|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2026 |
| 1. |
Д. И. Курицын, С. В. Морозов, Л. В. Гавриленко, В. И. Гавриленко, А. А. Дубинов, В. В. Румянцев, Р. А. Хабибуллин, Г. С. Соколовский, “Коллимирующая оптическая система из полиметилпентена для квантово-каскадного лазера терагерцевого диапазона”, Письма в ЖТФ, 52:7 (2026), 44–47   |
|
2022 |
| 2. |
М. А. Калинников, Д. Н. Лобанов, К. Е. Кудрявцев, Б. А. Андреев, П. А. Юнин, Л. В. Красильникова, А. В. Новиков, Е. В. Скороходов, З. Ф. Красильник, “Формирование методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота гетероструктур с множественными квантовыми ямами InN/InGaN на сапфире”, Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022), 848–854 |
| 3. |
Б. А. Андреев, Д. Н. Лобанов, Л. В. Красильникова, К. Е. Кудрявцев, А. В. Новиков, П. А. Юнин, М. А. Калинников, Е. В. Скороходов, З. Ф. Красильник, “Формирование слоев InGaN средних составов методом МПЭ ПА для лазерных источников красного и ИК диапазона”, Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022), 700–704 |
1
|
|
2017 |
| 4. |
В. Я. Алешкин, Л. В. Гавриленко, “Каскадный захват электронов на заряженные диполи в слабо компенсированных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1498–1502 ; V. Ya. Aleshkin, L. V. Gavrilenko, “On the cascade capture of electrons at charged dipoles in weakly compensated semiconductors”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1444–1448 |
2
|
|
2016 |
| 5. |
В. Я. Алешкин, Л. В. Гавриленко, Д. М. Гапонова, З. Ф. Красильник, Д. И. Крыжков, “Процессы переноса экситонных возбуждений и релаксация в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1720–1724 ; V. Ya. Aleshkin, L. V. Gavrilenko, D. M. Gaponova, Z. F. Krasil'nik, D. I. Kryzhkov, “The exciton excitations and relaxation processes in low-dimensional semiconductor heterostructures with quantum wells”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1691–1695 |
|
2015 |
| 6. |
Д. И. Курицын, С. М. Сергеев, Л. В. Гавриленко, Д. М. Гапонова, З. Ф. Красильник, “Многофункциональная установка для измерения резонансных оптических откликов полупроводниковых структур в видимом и ближнем ИК-диапазонах с субпикосекундным временным разрешением”, ЖТФ, 85:3 (2015), 124–128 ; D. I. Kuritsyn, S. M. Sergeev, L. V. Gavrilenko, D. M. Gaponova, Z. F. Krasil'nik, “Multifunction setup for the measurement of resonant optical responses of semiconductor structures in the visible and IR spectral ranges with subpicosecond time resolution”, Tech. Phys., 60:3 (2015), 442–446 |
|
2014 |
| 7. |
В. Я. Алешкин, Л. В. Гавриленко, “Влияние ближнего поля на спектр поглощения примесей в кристаллах”, Письма в ЖЭТФ, 99:12 (2014), 824–826 ; V. Ya. Aleshkin, L. V. Gavrilenko, “Near-field effect in the absorption spectrum of impurities in crystals”, JETP Letters, 99:12 (2014), 712–714   |
|
2012 |
| 8. |
В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, Л. В. Гавриленко, З. Ф. Красильник, Д. И. Курицын, Д. И. Крыжков, С. В. Морозов, “Пикосекундная динамика фотолюминесценции гетероструктуры InGaAs/GaAs с квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012), 940–943 ; V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, L. V. Gavrilenko, Z. F. Krasil'nik, D. I. Kuritsyn, D. I. Kryzhkov, S. V. Morozov, “Picosecond photoluminescence dynamics in an InGaAs/GaAs quantum-well heterostructure”, Semiconductors, 46:7 (2012), 917–920 |
5
|
|
2011 |
| 9. |
В. Я. Алешкин, Л. В. Гавриленко, Д. М. Гапонова, З. Ф. Красильник, Д. И. Крыжков, Д. И. Курицын, С. М. Сергеев, В. Г. Лысенко, “Ближнепольный механизм возбуждения фотолюминесценции в гетероструктуре
с квантовыми ямами”, Письма в ЖЭТФ, 94:11 (2011), 890–894 ; V. Ya. Aleshkin, L. V. Gavrilenko, D. M. Gaponova, Z. F. Krasil'nik, D. I. Kryzhkov, D. I. Kuritsyn, S. M. Sergeev, V. G. Lyssenko, “Near-field mechanism of photoluminescence excitation in quantum well heterostructures”, JETP Letters, 94:11 (2011), 811–815 |
2
|
| 10. |
В. Я. Алешкин, Л. В. Гавриленко, Д. М. Гапонова, З. Ф. Красильник, Д. И. Крыжков, Д. И. Курицын, С. М. Сергеев, В. Г. Лысенко, C. B. Sorensen, “Оптическое детектирование электрического поля в $n{-}i{-}n$ GaAs/AlGaAs-гетероструктуре с двойными квантовыми ямами”, Письма в ЖЭТФ, 93:7 (2011), 437–441 ; V. Ya. Aleshkin, L. V. Gavrilenko, D. M. Gaponova, Z. F. Krasil'nik, D. I. Kryzhkov, D. I. Kuritsyn, S. M. Sergeev, V. G. Lyssenko, C. B. Sorensen, “Optical detection of an electric field in a GaAs/AlGaAs $n{-}i{-}n$ heterostructure with double quantum wells”, JETP Letters, 93:7 (2011), 394–398 |
|
2010 |
| 11. |
Л. В. Красильникова, А. Н. Яблонский, М. В. Степихова, Ю. Н. Дроздов, В. Г. Шенгуров, З. Ф. Красильник, “Особенности спектров возбуждения и кинетики фотолюминесценции структур Si$_{1-x}$Ge$_x$:Er/Si с релаксированным гетерослоем”, Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010), 1527–1532 ; L. V. Krasilnikova, A. N. Yablonskii, M. V. Stepikhova, Yu. N. Drozdov, V. G. Shengurov, Z. F. Krasil'nik, “Special features of the excitation spectra and kinetics of photoluminescence of the Si$_{1-x}$Ge$_x$:Er/Si structures with relaxed heterolayers”, Semiconductors, 44:11 (2010), 1480–1485 |
| 12. |
С. В. Морозов, К. В. Маремьянин, И. В. Ерофеева, А. Н. Яблонский, А. В. Антонов, Л. В. Гавриленко, В. В. Румянцев, В. И. Гавриленко, “Кинетика терагерцовой фотопроводимости в $p$-Ge в условиях примесного пробоя”, Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010), 1523–1526 ; S. V. Morozov, K. V. Marem'yanin, I. V. Erofeeva, A. N. Yablonskii, A. V. Antonov, L. V. Gavrilenko, V. V. Rumyantsev, V. I. Gavrilenko, “Kinetics of terahertz photoconductivity in $p$-Ge under impurity breakdown conditions”, Semiconductors, 44:11 (2010), 1476–1479 |
10
|
| 13. |
Д. А. Фирсов, В. А. Шалыгин, В. Ю. Паневин, Г. А. Мелентьев, А. Н. Софронов, Л. Е. Воробьёв, А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, В. С. Михрин, А. П. Васильев, А. Е. Жуков, Л. В. Гавриленко, В. И. Гавриленко, А. В. Антонов, В. Я. Алешкин, “Излучение и фотопроводимость в квантовых ямах GaAs/AlGaAs $n$-типа в терагерцовой области спектра: роль резонансных состояний”, Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010), 1443–1446 ; D. A. Firsov, V. A. Shalygin, V. Yu. Panevin, G. A. Melentev, A. N. Sofronov, L. E. Vorob'ev, A. V. Andrianov, A. O. Zahar'in, V. S. Mikhrin, A. P. Vasil'ev, A. E. Zhukov, L. V. Gavrilenko, V. I. Gavrilenko, A. V. Antonov, V. Ya. Aleshkin, “Terahertz emission and photoconductivity in $n$-type GaAs/AlGaAs quantum wells: the role of resonant impurity states”, Semiconductors, 44:11 (2010), 1394–1397 |
14
|
|
2008 |
| 14. |
В. Я. Алешкин, А. В. Антонов, В. И. Гавриленко, Л. В. Гавриленко, Б. Н. Звонков, “Резонанс Фано в спектре примесной фотопроводимости InP, легированного мелкими донорами”, Физика твердого тела, 50:7 (2008), 1162–1165 ; V. Ya. Aleshkin, A. V. Antonov, V. I. Gavrilenko, L. V. Gavrilenko, B. N. Zvonkov, “Fano resonance in the impurity photoconductivity spectrum of InP doped with shallow donors”, Phys. Solid State, 50:7 (2008), 1211–1214 |
3
|
| 15. |
В. Я. Алешкин, Л. В. Гавриленко, М. А. Одноблюдов, И. Н. Яссиевич, “Примесные резонансные состояния в полупроводниках. Обзор”, Физика и техника полупроводников, 42:8 (2008), 899–922 ; V. Ya. Aleshkin, L. V. Gavrilenko, M. A. Odnoblyudov, I. N. Yassievich, “Impurity resonance states in semiconductors”, Semiconductors, 42:8 (2008), 880–904 |
14
|
|
Обратная связь: