|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
E. Z. Imamov, R. A. Muminov, Kh. N. Karimov, A. E. Imamov, “Study of electrophysical properties of a solar cell with nano-hetera junctions on a non-crystalline silicon substrate”, Comp. nanotechnol., 12:3 (2025), 191–202  |
|
2023 |
| 2. |
M. A. Askarov, E. Z. Imamov, R. A. Muminov, “Electrophysical properties of a solar cell with non-traditional contact structures”, Comp. nanotechnol., 10:4 (2023), 110–121 |
1
|
| 3. |
R. A. Muminov, E. Z. Imamov, R. Kh. Rakhimov, M. A. Askarov, “Factors of efficient generation of electricity in a solar cell with nanohetero junctions”, Comp. nanotechnol., 10:1 (2023), 119–127 ; Computational nanotechnology, 2023, no. 1, 119–122 |
|
2022 |
| 4. |
Э. З. Имамов, Р. А. Муминов, Р. Х. Рахимов, Х. Н. Каримов, М. А. Аскаров, “Моделирование электрических свойств солнечного элемента с многими наногетеро-переходами”, Comp. nanotechnol., 9:4 (2022), 70–77 |
|
2021 |
| 5. |
Э. З. Имамов, Р. А. Муминов, Р. Х. Рахимов, “Анализ эффективности солнечного элемента с наноразмерными гетеропереходами”, Comp. nanotechnol., 8:4 (2021), 42–50 |
5
|
|
2020 |
| 6. |
Э. З. Имамов, Р. А. Муминов, Р. Х. Рахимов, “Математическое моделирование оптимальных параметров атмосферного воздействия на свойства солнечного модуля”, Comp. nanotechnol., 7:2 (2020), 58–63 |
2
|
|
2018 |
| 7. |
T. A. Djalalov, E. Z. Imamov, R. A. Muminov, H. Sabirov, Sh. Sh. Atoev, “Solar elements based on noncrystallic silicon with nanostructured impacts”, Comp. nanotechnol., 2018, № 3, 85–90 |
| 8. |
Т. А. Джалалов, Э. З. Имамов, Р. А. Муминов, Р. Х. Рахимов, “Расширение спектра эффективного поглощения солнечных элементов с нановключениями”, Comp. nanotechnol., 2018, № 1, 155–157  |
|
2017 |
| 9. |
Т. А. Джалалов, Э. З. Имамов, Р. А. Муминов, Р. Х. Рахимов, “Анализ роли нанообъектов в удешевлении кремниевых солнечных элементов”, Comp. nanotechnol., 2017, № 3, 14–17 |
| 10. |
E. Z. Imamov, T. A. Djalalov, R. A. Muminov, R. Kh. Rakhimov, “Unique opportunity to create cheap but effective silicon solar cells”, Comp. nanotechnol., 2017, № 1, 61–64 |
| 11. |
Э. З. Имамов, Т. А. Джалалов, Р. А. Муминов, Р. Х. Рахимов, “Уникальная возможность создания дешевого, но эффективного кремниевого солнечного элемента”, Comp. nanotechnol., 2017, № 1, 56–60 |
|
2016 |
| 12. |
E. Z. Imamov, T. A. Djalalov, R. A. Muminov, R. Kh. Rakhimov, “The difference between the contact structure with nanosize inclusions from the semiconductor photodiodes”, Comp. nanotechnol., 2016, № 3, 203–207 |
2
|
| 13. |
Э. З. Имамов, Т. А. Джалалов, Р. А. Муминов, Р. Х. Рахимов, “Отличительные особенности контактных структур с наноразмерными включениями полупроводниковых фотодиодов”, Comp. nanotechnol., 2016, № 3, 196–202 |
3
|
|
2015 |
| 14. |
Э. З. Имамов, Т. А. Джалалов, Р. А. Муминов, Р. Х. Рахимов, “Теоретическая модель новой контактной структуры «нанообъект-полупроводник»”, Comp. nanotechnol., 2015, № 4, 51–63 |
4
|
| 15. |
Э. З. Имамов, Т. А. Джалалов, Р. А. Муминов, “Электрофизические свойства новой контактной структуры “нанообъект–полупроводник””, ЖТФ, 85:5 (2015), 110–115 ; E. Z. Imamov, T. A. Djalalov, R. A. Muminov, “Electrophysical properties of the “nano-object-semiconductor” new contact structure”, Tech. Phys., 60:5 (2015), 740–745 |
3
|
|
1991 |
| 16. |
А. А. Пахомов, Э. З. Имамов, “Об идентификации симметрии глубокого уровня по спектральной зависимости сечения фотоионизации”, Физика твердого тела, 33:3 (1991), 817–819  |
| 17. |
А. А. Пахомов, А. Ф. Полупанов, В. И. Галиев, Э. З. Имамов, “Влияние заряда глубокого центра на оптические переходы в валентную зону II. Сравнение с экспериментом”, Физика твердого тела, 33:3 (1991), 730–734 |
|
1990 |
| 18. |
А. П. Дмитриев, Э. З. Имамов, И. Н. Яссиевич, “Резонанс Фано эффекта увлечения электронов фотонами
в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990), 2193–2197 |
|
1989 |
| 19. |
Э. З. Имамов, О. В. Курносова, А. А. Пахомов, “Многофононная рекомбинация через глубокие примесные центры в непрямозонных полупроводниках”, Физика твердого тела, 31:3 (1989), 211–217 |
| 20. |
Н. С. Аверкиев, Е. Д. Белорусец, Э. З. Имамов, Ю. Т. Ребане, “Энергетический спектр многозарядных примесных центров в кубических
полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989), 1193–1198 |
|
1986 |
| 21. |
Э. З. Имамов, Ю. Т. Ребане, “Эффект увлечения дырок светом при фотоионизации глубоких акцепторов
в кубических полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 726–729 |
|
1985 |
| 22. |
Э. З. Имамов, Н. М. Колчанова, И. Н. Яссиевич, “Учет возмущения волновых функций непрерывного спектра в примесном поглощении”, Физика твердого тела, 27:5 (1985), 1492–1498 |
| 23. |
Э. З. Имамов, Н. М. Колчанова, Л. Н. Крещук, И. Н. Яссиевич, “Роль рассеяния на мелких нейтральных центрах в кинетических явлениях при низкой температуре”, Физика твердого тела, 27:1 (1985), 69–76 |
|
1984 |
| 24. |
Э. З. Имамов, Н. М. Колчанова, И. Д. Логинова, И. Н. Яссиевич, “Сечение фотоионизации для переходов $h$-центр–зона проводимости”, Физика твердого тела, 26:6 (1984), 1877–1879 |
| 25. |
Э. З. Имамов, В. Д. Кревчик, “Ток увлечения электронов при двухфотонной ионизации глубоких
примесных центров в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984), 1417–1421 |
|
1983 |
| 26. |
В. Д. Кревчик, Э. З. Имамов, “Особенности поглощения света глубокими примесными центрами в тонких
полупроводниковых слоях”, Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983), 1235–1241 |
|
Обратная связь: