|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
В. А. Соловьев, М. Ю. Чернов, А. А. Ситникова, П. Н. Брунков, Б. Я. Мельцер, С. В. Иванов, “Оптимизация структурных свойств и морфологии поверхности метаморфного буферного слоя In$_{x}$Al$_{1-x}$As с корневым профилем изменения состава ($x$ = 0.05–0.83), выращиваемого методом молекулярно-пучковой эпитаксии на GaAs (001)”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 127–132   ; V. A. Solov'ev, M. Yu. Chernov, A. A. Sitnikova, P. N. Brunkov, B. Ya. Mel'tser, S. V. Ivanov, “Optimization of the structural properties and surface morphology of a convex-graded In$_{x}$Al$_{1-x}$As ($x$ = 0.05–0.83) metamorphic buffer layer grown via MBE on GaAs (001)”, Semiconductors, 52:1 (2018), 120–125 |
8
|
|
2016 |
| 2. |
В. А. Соловьев, М. Ю. Чернов, Б. Я. Мельцер, А. Н. Семенов, Я. В. Терентьев, Д. Д. Фирсов, О. С. Комков, С. В. Иванов, “Метаморфные квантовые ямы InAs/InGaAs/InAlAs с субмонослойными вставками InSb, излучающие в среднем инфракрасном диапазоне”, Письма в ЖТФ, 42:20 (2016), 33–39 ; V. A. Solov'ev, M. Yu. Chernov, B. Ya. Mel'tser, A. N. Semenov, Ya. V. Terent'ev, D. D. Firsov, O. S. Komkov, S. V. Ivanov, “Metamorphic InAs/InGaAs/InAlAs quantum wells with submonolayer InSb insertions emitted in the mid-infrared spectral range”, Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1038–1040 |
9
|
|
2014 |
| 3. |
Т. А. Комиссарова, А. Н. Семенов, Б. Я. Мельцер, В. А. Соловьев, P. Paturi, Д. Л. Федоров, П. С. Копьев, С. В. Иванов, “Особенности электрофизических свойств гетероструктур InSb/AlInSb/AlSb с высокой концентрацией электронов в двумерном канале”, Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014), 352–357 ; T. A. Komissarova, A. N. Semenov, B. Ya. Mel'tser, V. A. Solov'ev, P. Paturi, D. L. Fedorov, P. S. Kop'ev, S. V. Ivanov, “Peculiarities of the electrophysical properties of InSb/AlInSb/AlSb heterostructures with a high electron concentration in the two-dimensional channel”, Semiconductors, 48:3 (2014), 338–343 |
|
2013 |
| 4. |
О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, А. Н. Семенов, Б. Я. Мельцер, С. И. Трошков, А. Н. Пихтин, С. В. Иванов, “Определение толщины и спектральной зависимости показателя преломления эпитаксиальных слоев Al$_x$In$_{1-x}$Sb из спектров отражения”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 258–263 ; O. S. Komkov, D. D. Firsov, A. N. Semenov, B. Ya. Mel'tser, S. I. Troshkov, A. N. Pikhtin, S. V. Ivanov, “Determination of the thickness and spectral dependence of the refractive index of Al$_x$In$_{1-x}$Sb epitaxial layers from reflectance spectra”, Semiconductors, 47:2 (2013), 292–297 |
9
|
|
2011 |
| 5. |
О. С. Комков, А. Н. Семенов, Д. Д. Фирсов, Б. Я. Мельцер, В. А. Соловьев, Т. В. Попова, А. Н. Пихтин, С. В. Иванов, “Оптические свойства эпитаксиальных слоев твердых растворов Al$_x$In$_{1-x}$Sb”, Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011), 1481–1485 ; O. S. Komkov, A. N. Semenov, D. D. Firsov, B. Ya. Mel'tser, V. A. Solov'ev, T. V. Popova, A. N. Pikhtin, S. V. Ivanov, “Optical Properties of Epitaxial Al$_x$In$_{1-x}$Sb Alloy Layers”, Semiconductors, 45:11 (2011), 1425–1429 |
10
|
| 6. |
А. Н. Семенов, Б. Я. Мельцер, В. А. Соловьев, Т. А. Комиссарова, А. А. Ситникова, Д. А. Кириленко, А. М. Надточий, Т. В. Попова, П. С. Копьев, С. В. Иванов, “Особенности молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства гетероструктур на основе AlInSb”, Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011), 1379–1385 ; A. N. Semenov, B. Ya. Mel'tser, V. A. Solov'ev, T. A. Komissarova, A. A. Sitnikova, D. A. Kirilenko, A. M. Nadtochiy, T. V. Popova, P. S. Kop'ev, S. V. Ivanov, “Features of molecular-beam epitaxy and structural properties of AlInSb-based heterostructures”, Semiconductors, 45:10 (2011), 1327–1333 |
11
|
|
2010 |
| 7. |
Я. В. Терентьев, М. С. Мухин, В. А. Соловьев, А. Н. Семенов, Б. Я. Мельцер, А. А. Усикова, С. В. Иванов, “Исследование механизмов фото- и электролюминесценции в квантово-размерных гетероструктурах InSb/InAs”, Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010), 1098–1103 ; Ya. V. Terent'ev, M. S. Mukhin, V. A. Solov'ev, A. N. Semenov, B. Ya. Mel'tser, A. A. Usikova, S. V. Ivanov, “Study of photoluminescence and electroluminescence mechanisms in quantum-confined InSb/InAs heterostructures”, Semiconductors, 44:8 (2010), 1064–1069 |
4
|
| 8. |
А. Н. Семенов, Я. В. Терентьев, Б. Я. Мельцер, В. А. Соловьев, Т. В. Попова, А. В. Нащекин, И. А. Андреев, Е. В. Куницына, А. А. Усикова, Ю. П. Яковлев, С. В. Иванов, “Молекулярно-пучковая эпитаксия термодинамически метастабильных твердых растворов GaInAsSb для фотодетекторов среднего ИК-диапазона”, Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010), 699–705 ; A. N. Semenov, Ya. V. Terent'ev, B. Ya. Mel'tser, V. A. Solov'ev, T. V. Popova, A. V. Nashchekin, I. A. Andreev, E. V. Kunitsyna, A. A. Usikova, Yu. P. Yakovlev, S. V. Ivanov, “Molecular beam epitaxy of thermodynamically metastable GaInAsSb alloys for medium IR-range photodetectors”, Semiconductors, 44:5 (2010), 672–677 |
7
|
| 9. |
Я. В. Терентьев, А. А. Торопов, Б. Я. Мельцер, А. Н. Семенов, В. А. Соловьев, И. В. Седова, А. А. Усикова, С. В. Иванов, “Инжекция спина в гетероструктурах с квантовыми ямами GaAs/GaSb”, Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010), 205–209 ; Ya. V. Terent'ev, A. A. Toropov, B. Ya. Mel'tser, A. N. Semenov, V. A. Solov'ev, I. V. Sedova, A. A. Usikova, S. V. Ivanov, “Spin injection in GaAs/GaSb quantum-well heterostructures”, Semiconductors, 44:2 (2010), 194–197 |
3
|
|
2009 |
| 10. |
Я. В. Терентьев, О. Г. Люблинская, А. А. Торопов, Б. Я. Мельцер, А. Н. Семёнов, В. А. Соловьев, С. В. Иванов, “Аномальное спиновое расщепление электронов в квантовых точках II типа InSb в матрице InAs”, Физика и техника полупроводников, 43:5 (2009), 662–666 ; Ya. V. Terent'ev, O. G. Lyublinskaya, A. A. Toropov, B. Ya. Mel'tser, A. N. Semenov, V. A. Solov'ev, S. V. Ivanov, “Anomalous spin splitting of electrons in type-II InSb quantum dots in InAs”, Semiconductors, 43:5 (2009), 635–639 |
2
|
|
2008 |
| 11. |
А. Н. Семенов, О. Г. Люблинская, В. А. Соловьев, Б. Я. Мельцер, С. В. Иванов, “In situ исследование кинетики формирования КТ InSb в матрице InAs(Sb)”, Физика и техника полупроводников, 42:1 (2008), 75–81 ; A. N. Semenov, O. G. Lyublinskaya, V. A. Solov'ev, B. Ya. Mel'tser, S. V. Ivanov, “In situ study of the formation kinetics of InSb quantum dots grown in an InAs(Sb) matrix”, Semiconductors, 42:1 (2008), 74–79 |
7
|
|
2004 |
| 12. |
Ю. Б. Васильев, С. Д. Сучалкин, С. В. Иванов, Б. Я. Мельцер, П. С. Копьев, “Влияние спин-орбитального взаимодействия на циклотронный резонанс двумерных электронов”, Письма в ЖЭТФ, 79:11 (2004), 674–679 ; Yu. B. Vasil'ev, S. D. Suchalkin, S. V. Ivanov, B. Ya. Mel'tser, P. S. Kop'ev, “Effect of the spin-orbit interaction on the cyclotron resonance of two-dimensional electrons”, JETP Letters, 79:11 (2004), 545–549  |
5
|
|
2002 |
| 13. |
S. A. Emel'yanov, B. Ya. Mel'tser, S. V. Ivanov, “Observation of a light-induced nonohmic current in a toroidal-moment-possessive nanostructure”, Письма в ЖЭТФ, 76:7 (2002), 547–549 ; JETP Letters, 76:7 (2002), 469–471 |
1
|
| 14. |
А. А. Грешнов, Г. Г. Зегря, Ю. Б. Васильев, С. Д. Сучалкин, Б. Я. Мельцер, С. В. Иванов, П. С. Копьев, “Циклотронный резонанс в гетероструктуре InAs/GaSb в наклонном магнитном поле”, Письма в ЖЭТФ, 76:4 (2002), 258–262 ; A. A. Greshnov, G. G. Zegrya, Yu. B. Vasil'ev, S. D. Suchalkin, B. Ya. Mel'tser, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, “Cyclotron resonance in the InAs/GaSb heterostructure in an inclined magnetic field”, JETP Letters, 76:4 (2002), 222–226 |
2
|
| 15. |
Ю. Б. Васильев, В. А. Соловьев, Б. Я. Мельцер, А. Н. Семенов, С. В. Иванов, Ю. Л. Иванов, П. С. Копьев, “Дальняя инфракрасная электролюминесценция в каскадных гетероструктурах II рода”, Письма в ЖЭТФ, 75:8 (2002), 463–466 ; Yu. B. Vasil'ev, V. A. Solov'ev, B. Ya. Mel'tser, A. N. Semenov, S. V. Ivanov, Yu. L. Ivanov, P. S. Kop'ev, “Far infrared electroluminescence in cascade type-II heterostructures”, JETP Letters, 75:8 (2002), 391–394 |
1
|
|
1996 |
| 16. |
Н. Н. Леденцов, В. М. Устинов, С. В. Иванов, Б. Я. Мельцер, М. В. Максимов, П. С. Копьев, Д. Бимберг, Ж. И. Алфёров, “Упорядоченные массивы квантовых точек в полупроводниковых матрицах”, УФН, 166:4 (1996), 423–428 ; N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, S. V. Ivanov, B. Ya. Mel'tser, M. V. Maksimov, P. S. Kop'ev, D. Bimberg, Zh. I. Alferov, “Ordered quantum-dot arrays in semiconducting matrices”, Phys. Usp., 39:4 (1996), 393–398  |
21
|
|
1992 |
| 17. |
Ж. И. Алфёров, А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, “Выращивание квантовых кластеров GaAs$-$AlAs на ориентированных не по (100) фасетированных поверхностях GaAs методом
молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992), 1715–1722 |
|
1990 |
| 18. |
П. С. Копьев, С. В. Иванов, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “Получение методом молекулярно-пучковой эпитаксии
гетероструктур GaSb/InAs/GaSb с высокой подвижностью двумерных электронов”, Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990), 717–719 |
| 19. |
Ж. И. Алфров, В. В. Журавлева, С. В. Иванов, П. С. Копьев, В. И. Корольков, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, Т. С. Табаров, “Электрические и оптические эффекты при резонансном туннелировании
в (Al, Ga)As$-$GaAs-гетероструктурах с двойным барьером”, Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990), 361–363 |
| 20. |
Ж. И. Алфров, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, С. В. Шапошников, “(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As
напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой”, Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990), 359–361 |
| 21. |
Ж. И. Алфёров, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, М. Э. Луценко, “(Al, Ga)As ДГС РО лазеры на длины волн 0.8 мкм (175 А/см$^{2}$)
и 0.73 мкм (350 A/см$^{2}$) с легированной квантовой ямой”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990), 201–203 |
| 22. |
Ж. И. Алфёров, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, М. Э. Луценко, Б. Я. Мельцер, М. И. Неменов, В. М. Устинов, С. В. Шапошников, “Растекание и поверхностная рекомбинация неравновесных носителей
в квантово-размерных (Al, Ga)As ДГС РО
лазерах с широким полоском”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990), 152–158 |
|
1989 |
| 23. |
П. С. Копьев, А. А. Будза, С. В. Иванов, Б. Я. Мельцер, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “Увеличение подвижности двумерных электронов на гетерогранице
AlAs/GaAs по сравнению с AlGaAs/GaAs в гетероструктурах с селективным
$\delta$-легированием”, Письма в ЖТФ, 15:8 (1989), 68–71 |
|
1988 |
| 24. |
Е. Л. Ивченко, П. С. Копьев, В. П. Кочерешко, И. Н. Уральцев, Д. Р. Яковлев, С. В. Иванов, Б. Я. Мельцер, М. А. Калитиевский, “Отражение в экситонной области спектра структуры с одиночной
квантовой ямой. Наклонное и нормальное падение света”, Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988), 784–788 |
| 25. |
Ж. И. Алфров, A. M. Васильев, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, М. Э. Луценко, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, “Снижение пороговой плотности тока в GaAs$-$AlGaAs ДГС РО квантоворазмерных лазерах
($J_{n}=52\,\text{А}\cdot\text{см}^{-2}$,
$T=300$ K)
при ограничении квантовой ямы короткопериодной сверхрешеткой
с переменным шагом”, Письма в ЖТФ, 14:19 (1988), 1803–1807 |
5
|
|
1987 |
| 26. |
А. В. Акимов, А. А. Каплянский, В. И. Козуб, П. С. Копьев, Б. Я. Мельцер, “Воздействие акустических фононных импульсов на примесную люминесценцию полупроводниковых структур с квантовыми ямами”, Физика твердого тела, 29:6 (1987), 1843–1847 |
1
|
|
1986 |
| 27. |
П. С. Копьев, В. Д. Кулаковский, Б. Я. Мельцер, Б. Н. Шепель, “Внутрибарьерное рекомбинационное излучение многослойных структур
GaAs$-$Al$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As с квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1184–1189 |
| 28. |
А. М. Васильев, П. С. Копьев, В. П. Кочерешко, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, И. Н. Уральцев, В. М. Устинов, Д. Р. Яковлев, “Собственная люминесценция резкого гетероперехода
GaAs$-$Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 353–356 |
| 29. |
Ж. И. Алфёров, Р. О. Джапаридзе, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, “Лазеры на основе гетероструктур с активной областью, ограниченной монослойной сверхрешеткой”, Письма в ЖТФ, 12:9 (1986), 562–565 |
|
1985 |
| 30. |
Н. Н. Леденцов, Б. Я. Бер, П. С. Копьев, С. В. Иванов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, Г. М. Минчев, “Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в легированные
слои GaAs, выращенные методом МПЭ”, ЖТФ, 55:1 (1985), 142–147 |
| 31. |
Ж. И. Алфров, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Б. Я. Мельцер, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, В. М. Устинов, Ю. В. Шмарцев, “Гальваномагнитные эффекты в гетероструктурах
$N$-Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/GaAs при высоком уровне легирования”, Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985), 1199–1203 |
| 32. |
Ж. И. Алфёров, П. С. Копьв, Б. Я. Бер, А. М. Васильев, С. В. Иванов, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, И. Н. Уральцев, Д. Р. Яковлев, “Собственная и примесная люминесценция в GaAs$-$AlGaAs-структурах
с квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985), 715–721 |
|
1984 |
| 33. |
П. С. Копьев, Б. Я. Бер, С. В. Иванов, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, “Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в нелегированные
эпитаксиальные слои GaAs, выращенные методом МПЭ”, Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984), 270–274 |
|
1983 |
| 34. |
Б. Я. Бер, А. Э. Гольберг, П. С. Копьев, Б. Я. Мельцер, “Оже-профили состава резких гетеропереходов, выращенных методом
молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 9:12 (1983), 751–754 |
|
Обратная связь: