|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
М. С. Каган, С. К. Папроцкий, Н. А. Хвальковский, И. В. Алтухов, Н. Б. Родионов, А. П. Большаков, В. Г. Ральченко, Р. А. Хмельницкий, “Особенности проводимости номинально нелегированного монокристаллического CVD алмаза”, Письма в ЖЭТФ, 121:3 (2025), 235–239  ; M. S. Kagan, S. K. Paprotskiy, N. A. Khvalkovskiy, I. V. Altukhov, N. B. Rodionov, A. P. Bol'shakov, V. G. Ral'chenko, R. A. Khmel'nitskiy, “Features of the conductivity of nominally undoped single-crystal CVD diamond”, JETP Letters, 121:3 (2025), 220–224 |
|
2018 |
| 2. |
I. V. Altukhov, S. E. Dizhur, M. S. Kagan, N. A. Khval'kovskiy, S. K. Paprotskiy, I. S. Vasil'evskii, A. N. Vinichenko, “Transport in short-period GaAs/AlAs superlattices with electric domains”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 472  ; Semiconductors, 52:4 (2018), 473–477 |
1
|
|
2016 |
| 3. |
И. В. Алтухов, С. Е. Дижур, М. С. Каган, С. К. Папроцкий, Н. А. Хвальковский, А. Д. Буравлев, А. П. Васильев, Ю. М. Задиранов, Н. Д. Ильинская, А. А. Усикова, В. М. Устинов, “Влияние ТГц-резонатора на проводимость короткопериодных сверхрешеток GaAs/AlAs”, Письма в ЖЭТФ, 103:2 (2016), 128–131 ; I. V. Altukhov, S. E. Dizhur, M. S. Kagan, S. K. Paprotskiy, N. A. Khval'kovskii, A. D. Buravlev, A. P. Vasil'ev, Yu. M. Zadiranov, N. D. Il'inskaya, A. A. Usikova, V. M. Ustinov, “Effect of a terahertz cavity on the conductivity of short-period GaAs/AlAs superlattices”, JETP Letters, 103:2 (2016), 122–124   |
19
|
|
2004 |
| 4. |
Я. Е. Покровский, Н. А. Хвальковский, “Резонансные состояния примеси галлия в одноосно сжатом германии”, Письма в ЖЭТФ, 80:5 (2004), 381–384 ; Ya. E. Pokrovskii, N. A. Khval'kovskii, “Resonance states of gallium impurity in uniaxially compressed germanium”, JETP Letters, 80:5 (2004), 335–338 |
2
|
| 5. |
Я. Е. Покровский, Н. А. Хвальковский, “Примесные пары и релаксация возбуждения в легированном кремнии”, Письма в ЖЭТФ, 79:12 (2004), 787–794 ; Ya. E. Pokrovskii, N. A. Khval'kovskii, “Impurity pairs and excitation relaxation in doped silicon”, JETP Letters, 79:12 (2004), 650–656 |
2
|
|
