|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
И. В. Коробейников, Н. В. Морозова, Л. Н. Лукьянова, О. А. Усов, С. В. Овсянников, “Фактор мощности твердых растворов на основе теллурида висмута в области топологических фазовых переходов при высоких давлениях”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 741–745   ; I. Korobeynikov, N. V. Morozova, L. N. Luk'yanova, O. A. Usov, S. V. Ovsyannikov, “On the power factor of bismuth-telluride-based alloys near topological phase transitions at high pressures”, Semiconductors, 53:6 (2019), 732–736 |
10
|
|
2007 |
| 2. |
Д. П. Козленко, С. В. Овсянников, В. В. Щенников, В. И. Воронин, Б. Н. Савенко, “Термоэлектрические свойства манганита La$_{0.75}$Ca$_{0.25}$MnO$_3$ при сверхвысоких давлениях до 20 ГПа”, Письма в ЖЭТФ, 85:4 (2007), 242–246 ; D. P. Kozlenko, S. V. Ovsyannikov, V. V. Shchennikov, V. I. Voronin, B. N. Savenko, “Thermoelectric properties of La$_{0.75}$Ca$_{0.25}$MnO$_3$ manganite at ultrahigh pressures up to 20 GPa”, JETP Letters, 85:4 (2007), 203–207   |
3
|
|
2006 |
| 3. |
В. В. Щенников, С. В. Овсянников, “Особенности перехода полупроводник – метал в GaAs при сверхвысоком давлении: новые промежуточные фазы”, Письма в ЖЭТФ, 84:1 (2006), 23–28 ; V. V. Shchennikov, S. V. Ovsyannikov, “Features of the semiconductor-metal transition in GaAs at ultrahigh pressures: New intermediate phases”, JETP Letters, 84:1 (2006), 21–26 |
10
|
| 4. |
В. В. Щенников, С. В. Овсянников, А. Ю. Манаков, А. Ю. Лихачева, А. И. Анчаров, И. Ф. Бергер, М. А. Шеромов, “Структура промежуточных фаз высокого давления тройных теллуридов свинца”, Письма в ЖЭТФ, 83:6 (2006), 271–276 ; V. V. Shchennikov, S. V. Ovsyannikov, A. Yu. Manakov, A. Yu. Likhacheva, A. I. Ancharov, I. F. Berger, M. A. Sheromov, “Structure of the intermediate high-pressure phases of ternary lead tellurides”, JETP Letters, 83:6 (2006), 228–232 |
20
|
|
2005 |
| 5. |
С. В. Овсянников, В. В. Щенников, Б. Н. Гощицкий, “Термоэлектрические исследования фазовых превращений в церии при сверхвысоком давлении от $0$ до $20$ ГПа”, Письма в ЖЭТФ, 81:4 (2005), 203–206 ; S. V. Ovsyannikov, V. V. Shchennikov, B. N. Goshchitskii, “Thermoelectric study of the phase transitions in cerium at ultrahigh pressures from $0$ to $20$ GPa”, JETP Letters, 81:4 (2005), 167–170 |
17
|
|
2004 |
| 6. |
С. В. Овсянников, В. В. Щенников, A. Мисюк, “Термоэлектрические свойства фаз высокого давления кремния”, Письма в ЖЭТФ, 80:6 (2004), 459–463 ; S. V. Ovsyannikov, V. V. Shchennikov, A. Misiuk, “Thermoelectric properties of high-pressure silicon phases”, JETP Letters, 80:6 (2004), 405–409 |
13
|
| 7. |
С. В. Овсянников, В. В. Щенников, “Термоэлектрические свойства тригональной и орторомбической модификаций теллурида цинка”, Письма в ЖЭТФ, 80:1 (2004), 41–44 ; S. V. Ovsyannikov, V. V. Shchennikov, “Thermoelectric properties of the trigonal and orthorhombic modifications of zinc telluride”, JETP Letters, 80:1 (2004), 35–38 |
11
|
|
2003 |
| 8. |
В. В. Щенников, С. В. Овсянников, “Термо- и гальваномагнитные свойства халькогенидов свинца при высоком давлении до 20 ГПа”, Письма в ЖЭТФ, 77:2 (2003), 93–98 ; V. V. Shchennikov, S. V. Ovsyannikov, “Thermo-and galvanomagnetic properties of lead chalcogenides at high pressures up to 20 GPa”, JETP Letters, 77:2 (2003), 88–93 |
16
|
|
2001 |
| 9. |
В. В. Щенников, С. В. Овсянников, “Термоэлектрические и гальваномагнитные свойства халькогенов (Te, Se) при высоком давлении до $30$ ГПа”, Письма в ЖЭТФ, 74:10 (2001), 546–550 ; V. V. Shchennikov, S. V. Ovsyannikov, “Thermoelectric and galvanomagnetic properties of chalcogens (Te, Se) at high pressures up to $30$ GPa”, JETP Letters, 74:10 (2001), 486–490 |
10
|
|
