|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
А. А. Ширяев, В. М. Воротынцев, Е. Л. Шоболов, “Прогнозирование величины захваченного заряда в захороненном оксиде кремния структур кремний-на-изоляторе с применением эффекта Пула–Френкеля”, Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020), 441–445   ; A. A. Shiryaev, V. M. Vorotyntsev, E. L. Shobolov, “Prediction of the magnitude of the trapped charge in the buried oxide of silicon-on-insulator structures using the Poole–Frenkel effect”, Semiconductors, 54:5 (2020), 518–522 |
|
2018 |
| 2. |
А. А. Ширяев, В. М. Воротынцев, Е. Л. Шоболов, “Эффект Пула–Френкеля и возможность его применения для прогнозирования радиационного накопления заряда в термическом диоксиде кремния”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 990–994 ; A. A. Shiryaev, V. M. Vorotyntsev, E. L. Shobolov, “Poole–Frenkel effect and the opportunity of its application for the prediction of radiation charge accumulation in thermal silicon dioxide”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1114–1117 |
2
|
|
2015 |
| 3. |
О. П. Гуськова, В. М. Воротынцев, Н. Д. Абросимова, А. Н. Михайлов, Д. И. Тетельбаум, Е. Л. Шоболов, “Формирование фторсодержащих дефектов и нанокристаллов в SiO$_2$ при имплантации ионов фтора, кремния и германия: компьютерное моделирование и фотолюминесцентная спектроскопия”, Физика твердого тела, 57:11 (2015), 2106–2111 ; O. P. Gus’kova, V. M. Vorotyntsev, N. D. Abrosimova, A. N. Mikhaylov, D. I. Tetelbaum, E. L. Shobolov, “Formation of fluorine-containing defects and nanocrystals in SiO$_2$ upon implantation with fluorine, silicon, and germanium ions: Numerical simulation and photoluminescence spectroscopy”, Phys. Solid State, 57:11 (2015), 2164–2169 |
|
2014 |
| 4. |
Е. Л. Панкратов, О. П. Гуськова, М. Н. Дроздов, Н. Д. Абросимова, В. М. Воротынцев, “Аномальное распределение германия, имплантированного в диэлектрический слой структуры КНИ, после отжига радиационных дефектов”, Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014), 631–635 ; E. L. Pankratov, O. P. Gus’kova, M. N. Drozdov, N. D. Abrosimova, V. M. Vorotyntsev, “Anomalous distribution of germanium implanted into a SOI dielectric layer after the annealing of radiation defects”, Semiconductors, 48:5 (2014), 612–616 |
2
|
|
2011 |
| 5. |
В. М. Воротынцев, В. М. Малышев, “Газовые гидраты: наноразмерные фазы в процессах разделения и очистки веществ методом кристаллизации”, Усп. хим., 80:10 (2011), 1013–1033 ; V. M. Vorotyntsev, V. M. Malyshev, “Gas hydrates: nanosized phases in the separation and purification of substances by crystallization”, Russian Chem. Reviews, 80:10 (2011), 971–991   |
31
|
|
1998 |
| 6. |
В. М. Воротынцев, В. М. Малышев, “Газовые гидраты – новый класс примесей в особочистых газах и парогазовых смесях”, Усп. хим., 67:1 (1998), 87–99 ; V. M. Vorotyntsev, V. M. Malyshev, “Gas hydrates, a new class of impurities in high purity gases and gas–vapour mixtures”, Russian Chem. Reviews, 67:1 (1998), 81–92 |
18
|
|
1997 |
| 7. |
В. М. Воротынцев, В. М. Малышев, “Концентрирование техногенных примесей в капле дождя, движущейся в неоднородном концентрационном поле”, Докл. РАН, 354:3 (1997), 386–388 |
| 8. |
В. М. Воротынцев, В. М. Малышев, “Коэффициент распределения диоксида серы в двухфазной системе воздух-вода”, Докл. РАН, 353:1 (1997), 103–105 |
|
1996 |
| 9. |
В. М. Воротынцев, В. М. Малышев, “Концентрирование техногенных примесей в газовых гидратах атмосферы”, Докл. РАН, 351:2 (1996), 256–259 |
| 10. |
В. М. Воротынцев, В. М. Малышев, “Коэффициент распределения углекислого газа в двухфазной системе воздух–морская вода”, Докл. РАН, 346:2 (1996), 249–251 |
|
