик гетеропереходных солнечных элементов на основе тонких пластин монокристаллического кремния”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 792–795 ; E. I. Terukov, A. S. Abramov, D. A. Andronikov, K. V. Emtsev, I. E. Panaiotti, A. S. Titov, G. G. Shelopin, “Investigation of the characteristics of heterojunction solar cells based on thin single-crystal silicon wafers”, Semiconductors, 52:7 (2018), 931–933 |
5
|
52. |
С. П. Вихров, Н. В. Вишняков, В. В. Гудзев, А. В. Ермачихин, Д. В. Жилина, В. Г. Литвинов, А. Д. Маслов, В. Г. Мишустин, Е. И. Теруков, A. С. Титов, “Исследование глубоких энергетических уровней в солнечном элементе типа HIT”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 787–791 ; S. P. Vikhrov, N. V. Vishnyakov, V. V. Gudzev, A. V. Ermachikhin, D. V. Zhilina, V. G. Litvinov, A. D. Maslov, V. G. Mishustin, E. I. Terukov, A. S. Titov, “Study of deep levels in a HIT solar cell”, Semiconductors, 52:7 (2018), 926–930 |
5
|
53. |
Е. И. Теруков, А. В. Марченко, П. П. Серегин, Н. Н. Жуков, “Структура мессбауэровских спектров примесных атомов $^{119m}$Sn в халькогенидах свинца в условиях радиоактивного равновесия изотопов $^{119m}$Te/$^{119}$Sn”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 560–564 ; E. I. Terukov, A. V. Marchenko, P. P. Seregin, N. N. Zhukov, “On the structure of the Mössbauer spectra of $^{119m}$Sn impurity atoms in lead chalcogenides under conditions of the radioactive equilibrium of $^{119m}$Te/$^{119}$Sn isotopes”, Semiconductors, 52:6 (2018), 708–712 |
2
|
54. |
Х. А. Абдуллин, Л. В. Гриценко, С. Е. Кумеков, А. А. Мархабаева, Е. И. Теруков, “Влияние термических и плазменных обработок на фотолюминесценцию пленок оксида цинка”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 189–195 ; Kh. A. Abdullin, L. V. Gritsenko, S. E. Kumekov, А. А. Markhabaeva, E. I. Terukov, “Effect of heat and plasma treatments on the photoluminescence of zinc-oxide films”, Semiconductors, 52:2 (2018), 177–183 |
2
|
55. |
А. В. Саченко, В. П. Костылев, А. В. Бобыль, В. Н. Власюк, И. О. Соколовский, Г. А. Коноплев, Е. И. Теруков, М. З. Шварц, М. А. Евстигнеев, “Влияние толщины базы на эффективность фотопреобразования текстурированных солнечных элементов на основе кремния”, Письма в ЖТФ, 44:19 (2018), 40–49 ; A. V. Sachenko, V. P. Kostylyov, A. V. Bobyl', V. N. Vlasyuk, I. O. Sokolovskyi, G. A. Konoplev, E. I. Terukov, M. Z. Shvarts, M. A. Evstigneev, “The effect of base thickness on photoconversion efficiency in textured silicon-based solar cells”, Tech. Phys. Lett., 44:10 (2018), 873–876 |
23
|
56. |
В. С. Калиновский, Е. И. Теруков, Е. В. Контрош, В. Н. Вербицкий, A. С. Титов, “Радиационная стойкость гетеропереходных солнечных элементов $\alpha$-Si : H/Si с тонким внутренним слоем $i$-$\alpha$-Si : H”, Письма в ЖТФ, 44:17 (2018), 95–102 ; V. S. Kalinovskii, E. I. Terukov, E. V. Kontrosh, V. N. Verbitskii, A. S. Titov, “Radiation resistance of $\alpha$-Si:H/Si heterojunction solar cells with a thin $i$-$\alpha$-Si:H inner layer”, Tech. Phys. Lett., 44:9 (2018), 801–803 |
7
|
57. |
А. А. Бобков, И. А. Пронин, В. А. Мошников, Н. Д. Якушова, А. А. Карманов, И. А. Аверин, П. А. Сомов, Е. И. Теруков, “Формирование литографических рисунков ограненными микрочастицами оксида цинка на кремниевой подложке”, Письма в ЖТФ, 44:15 (2018), 87–92 ; A. A. Bobkov, I. A. Pronin, V. A. Moshnikov, N. D. Yakushova, A. A. Karmanov, I. A. Averin, P. A. Somov, E. I. Terukov, “Creating lithographic pictures using faceted zinc oxide microparticles on a silicon substrate”, Tech. Phys. Lett., 44:8 (2018), 694–696 |
7
|
|
2017 |
58. |
Н. С. Токмолдин, Н. А. Чучвага, В. Н. Вербицкий, Е. И. Теруков, A. С. Титов, С. Ж. Токмолдин, К. С. Жолдыбаев, “Использование солнечных элементов с двусторонней контактной сеткой в условиях Казахстана”, ЖТФ, 87:12 (2017), 1879–1883 ; N. S. Tokmoldin, N. A. Chuchvaga, V. N. Verbitskii, E. I. Terukov, A. S. Titov, S. Zh. Tokmoldin, K. S. Zholdybayev, “The use of solar cells with a bifacial contact grid under the conditions of Kazakhstan”, Tech. Phys., 62:12 (2017), 1877–1881 |
4
|
59. |
Ш. А. Сюлейман, Н. Д. Якушова, И. А. Пронин, Н. В. Канева, А. С. Божинова, К. И. Папазова, М. Н. Ганчева, Д. Ц. Димитров, И. А. Аверин, Е. И. Теруков, В. А. Мошников, “Исследование процессов фотодеградации бриллиантового зеленого на механоактивированных порошках оксида цинка”, ЖТФ, 87:11 (2017), 1707–1711 ; Sh. A. Syuleiman, N. D. Yakushova, I. A. Pronin, N. V. Kaneva, A. S. Bojinova, K. I. Papazova, M. N. Gancheva, D. Ts. Dimitrov, I. A. Averin, E. I. Terukov, V. A. Moshnikov, “Study of the photodegradation of brilliant green on mechanically activated powders of zinc oxide”, Tech. Phys., 62:11 (2017), 1709–1713 |
4
|
60. |
И. А. Аверин, С. Е. Игошина, А. А. Карманов, И. А. Пронин, В. А. Мошников, Е. И. Теруков, “Моделирование сенсорного отклика вакуумметров с чувствительными элементами на основе многокомпонентных оксидных наноматериалов с фрактальной структурой”, ЖТФ, 87:5 (2017), 780–787 ; I. A. Averin, S. E. Igoshina, A. A. Karmanov, I. A. Pronin, V. A. Moshnikov, E. I. Terukov, “Simulation of the sensor response of vacuummeters with sensitive elements based on multicomponent oxide nanomaterials with the fractal structure”, Tech. Phys., 62:5 (2017), 799–806 |
3
|
61. |
Д. А. Богданов, Г. А. Горбатовский, В. Н. Вербицкий, А. В. Бобыль, Е. И. Теруков, “Деградация кремниевых тонкопленочных микроморфных ($\alpha$-Si/$\mu c$-Si) солнечных модулей: оценка сезонной эффективности на основе данных мониторинга”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1229–1234 ; D. A. Bogdanov, G. A. Gorbatovskii, V. N. Verbitskii, A. V. Bobyl', E. I. Terukov, “Degradation of micromorphous thin-film silicon ($\alpha$-Si/$\mu c$-Si) solar modules: Evaluation of seasonal efficiency based on the data of monitoring”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1180–1185 |
1
|
62. |
А. В. Марченко, Е. И. Теруков, А. Ю. Егорова, В. С. Киселев, П. П. Серегин, “Электронный обмен между нейтральными и ионизованными примесными центрами железа в стеклообразном селениде мышьяка”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 472–476 ; A. V. Marchenko, E. I. Terukov, A. Yu. Egorova, V. S. Kiselev, P. P. Seregin, “Electron exchange between neutral and ionized impurity iron centers in vitreous arsenic selenide”, Semiconductors, 51:4 (2017), 449–453 |
63. |
В. Л. Матухин, А. И. Погорельцев, А. Н. Гавриленко, С. О. Гарькавый, Е. В. Шмидт, С. Ф. Бабаева, А. А. Суханова, Е. И. Теруков, “Исследования полупроводникового минерала CuFeS$_{2}$ из гидротермальных отложений океанского рифта методом ЯМР Cu в локальном поле”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 8–11 ; V. L. Matukhin, A. I. Pogoreltsev, A. N. Gavrilenko, S. O. Garkavyi, E. V. Shmidt, S. F. Babaeva, A. A. Sukhanova, E. I. Terukov, “Investigations of CuFeS$_2$ semiconductor mineral from ocean rift hydrothermal vent fields by Cu NMR in a local field”, Semiconductors, 51:1 (2017), 4–7 |
2
|
64. |
И. А. Пронин, Н. Д. Якушова, Д. Ц. Димитров, Л. К. Крастева, К. И. Папазова, А. А. Карманов, И. А. Аверин, А. Ц. Георгиева, В. А. Мошников, Е. И. Теруков, “Новый тип газовых сенсоров на основе термовольтаического эффекта в оксиде цинка, неоднородно легированном примесями переменной валентности”, Письма в ЖТФ, 43:18 (2017), 11–16 ; I. A. Pronin, N. D. Yakushova, D. Ts. Dimitrov, L. K. Krasteva, K. I. Papazova, A. A. Karmanov, I. A. Averin, A. Ts. Georgieva, V. A. Moshnikov, E. I. Terukov, “A new type of gas sensor based on the thermovoltaic effect in zinc oxide inhomogeneously doped with mixed-valence impurities”, Tech. Phys. Lett., 43:9 (2017), 825–827 |
11
|
65. |
В. Н. Вербицкий, И. Е. Панайотти, С. Е. Никитин, А. В. Бобыль, Г. Г. Шелопин, Д. А. Андроников, А. С. Абрамов, А. В. Саченко, Е. И. Теруков, “Электролюминесцентные исследования эффективности кремниевых гетероструктурных солнечных элементов”, Письма в ЖТФ, 43:17 (2017), 3–11 ; V. N. Verbitskii, I. E. Panaiotti, S. E. Nikitin, A. V. Bobyl', G. G. Shelopin, D. A. Andronikov, A. S. Abramov, A. V. Sachenko, E. I. Terukov, “Electroluminescent study of the efficiency of silicon heterostructural solar cells”, Tech. Phys. Lett., 43:9 (2017), 779–782 |
4
|
66. |
А. В. Саченко, В. П. Костылев, А. В. Бобыль, В. М. Власюк, И. О. Соколовский, Е. И. Теруков, М. А. Евстигнеев, “Особенности моделирования эффективности фотопреобразования солнечных элементов на основе перовскитов”, Письма в ЖТФ, 43:14 (2017), 88–96 ; A. V. Sachenko, V. P. Kostylyov, A. V. Bobyl', V. M. Vlasyuk, I. O. Sokolovskyi, E. I. Terukov, M. A. Evstigneev, “Peculiarities of photoconversion efficiency modeling in perovskite solar cells”, Tech. Phys. Lett., 43:7 (2017), 678–680 |
4
|
67. |
Д. М. Жигунов, А. С. Ильин, П. А. Форш, А. В. Бобыль, В. Н. Вербицкий, Е. И. Теруков, П. К. Кашкаров, “Люминесценция солнечных элементов с гетеропереходом $a$-Si : H/$c$-Si”, Письма в ЖТФ, 43:10 (2017), 95–101 ; D. M. Zhigunov, A. S. Ilyin, P. A. Forsh, A. V. Bobyl', V. N. Verbitskii, E. I. Terukov, P. K. Kashkarov, “Luminescence of solar cells with $a$-Si:H/$c$-Si heterojunctions”, Tech. Phys. Lett., 43:5 (2017), 496–498 |
7
|
68. |
Г. А. Бордовский, Е. И. Теруков, А. В. Марченко, П. П. Серегин, А. В. Шалденкова, “Абсолютные заряды атомов решетки YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7}$, полученные методом анализа параметров ядерного квадрупольного взаимодействия”, Письма в ЖТФ, 43:8 (2017), 102–110 ; G. A. Bordovskii, E. I. Terukov, A. V. Marchenko, P. P. Seregin, A. V. Shaldenkova, “Absolute atomic charges in YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7}$ lattice determined by analysis of the nuclear quadrupole interaction parameters”, Tech. Phys. Lett., 43:4 (2017), 409–412 |
1
|
69. |
А. В. Саченко, В. П. Костылев, И. О. Соколовский, А. В. Бобыль, В. Н. Вербицкий, Е. И. Теруков, М. З. Шварц, “Особенности токопрохождения в гетеропереходных солнечных элементах на основе $\alpha$-Si : H/Si”, Письма в ЖТФ, 43:3 (2017), 29–38 ; A. V. Sachenko, V. P. Kostylyov, I. O. Sokolovskyi, A. V. Bobyl', V. N. Verbitskii, E. I. Terukov, M. Z. Shvarts, “Specific features of current flow in $\alpha$-Si : H/Sii heterojunction solar cells”, Tech. Phys. Lett., 43:2 (2017), 152–155 |
25
|
70. |
С. Н. Аболмасов, А. С. Абрамов, Г. А. Иванов, Е. И. Теруков, К. В. Емцев, И. А. Няпшаев, А. А. Базелей, С. П. Губин, Д. Ю. Корнилов, С. В. Ткачев, В. П. Ким, Д. А. Рындин, В. И. Левченкова, “Гетероструктурные солнечные элементы на основе монокристаллического кремния с контактной сеткой, напечатанной на принтере методом струйной печати”, Письма в ЖТФ, 43:1 (2017), 74–79 ; S. N. Abolmasov, A. S. Abramov, G. A. Ivanov, E. I. Terukov, K. V. Emtsev, I. A. Nyapshaev, A. A. Bazeley, S. P. Gubin, D. Yu. Kornilov, S. V. Tkachev, V. P. Kim, D. A. Ryndin, V. I. Levchenkova, “Heterojunction solar cells based on single-crystal silicon with an inkjet-printed contact grid”, Tech. Phys. Lett., 43:1 (2017), 78–80 |
5
|
71. |
А. А. Бабаев, А. М. Алиев, Е. И. Теруков, А. К. Филиппов, “Теплофизические свойства полимерного композита на основе углеродных многостенных нанотрубок, полученного методом электроспиннинга”, ТВТ, 55:4 (2017), 513–517 ; A. A. Babaev, A. M. Aliev, E. I. Terukov, A. K. Filippov, “Thermophysical properties of polymer composite based on multiwalled carbon nanotubes, obtained by electrospinning”, High Temperature, 55:4 (2017), 502–505 |
9
|
|
2016 |
72. |
Р. С. Смердов, Т. В. Бочарова, В. С. Левицкий, К. Г. Гареев, В. А. Мошников, Е. И. Теруков, “Спектроскопические свойства гамма-облученных композитных наночастиц Fe$_{m}$O$_{n}$–SiO$_{2}$”, Физика твердого тела, 58:5 (2016), 892–896 ; R. S. Smerdov, T. V. Bocharova, V. S. Levitskii, K. G. Gareev, V. A. Moshnikov, E. I. Terukov, “Spectroscopic properties of $\gamma$-irradiated Fe$_{m}$O$_{n}$–SiO$_{2}$ composite nanoparticles”, Phys. Solid State, 58:5 (2016), 919–923 |
8
|
73. |
Э. Н. Воронков, Ю. В. Ануфриев, Е. И. Теруков, “Бета-электрические элементы из аморфного кремния”, ЖТФ, 86:5 (2016), 102–106 ; È. N. Voronkov, Yu. V. Anufriev, E. I. Terukov, “Beta-electric elements made of amorphous silicon”, Tech. Phys., 61:5 (2016), 740–744 |
1
|
74. |
Н. А. Лашкова, А. И. Максимов, А. А. Рябко, А. А. Бобков, В. А. Мошников, Е. И. Теруков, “Синтез наноструктур на основе оксида цинка для создания гетероструктурных фотовольтаических элементов”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1276–1282 ; N. A. Lashkova, A. I. Maximov, A. A. Ryabko, A. A. Bobkov, V. A. Moshnikov, E. I. Terukov, “Synthesis of ZnO-based nanostructures for heterostructure photovoltaic cells”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1254–1260 |
30
|
75. |
Х. А. Абдуллин, М. Т. Габдуллин, Л. В. Гриценко, Д. В. Исмаилов, Ж. К. Калкозова, С. Е. Кумеков, Ж. О. Мукаш, А. Ю. Сазонов, Е. И. Теруков, “Электрические, оптические и фотолюминесцентные свойства пленок ZnO при термическом отжиге и обработке в водородной плазме”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1030–1035 ; Kh. A. Abdullin, M. T. Gabdullin, L. V. Gritsenko, D. V. Ismailov, Zh. K. Kalkozova, S. E. Kumekov, Zh. O. Mukash, A. Yu. Sazonov, E. I. Terukov, “Electrical, optical, and photoluminescence properties of ZnO films subjected to thermal annealing and treatment in hydrogen plasma”, Semiconductors, 50:8 (2016), 1010–1014 |
15
|
76. |
А. В. Марченко, Е. И. Теруков, П. П. Серегин, А. Н. Раснюк, В. С. Киселев, “Электронный обмен между примесными $U^{-}$-центрами олова в твердых растворах PbS$_{z}$Se$_{1-z}$”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 893–899 ; A. V. Marchenko, E. I. Terukov, P. P. Seregin, A. N. Rasnjuk, V. S. Kiselev, “Electron exchange between tin impurity $U^-$ centers in PbS$_{z}$Se$_{1-z}$ alloys”, Semiconductors, 50:7 (2016), 876–882 |
2
|
77. |
O. B. Gusev, A. V. Belolipetskiy, I. N. Yassievich, A. V. Kukin, E. E. Terukova, E. I. Terukov, “Lifetime of excitons localized in Si nanocrystals in amorphous silicon”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 639–642 ; Semiconductors, 50:5 (2016), 627–631 |
2
|
78. |
Ю. К. Ундалов, Е. И. Теруков, О. Б. Гусев, И. Н. Трапезникова, “Получение нанокластеров кремния, ncl-Si, в матрице гидрированного аморфного субокисла кремния, $a$-SiO$_{x}$:H (0 $<x<$ 2), с помощью модулированной во времени плазмы магнетрона на постоянном токе”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 538–548 ; Yu. K. Undalov, E. I. Terukov, O. B. Gusev, I. N. Trapeznikova, “On the formation of silicon nanoclusters ncl-Si in a hydrogenated amorphous silicon suboxide matrix $a$-SiO$_{x}$:H (0 $<x<$ 2), with time-modulated dc magnetron plasma”, Semiconductors, 50:4 (2016), 530–540 |
3
|
79. |
А. В. Саченко, Ю. В. Крюченко, В. П. Костылев, И. О. Соколовский, А. С. Абрамов, А. В. Бобыль, И. Е. Панайотти, Е. И. Теруков, “Метод оптимизации параметров гетеропереходных фотоэлектрических преобразователей на основе кристаллического кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 259–263 ; A. V. Sachenko, Yu. V. Kryuchenko, V. P. Kostylyov, I. O. Sokolovskyi, A. S. Abramov, A. V. Bobyl', I. E. Panaiotti, E. I. Terukov, “Method for optimizing the parameters of heterojunction photovoltaic cells based on crystalline silicon”, Semiconductors, 50:2 (2016), 257–260 |
12
|
80. |
В. А. Терехов, Е. И. Теруков, Ю. К. Ундалов, Е. В. Паринова, Д. Е. Спирин, П. В. Середин, Д. А. Минаков, Э. П. Домашевская, “Состав и оптические свойства аморфных пленок $a$-SiO$_{x}$:H с нанокластерами кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 212–217 ; V. A. Terekhov, E. I. Terukov, Yu. K. Undalov, E. V. Parinova, D. E. Spirin, P. V. Seredin, D. A. Minakov, È. P. Domashevskaya, “Composition and optical properties of amorphous $a$-SiO$_x$ :H films with silicon nanoclusters”, Semiconductors, 50:2 (2016), 212–216 |
4
|
81. |
А. М. Емельянов, С. Н. Аболмасов, Е. И. Теруков, “Фотолюминесценция в области края фундаментального поглощения текстурированного без маскирования монокристаллического кремния”, Письма в ЖТФ, 42:19 (2016), 55–61 ; A. M. Emel'yanov, S. N. Abolmasov, E. I. Terukov, “Photoluminescence at the fundamental absorption edge of single-crystal silicon textured without masking”, Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1002–1004 |
82. |
В. А. Мошников, А. И. Максимов, О. А. Александрова, И. А. Пронин, А. А. Карманов, Е. И. Теруков, Н. Д. Якушова, И. А. Аверин, А. А. Бобков, Н. В. Пермяков, “Нанолитографическая самосборка коллоидных наночастиц”, Письма в ЖТФ, 42:18 (2016), 81–87 ; V. A. Moshnikov, A. I. Maximov, O. A. Aleksandrova, I. A. Pronin, A. A. Karmanov, E. I. Terukov, N. D. Yakushova, I. A. Averin, A. A. Bobkov, N. V. Permyakov, “Nanolithographic self-assembly of colloidal nanoparticles”, Tech. Phys. Lett., 42:9 (2016), 967–969 |
12
|
83. |
В. П. Белик, О. С. Васютинский, А. В. Кукин, М. А. Петров, Р. С. Попов, Е. И. Теруков, “Кристаллизация пленок аморфного гидрогенизированного кремния ($a$-Si : H) при облучении фемтосекундными лазерными импульсами”, Письма в ЖТФ, 42:15 (2016), 36–42 ; V. P. Belik, O. S. Vasutinskii, A. V. Kukin, M. A. Petrov, R. S. Popov, E. I. Terukov, “Crystallization of amorphous hydrogenated silicon ($a$-Si:H) films under irradiation with femtosecond laser pulses”, Tech. Phys. Lett., 42:8 (2016), 788–791 |
3
|
84. |
А. В. Саченко, Ю. В. Крюченко, В. П. Костылев, P. М. Коркишко, И. О. Соколовский, А. С. Абрамов, С. Н. Аболмасов, Д. А. Андроников, А. В. Бобыль, И. Е. Панайотти, Е. И. Теруков, A. С. Титов, М. З. Шварц, “Исследование влияния температуры на характеристики гетеропереходных солнечных элементов на основе кристаллического кремния”, Письма в ЖТФ, 42:6 (2016), 70–76 ; A. V. Sachenko, Yu. V. Kryuchenko, V. P. Kostylyov, R. M. Korkishko, I. O. Sokolovskyi, A. S. Abramov, S. N. Abolmasov, D. A. Andronikov, A. V. Bobyl', I. E. Panaiotti, E. I. Terukov, A. S. Titov, M. Z. Shvarts, “The temperature dependence of the characteristics of crystalline-silicon-based heterojunction solar cells”, Tech. Phys. Lett., 42:3 (2016), 313–316 |
7
|
|
2015 |
85. |
И. А. Аверин, А. А. Карманов, В. А. Мошников, И. А. Пронин, С. Е. Игошина, А. П. Сигаев, Е. И. Теруков, “Корреляционные зависимости в инфракрасных спектрах наноструктур на основе смешанных оксидов”, Физика твердого тела, 57:12 (2015), 2304–2312 ; I. A. Averin, A. A. Karmanov, V. A. Moshnikov, I. A. Pronin, S. E. Igoshina, A. P. Sigaev, E. I. Terukov, “Correlations in infrared spectra of nanostructures based on mixed oxides”, Phys. Solid State, 57:12 (2015), 2373–2381 |
86. |
А. В. Марченко, Д. В. Жилина, К. У. Бобохужаев, А. В. Николаева, Е. И. Теруков, П. П. Серегин, “Электронный обмен между примесными центрами олова в халькогенидах свинца”, Физика твердого тела, 57:10 (2015), 1928–1933 ; A. V. Marchenko, D. V. Zhilina, K. U. Bobokhuzhaev, A. V. Nikolaeva, E. I. Terukov, P. P. Seregin, “Electron exchange between impurity centers of tin in lead chalcogenides”, Phys. Solid State, 57:10 (2015), 1978–1983 |
2
|
87. |
М. Е. Компан, В. А. Климов, С. Е. Никитин, Ф. М. Компан, В. Г. Гоффман, Е. И. Теруков, “Низкочастотный импеданс в тонких пленках вблизи фазового перехода металл–полупроводник”, Физика твердого тела, 57:9 (2015), 1859–1862 ; M. E. Kompan, V. A. Klimov, S. E. Nikitin, F. M. Kompan, V. G. Goffman, E. I. Terukov, “Low-frequency impedance in thin films near the metal-semiconductor phase transition”, Phys. Solid State, 57:9 (2015), 1908–1911 |
88. |
А. А. Бабаев, П. П. Хохлачев, Е. И. Теруков, Ю. А. Николаев, А. Б. Фрейдин, Р. А. Филиппов, А. К. Филиппов, “Температурная зависимость удельного сопротивления пленок композита на основе углеродных многостенных нанотрубок”, Физика твердого тела, 57:2 (2015), 404–407 ; A. A. Babaev, P. P. Khokhlachev, E. I. Terukov, Yu. A. Nikolaev, A. B. Freidin, R. A. Filippov, A. K. Philippov, “Temperature dependence of electrical resistivity of composite films based on multi-walled carbon nanotubes”, Phys. Solid State, 57:2 (2015), 424–427 |
13
|
89. |
В. А. Терехов, Е. В. Паринова, Э. П. Домашевская, А. С. Садчиков, Е. И. Теруков, Ю. К. Ундалов, Б. В. Сеньковский, С. Ю. Турищев, “Особенности электронного строения и фазового состава аморфных пленок композитов (SiO$_2$)$_x$($a$-Si:H)$_{x-1}$ по данным рентгеноспектральных исследований”, Письма в ЖТФ, 41:20 (2015), 82–88 ; V. A. Terekhov, E. V. Parinova, È. P. Domashevskaya, A. S. Sadchikov, E. I. Terukov, Yu. K. Undalov, B. V. Senkovskiy, S. Yu. Turishchev, “Peculiarities of the electronic structure and phase composition of amorphous (SiO$_2$)$_x$($a$-Si:H)$_{x-1}$ composite films according to X-ray spectroscopy data”, Tech. Phys. Lett., 41:10 (2015), 1010–1012 |
7
|
90. |
И. А. Пронин, И. А. Аверин, А. С. Божинова, А. Ц. Георгиева, Д. Ц. Димитров, А. А. Карманов, В. А. Мошников, К. И. Папазова, Е. И. Теруков, Н. Д. Якушова, “Термовольтаический эффект в оксиде цинка, неоднородно легированном примесями с переменной валентностью”, Письма в ЖТФ, 41:19 (2015), 22–28 ; I. A. Pronin, I. A. Averin, A. S. Bojinova, A. Ts. Georgieva, D. Ts. Dimitrov, A. A. Karmanov, V. A. Moshnikov, K. I. Papazova, E. I. Terukov, N. D. Yakushova, “The thermovoltaic effect in zinc oxide inhomogeneously doped with mixed-valence impurities”, Tech. Phys. Lett., 41:10 (2015), 930–932 |
21
|
91. |
А. В. Саченко, Ю. В. Крюченко, А. В. Бобыль, В. П. Костылев, Е. И. Теруков, Д. А. Богданов, И. Е. Панайотти, И. О. Соколовский, Д. Л. Орехов, “Анализ возможностей реализации высоких значений эффективности фотопреобразования в тандемных гетеропереходных тонкопленочных солнечных элементах”, Письма в ЖТФ, 41:10 (2015), 42–49 ; A. V. Sachenko, Yu. V. Kryuchenko, A. V. Bobyl', V. P. Kostylyov, E. I. Terukov, D. A. Bogdanov, I. E. Panaiotti, I. O. Sokolovskyi, D. L. Orekhov, “Analysis of the possibility of high-efficiency photovoltaic conversion in tandem heterojunction thin-layer solar cells”, Tech. Phys. Lett., 41:5 (2015), 482–485 |
5
|
92. |
Д. А. Богданов, А. В. Бобыль, Е. И. Теруков, В. Н. Вербицкий, “Исследование влияния спектральной чувствительности фотоэлектрических модулей на основе $c$-Si, $\alpha$-Si/$\mu c$-Si и условий эксплуатации на эффективность их работы”, Письма в ЖТФ, 41:3 (2015), 17–25 ; D. A. Bogdanov, A. V. Bobyl', E. I. Terukov, V. N. Verbitskii, “A study of the influence exerted by the spectral sensitivity of photoelectric units based on $c$-Si and $\alpha$-Si/$\mu c$-Si and by operating conditions on their working efficiency”, Tech. Phys. Lett., 41:2 (2015), 113–116 |
1
|
|
2013 |
93. |
А. В. Емельянов, Е. А. Константинова, П. А. Форш, А. Г. Казанский, М. В. Хенкин, Н. Н. Петрова, Е. И. Теруков, Д. А. Кириленко, Н. А. Берт, С. Г. Конников, П. К. Кашкаров, “Особенности структуры и дефектных состояний в пленках
гидрогенизированного полиморфного кремния”, Письма в ЖЭТФ, 97:8 (2013), 536–540 ; A. V. Emelyanov, E. A. Konstantinova, P. A. Forsh, A. G. Kazanskii, M. V. Khenkin, N. N. Petrova, E. I. Terukov, D. A. Kirilenko, N. A. Bert, S. G. Konnikov, P. K. Kashkarov, “Features of the structure and defect states in hydrogenated polymorphous silicon films”, JETP Letters, 97:8 (2013), 466–469 |
10
|
|
2011 |
94. |
О. Б. Гусев, Ю. С. Вайнштейн, Ю. К. Ундалов, О. С. Ельцина, И. Н. Трапезникова, Е. И. Теруков, О. М. Сресели, “Люминесценция аморфных нанокластеров кремния”, Письма в ЖЭТФ, 94:5 (2011), 402–405 ; O. B. Gusev, J. S. Vainshtein, Yu. K. Undalov, O. S. Yeltsina, I. N. Trapeznikova, E. I. Terukov, O. M. Sreseli, “Luminescence of amorphous silicon nanoclusters”, JETP Letters, 94:5 (2011), 370–373 |
7
|
95. |
О. Б. Гусев, А. А. Прокофьев, О. А. Маслова, Е. И. Теруков, И. Н. Яссиевич, “Передача энергии между нанокристаллами кремния”, Письма в ЖЭТФ, 93:3 (2011), 162–165 ; O. B. Gusev, A. A. Prokofiev, O. A. Maslova, E. I. Terukov, I. N. Yassievich, “Energy transfer between silicon nanocrystals”, JETP Letters, 93:3 (2011), 147–150 |
18
|
|
1992 |
96. |
О. И. Коньков, И. Н. Трапезникова, М. П. Власенко, Е. И. Теруков, Г. Н. Виолина, “Влияние температурного отжига на свойства пленок $\alpha$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H (${0<x\leqslant1}$)”, Физика твердого тела, 34:1 (1992), 326–328 |
|
1991 |
97. |
Ж. Атаев, В. А. Васильев, А. С. Волков, М. Е. Кумеков, Е. И. Теруков, И. В. Шведков, “Фотоэлектрические свойства пленок $a$-Si : H и структур
на их основе в УФ области спектра”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991), 1350–1354 |
98. |
Ж. Атаев, В. А. Васильев, А. С. Волков, М. Кумеков, Е. И. Теруков, И. В. Шведков, “Фотопроводимость и ударная ионизация в пленках $a$-Si : H
в УФ области спектра”, Письма в ЖТФ, 17:3 (1991), 81–84 |
|
1990 |
99. |
В. А. Васильев, А. С. Волков, Е. Мусабеков, Е. И. Теруков, С. В. Чернышов, “Антистоксовское излучение аморфных пленок углерода $\alpha$-C : H”, Физика твердого тела, 32:3 (1990), 784–788 |
100. |
В. А. Васильев, А. С. Волков, Е. Мусабеков, Е. И. Теруков, В. Е. Челноков, С. В. Чернышев, Ю. М. Шерняков, “Фотолюминесценция аморфных пленок $a$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H”, Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990), 710–716 |
101. |
Ж. Атаев, В. А. Васильев, А. С. Волков, О. И. Коньков, Е. И. Теруков, “Влияние технологии приготовления пленок $a$-Si : H на излучательную
рекомбинацию”, Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990), 488–491 |
102. |
Ж. Атаев, В. А. Васильев, А. С. Волков, М. М. Мездрогина, Е. И. Теруков, “Фоточувствительность $p{-}i{-}n$ структур и структур с барьером
Шоттки на основе $a$-Si : H в области УФ излучения”, Письма в ЖТФ, 16:1 (1990), 47–50 |
|
1988 |
103. |
З. Болд, А. Г. Казанский, И. В. Климашин, Е. П. Миличевич, Е. И. Теруков, “Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости
в аморфном гидрогенизированном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988), 2173–2176 |
104. |
А. А. Бабаев, Е. И. Теруков, И. В. Шведков, “О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП
и $a$-Si : H”, Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988), 927–929 |
105. |
В. А. Васильев, А. С. Волков, Е. Мусабеков, Е. И. Теруков, “Особенности фотолюминесценции пленок аморфного гидрогенизированного
углерода ($a$-C : H)”, Письма в ЖТФ, 14:18 (1988), 1675–1680 |
|
1987 |
106. |
Е. И. Теруков, В. А. Гусев, “Фотоиндуцированный эффект в приконтактной области планарного
световода с пленкой аморфного гидрированного кремния”, ЖТФ, 57:10 (1987), 1978–1980 |
107. |
Е. И. Теруков, А. А. Бабаев, М. А. Абдуллаев, П. А. Андреев, “Фотолюминесценция многослойной
$n{-}p{-}n{-}p$-структуры на основе аморфного гидрированного кремния”, Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987), 926–928 |
108. |
В. М. Абусев, Е. И. Кухарева, Е. И. Леонов, А. А. Липовский, Е. И. Теруков, “Электрооптическая керровская модуляция света в структуре стеклянный волновод–покровный слой $a-Si:H$”, Письма в ЖТФ, 13:12 (1987), 705–709 |
|
1986 |
109. |
Е. И. Теруков, Г. Мелл, О. И. Коньков, А. А. Андреев, “Уточнение метода постоянного фототока для определения плотности
локализованных состояний в $a$-Si : H”, Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986), 2106–2108 |
|
1985 |
110. |
К. Х. Ходжаев, К. П. Абдурахманов, Ю. Я. Амиров, Г. С. Куликов, Е. И. Теруков, Д. П. Уткин-Эдин, “Растворимость олова в аморфном гидрированном кремнии, легированном
фосфором”, Физика и техника полупроводников, 19:12 (1985), 2219–2220 |
111. |
К. Х. Ходжаев, К. П. Абдурахманов, Ю. Я. Амиров, В. А. Дидик, Г. С. Куликов, Е. И. Теруков, Д. П. Уткин-Эдин, “Диффузия олова в аморфном гидрированном кремнии, легированном
фосфором”, Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985), 1182–1185 |
112. |
В. О. Абрамов, Г. С. Куликов, Е. И. Теруков, К. Х. Ходжаев, “Низкотемпературная диффузия платины в пленках
$a$-Si : Н”, Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985), 358–360 |
113. |
А. А. Андреев, К. В. Смирнов, Е. И. Теруков, А. Б. Шерман, “Акустоэлектронное взаимодействие в слоистой структуре $Li\,Nb\,O_3-a-Si:H$”, Письма в ЖТФ, 11:20 (1985), 1248–1251 |
114. |
В. А. Гусев, Е. И. Теруков, Е. И. Леонов, А. А. Андреев, “Изготовление и исследование тонкопленочного волноводного фотодиода с барьером Шоттки на основе аморфного кремния”, Письма в ЖТФ, 11:13 (1985), 813–816 |
115. |
А. А. Андреев, В. О. Абрамов, А. И. Косарев, М. М. Мездрогина, Е. И. Теруков, Н. А. Феоктистов, В. Ю. Флоринский, “О влиянии температурного отжига на характеристики солнечных элементов с барьером Шоттки на основе аморфного гидрированного кремния”, Письма в ЖТФ, 11:1 (1985), 28–31 |
|
1984 |
116. |
О. И. Коньков, А. А. Андреев, Е. И. Теруков, “Определение плотности состояний в запрещенной зоне аморфного
гидрированного кремния”, Письма в ЖТФ, 10:9 (1984), 529–532 |
|
1983 |
117. |
А. А. Андреев, Б. И. Гильман, Н. А. Феоктистов, В. Ю. Флоринский, Е. И. Теруков, “Особенности спектральной чувствительности барьеров Шоттки
на гидрированном аморфном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983), 1869–1871 |
|
|
|
2021 |
118. |
А. М. Сергеев, Ю. Ю. Балега, И. А. Щербаков, Е. Б. Александров, В. М. Андреев, А. Л. Асеев, А. М. Быков, И. В. Грехов, В. В. Гусаров, А. В. Двуреченский, А. В. Иванчик, Е. Л. Ивченко, Н. Н. Казанский, А. А. Каплянский, В. В. Кведер, Н. Н. Колачевский, С. Г. Конников, П. С. Копьев, З. Ф. Красильник, А. Г. Литвак, С. В. Медведев, Ю. В. Наточин, В. Н. Пармон, Э. Е. Сон, Р. А. Сурис, В. Б. Тимофеев, В. В. Устинов, В. М. Устинов, С. В. Иванов, А. Н. Алешин, М. В. Архипов, П. Н. Брунков, А. И. Вейнгер, А. К. Вершовский, Е. А. Волкова, С. А. Гуревич, В. К. Гусев, В. А. Дергачев, А. Г. Дерягин, О. В. Дудник, В. В. Жданов, Н. Л. Истомина, А. М. Калашникова, Е. С. Корнилова, Е. В. Кустова, А.А. Лебедев, Е.В. Липатова, А. В. Нащекин, Р. В. Парфеньев, М. П. Петров, Г. В. Скорняков, Е. М. Смирнов, Г. С. Соколовский, А. В. Соломонов, М. Г. Сушкова, Е. И. Теруков, Е. А. Чабан, О. Л. Чагунава, А. П. Шергин, Е. В. Шестопалова, М. Л. Шматов, А. А. Шмидт, В. Л. Шубин, “Андрей Георгиевич Забродский, к 75-летию со дня рождения”, ЖТФ, 91:6 (2021), 893–894 |
|