|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
А. С. Иванов, Д. Г. Павельев, С. В. Оболенский, Е. С. Оболенская, “Радиационная стойкость источника субтерагерцового излучения после нейтронного воздействия”, Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022), 770–773   |
|
2021 |
| 2. |
А. С. Иванов, Д. Г. Павельев, С. В. Оболенский, Е. С. Оболенская, “Радиационная стойкость источника субтерагерцового излучения из гетеродина на генераторе на диоде Ганна и умножителя на полупроводниковой сверхрешетке”, ЖТФ, 91:10 (2021), 1501–1503 |
|
2020 |
| 3. |
Д. И. Дюков, А. Г. Фефелов, А. В. Коротков, Д. Г. Павельев, В. А. Козлов, Е. С. Оболенская, А. С. Иванов, С. В. Оболенский, “Сравнение эффективности перспективных гетероструктурных умножительных диодов терагерцового диапазона частот”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1158–1162 ; D. I. Dyukov, A. G. Fefelov, A. V. Korotkov, D. G. Pavel'ev, V. A. Kozlov, E. S. Obolenskaya, A. S. Ivanov, S. V. Obolensky, “Comparison of the efficiency of promising heterostructure frequency-multiplier diodes of the THz-frequency range”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1360–1364 |
2
|
|
2019 |
| 4. |
Е. С. Оболенская, А. С. Иванов, Д. Г. Павельев, В. А. Козлов, А. П. Васильев, “Сравнение особенностей транспорта электронов и субтетрагерцовой генерации в диодах на основе 6-, 18-, 30-, 70- и 120-периодных сверхрешеток GaAs/AlAs”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1218–1223 ; E. S. Obolenskaya, A. S. Ivanov, D. G. Pavel'ev, V. A. Kozlov, A. P. Vasil'ev, “Comparison of the features of electron transport and subterahertz generation in diodes based on 6-, 18-, 70-, and 120-period GaAs/AlAs superlattices”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1192–1197 |
2
|
|
2018 |
| 5. |
Д. Г. Павельев, А. П. Васильев, В. А. Козлов, Е. С. Оболенская, “Радиационная стойкость терагерцовых диодов на основе GaAs/AlAs-сверхрешеток”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1337–1345 ; D. G. Pavel'ev, A. P. Vasil'ev, V. A. Kozlov, E. S. Obolenskaya, “Radiation resistance of terahertz diodes based on GaAs/AlAs superlattices”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1448–1456 |
1
|
|
2017 |
| 6. |
Д. Г. Павельев, А. П. Васильев, В. А. Козлов, Е. С. Оболенская, С. В. Оболенский, В. М. Устинов, “Оптимизация параметров сверхрешетки для диодов терагерцового диапазона частот”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1493–1497 ; D. G. Pavel'ev, A. P. Vasil'ev, V. A. Kozlov, E. S. Obolenskaya, S. V. Obolensky, V. M. Ustinov, “Optimization of the superlattice parameters for THz diodes”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1439–1443 |
3
|
|
2016 |
| 7. |
Д. Г. Павельев, А. П. Васильев, В. А. Козлов, Ю. И. Кошуринов, Е. С. Оболенская, С. В. Оболенский, В. М. Устинов, “Моделирование транспорта электронов в малопериодных GaAs/AlAs сверхрешетках для терагерцового диапазона частот”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1548–1553 ; D. G. Pavel'ev, A. P. Vasil'ev, V. A. Kozlov, Yu. I. Koschurinov, E. S. Obolenskaya, S. V. Obolensky, V. M. Ustinov, “Simulation of electron transport in GaAs/AlAs superlattices with a small number of periods for the THz frequency range”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1526–1531 |
3
|
|
2015 |
| 8. |
А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, Е. В. Волкова, Д. Г. Павельев, “Высокочастотное детектирование процессов формирования и стабилизации кластера радиационных дефектов в полупроводниковых структурах”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015), 1585–1592 ; A. S. Puzanov, S. V. Obolensky, V. A. Kozlov, E. V. Volkova, D. G. Pavel'ev, “High-frequency detection of the formation and stabilization of a radiation-induced defect cluster in semiconductor structures”, Semiconductors, 49:12 (2015), 1537–1544 |
4
|
|
2012 |
| 9. |
И. В. Пентин, А. В. Смирнов, С. А. Рябчун, Р. В. Ожегов, Г. Н. Гольцман, В. Л. Вакс, С. И. Приползин, Д. Г. Павельев, Ю. И. Кошуринов, А. С. Иванов, “Полупроводниковая сверхрешетка – твердотельный терагерцовый гетеродинный источник для электронно-разогревного NbN-смесителя”, ЖТФ, 82:7 (2012), 75–78 ; I. V. Pentin, A. V. Smirnov, S. A. Ryabchun, R. V. Ozhegov, G. N. Gol'tsman, V. L. Vaks, S. I. Pripolzin, D. G. Pavel'ev, Yu. I. Koschurinov, A. S. Ivanov, “Semiconducting superlattice as a solid-state terahertz local oscillator for NbN hot-electron bolometer mixers”, Tech. Phys., 57:7 (2012), 971–974 |
| 10. |
Д. Г. Павельев, Ю. И. Кошуринов, А. С. Иванов, А. Н. Панин, В. Л. Вакс, В. И. Гавриленко, А. В. Антонов, В. М. Устинов, А. Е. Жуков, “Экспериментальное исследование умножителей частоты на полупроводниковых сверхрешетках в терагерцовом диапазоне частот”, Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012), 125–129 ; D. G. Pavel'ev, Yu. I. Koschurinov, A. S. Ivanov, A. N. Panin, V. L. Vaks, V. I. Gavrilenko, A. V. Antonov, V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, “Experimental study of frequency multipliers based on a GaAs/AlAs semiconductor superlattices in the terahertz frequency range”, Semiconductors, 46:1 (2012), 121–125 |
45
|
|
