|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
К. Ю. Голеницкий, А. М. Монахов, В. И. Санкин, “Расчет терагерцевого лазера в режиме блоховских осцилляций”, Письма в ЖТФ, 44:24 (2018), 67–74   ; K. Yu. Golenitskii, A. M. Monakhov, V. I. Sankin, “Simulation of a terahertz laser in the Bloch oscillation mode”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1150–1153 |
1
|
|
2015 |
| 2. |
В. И. Санкин, А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, А. Г. Петров, “Терагерцовая генерация, обусловленная новыми эффектами в естественной сверхрешетке 6H-SiC”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 249–253 ; V. I. Sankin, A. V. Andrianov, A. O. Zahar'in, A. G. Petrov, “Terahertz-emission generation caused by new effects in the 6H-SiC natural superlattice”, Semiconductors, 49:2 (2015), 242–246 |
4
|
|
2011 |
| 3. |
В. И. Санкин, А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, А. Г. Петров, “Терагерцовое излучение, вызванное ванье-штарковской локализацией электронов в естественной сверхрешетке карбида кремния”, Письма в ЖЭТФ, 94:5 (2011), 393–396 ; V. I. Sankin, A. V. Andrianov, A. O. Zahar'in, A. G. Petrov, “Terahertz radiation induced by the Wannier-Stark localization of electrons in a natural silicon carbide superlattice”, JETP Letters, 94:5 (2011), 362–365   |
10
|
|
2003 |
| 4. |
В. И. Санкин, П. П. Шкребий, Н. С. Савкина, Н. А. Кузнецов, “Новые эффекты ванье-штарковской локализации в естественной сверхрешетке 6Н-SiC”, Письма в ЖЭТФ, 77:1 (2003), 38–42 ; V. I. Sankin, P. P. Shkrebii, N. S. Savkina, N. A. Kuznetsov, “New Wannier-Stark localization effects in natural 6H-SiC superlattice”, JETP Letters, 77:1 (2003), 34–38 |
9
|
|
1992 |
| 5. |
Р. Г. Веренчикова, Ю. А. Водаков, Д. П. Литвин, Е. Н. Мохов, А. Д. Роенков, В. И. Санкин, “Ультрафиолетовые карбид-кремниевые фотоприемники”, Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992), 1008–1014 |
|
1991 |
| 6. |
В. А. Ващенко, Ю. А. Водаков, В. В. Гафийчук, Б. И. Дацко, Б. С. Кернер, Д. П. Литвин, В. В. Осипов, А. Д. Роенков, В. И. Санкин, “Образование и эволюция нитей лавинного тока в обратносмещенных
$p{-}n$-переходах на основе $6H$-SiC”, Физика и техника полупроводников, 25:7 (1991), 1209–1216 |
| 7. |
В. И. Санкин, А. В. Наумов, И. А. Столичнов, “Эффект Ванье$-$Штарка. Природа отрицательного дифференциального
сопротивления в 4H- и 6H-карбиде кремния”, Письма в ЖТФ, 17:23 (1991), 38–42 |
|
1990 |
| 8. |
В. И. Санкин, А. В. Наумов, “Эффект Ванье$-$Штарка и отрицательное дифференциальное сопротивление
в карбиде кремния”, Письма в ЖТФ, 16:7 (1990), 91–95 |
|
1989 |
| 9. |
А. В. Наумов, В. И. Санкин, “Время жизни неравновесных дырок в диодах на основе SiC”, Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989), 1009–1014 |
| 10. |
В. И. Санкин, А. В. Наумов, А. А. Вольфсон, М. Г. Рамм, Л. М. Смеркло, А. В. Суворов, “Инжекционно-пролетная структура
на основе карбида кремния”, Письма в ЖТФ, 15:24 (1989), 43–46 |
|
1988 |
| 11. |
Р. Г. Веренчикова, В. И. Санкин, “Влияние термического отжига на свойства барьеров Шоттки
Cr-SiC $n$- и $p$-типа электропроводности”, Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988), 1692–1695 |
| 12. |
Р. Г. Веренчикова, В. И. Санкин, “Поверхностно-барьерный диод Cr$-$SiC-фотодетектор УФ-излучения”, Письма в ЖТФ, 14:19 (1988), 1742–1746 |
|
1987 |
| 13. |
Д. П. Литвин, А. А. Мальцев, А. В. Наумов, А. Д. Роенков, В. И. Санкин, “$P^{+}-\pi-N^{+}$-структуры на основе карбида кремния с двойной инжекцией”, Письма в ЖТФ, 13:20 (1987), 1247–1251 |
| 14. |
Б. С. Кернер, Д. П. Литвин, В. И. Санкин, “Расслоение горячей электронно-дырочной плазмы в $\alpha$–$Si\,C$”, Письма в ЖТФ, 13:13 (1987), 819–823 |
|
1985 |
| 15. |
Ю. А. Водаков, Д. П. Литвин, В. И. Санкин, Е. Н. Мохов, А. Д. Роенков, “Ударная ионизация в политипах карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985), 814–818 |
|
1984 |
| 16. |
А. О. Константинов, В. Н. Кузьмин, Л. С. Лебедев, Д. П. Литвин, А. Г. Остроумов, В. И. Санкин, В. В. Семенов, “Влияние протонного облучения на электрические свойства карбида
кремния”, ЖТФ, 54:8 (1984), 1622–1624 |
| 17. |
В. И. Санкин, Ю. А. Водаков, Д. П. Литвин, “Исследование шума лавинного фотодиода на основе $6H$-карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984), 2146–2149 |
| 18. |
Ю. А. Водаков, Д. П. Литвин, В. И. Санкин, Е. Н. Мохов, А. Д. Роенков, “Особенности лавинного пробоя в $\alpha$-карбиде кремния — материале
с естественной сверхрешеткой”, Письма в ЖТФ, 10:5 (1984), 303–306 |
|
1983 |
| 19. |
Р. Г. Веренчикова, В. И. Санкин, Е. И. Радованова, “Влияние вакансии на формирование поверхностных барьеров политипов
SiC”, Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983), 1757–1760 |
| 20. |
А. П. Дмитриев, А. О. Константинов, Д. П. Литвин, В. И. Санкин, “Ударная ионизация и сверхрешетка в $6H$-SiC”, Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983), 1093–1098 |
|
Обратная связь: