Научная биография: |
Ильевский, Артем Анатольевич.
Низкотемпературный транспорт в гетероструктурах на основе $p-GaAs/Al_{0.5}Ga_{0.5}As$ при комбинированном воздействии освещения и одноосного сжатия : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07. - Москва, 2006. - 123 с. : ил. |
|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2005 |
| 1. |
Н. Я. Минина, А. А. Ильевский, В. Краак, “Термоактивационная отрицательная фотопроводимость ниже $6$ К в гетероструктурах $p$-GaAs/Al$_{0.5}$Ga$_{0.5}$As; влияние одноосного сжатия”, Письма в ЖЭТФ, 82:10 (2005), 734–740  ; N. Ya. Minina, A. A. Il'evskii, W. Kraak, “Thermally activated negative photoconductivity below 6 K in p-GaAs/Al<sub>0.5</sub>Ga<sub>0.5</sub>As heterostructures and the effect of uniaxial compression”, JETP Letters, 82:10 (2005), 652–657   |
3
|
|
2004 |
| 2. |
В. Краак, А. М. Савин, Н. Я. Минина, А. А. Ильевский, А. В. Полянский, “Изменение энергетического спектра и магнитный пробой в системе 2D дырок на гетерогранице GaAs/Al$_{0.5}$Ga$_{0.5}$As при одноосном сжатии”, Письма в ЖЭТФ, 80:5 (2004), 398–402 ; W. Kraak, A. M. Savin, N. Ya. Minina, A. A. Il'evskii, A. V. Polyanskii, “Modification of the energy spectrum and magnetic breakdown in a system of 2D holes at the GaAs/Al<sub>0.5</sub> Ga<sub>0.5</sub>As heterojunction upon uniaxial compression”, JETP Letters, 80:5 (2004), 351–354 |
4
|
|
