|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
А. И. Веретенников, М. В. Рахлин, Ю. М. Серов, А. И. Галимов, Г. П. Вейшторт, С. В. Сорокин, Г. В. Климко, И. В. Седова, Н. А. Малеев, М. А. Бобров, А. П. Васильев, А. Г. Кузьменков, М. М. Кулагина, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, Ю. А. Салий, Д. С. Березина, Е. В. Никитина, А. А. Торопов, “Однофотонное излучение в С-диапазоне в цилиндрическом микрорезонаторе с квантовыми точками InAs/InGaAs”, Письма в ЖЭТФ, 121:3 (2025), 189–193  ; A. I. Veretennikov, M. V. Rakhlin, Yu. M. Serov, A. I. Galimov, G. P. Veishtort, S. V. Sorokin, G. V. Klimko, I. V. Sedova, N. A. Maleev, M. A. Bobrov, A. P. Vasiliev, A. G. Kuzmenkov, M. M. Kulagina, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, J. A. Salii, D. S. Berezina, E. V. Nikitina, A. A. Toropov, “Single-photon emission in the telecom C-band in a micropillar cavity with an InAs/InGaAs quantum dot”, JETP Letters, 121:3 (2025), 170–174 |
1
|
| 2. |
С. А. Блохин, М. А. Бобров, Я. Н. Ковач, А. А. Блохин, М. Н. Марчий, Н. А. Кузьменкова, А. С. Пазгалев, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, Н. А. Малеев, “Амплитудные шумы одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 89Х nm с внутрирезонаторными контактами”, Оптика и спектроскопия, 133:8 (2025), 847–852  |
| 3. |
А. В. Бабичев, И. С. Махов, Н. В. Крыжановская, Ю. М. Задиранов, Ю. А. Салий, М. М. Кулагина, Я. Н. Ковач, М. А. Бобров, А. П. Васильев, С. А. Блохин, Н. А. Малеев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, А. Ю. Егоров, “Поверхностная генерация в микролазерах на основе вертикального микрорезонатора”, Письма в ЖТФ, 51:21 (2025), 58–62 |
| 4. |
А. В. Бабичев, И. С. Махов, Н. В. Крыжановская, Ю. М. Задиранов, Ю. А. Салий, М. М. Кулагина, Я. Н. Ковач, М. А. Бобров, А. П. Васильев, С. А. Блохин, Н. А. Малеев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, А. Ю. Егоров, “Бимодальная генерация на модах шепчущей галереи в лазерах на основе вертикального микрорезонатора”, Письма в ЖТФ, 51:5 (2025), 41–44 |
|
2024 |
| 5. |
М. А. Бобров, С. А. Блохин, Я. Н. Ковач, А. А. Блохин, Н. А. Малеев, А. Г. Кузьменков, М. Н. Марчий, А. П. Васильев, В. М. Устинов, “Фазовые шумы одномодовых вертикально-излучающих лазеров с внутрирезонаторными контактами спектрального диапазона 89Х nm”, Оптика и спектроскопия, 132:12 (2024), 1230–1232 |
| 6. |
Я. Н. Ковач, С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. А. Блохин, Н. А. Малеев, А. Г. Кузьменков, М. Н. Марчий, А. П. Васильев, В. М. Устинов, “Ширина линии излучения вертикально-излучающих лазеров с внутрирезонаторными контактами спектрального диапазона 89Х nm”, Оптика и спектроскопия, 132:12 (2024), 1226–1229 |
| 7. |
А. В. Бабичев, А. М. Надточий, С. А. Блохин, В. Н. Неведомский, Н. В. Крыжановская, М. А. Бобров, А. П. Васильев, Н. А. Малеев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, А. Ю. Егоров, “Исследование структурных и оптических свойств InGaAs-квантовых точек”, Физика и техника полупроводников, 58:6 (2024), 318–325 |
| 8. |
В. С. Калиновский, Н. А. Малеев, Е. В. Контрош, А. П. Васильев, К. К. Прудченко, И. А. Толкачев, А. В. Малевская, В. М. Устинов, “Туннельные диоды $n^{++}$-GaAs:($\delta$-Si)/$p^{++}$-Al$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As:(C) для соединительных элементов многопереходных лазерных фотопреобразователей”, Письма в ЖТФ, 50:7 (2024), 39–42 |
|
2023 |
| 9. |
Я. Н. Ковач, С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. А. Блохин, Н. А. Малеев, А. Г. Кузьменков, А. В. Бабичев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, Е. С. Колодезный, К. О. Воропаев, А. Ю. Егоров, В. М. Устинов, “Ширина линии излучения одномодовых вертикально излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 $\mu$m, реализованных с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии и технологии спекания пластин”, Оптика и спектроскопия, 131:11 (2023), 1486–1489 |
| 10. |
С. А. Блохин, Я. Н. Ковач, М. А. Бобров, А. А. Блохин, Н. А. Малеев, А. Г. Кузьменков, А. В. Бабичев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, Е. С. Колодезный, К. О. Воропаев, А. В. Куликов, А. Ю. Егоров, В. М. Устинов, “Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор вертикально излучающих лазеров на основе квантовых ям InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1.55 $\mu$m”, Оптика и спектроскопия, 131:8 (2023), 1095–1100 |
| 11. |
С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. А. Блохин, Я. Н. Ковач, Н. А. Малеев, А. Г. Кузьменков, Ю. М. Задиранов, М. М. Кулагина, Ю. А. Гусева, А. П. Васильев, В. М. Устинов, “Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающих лазеров с внутрирезонаторными контактами спектрального диапазона 89Х nm”, Письма в ЖТФ, 49:20 (2023), 43–46 |
|
2022 |
| 12. |
М. А. Бобров, С. А. Блохин, Н. А. Малеев, А. Г. Кузьменков, А. А. Блохин, А. П. Васильев, Ю. А. Гусева, М. В. Рахлин, А. И. Галимов, Ю. М. Серов, С. И. Трошков, В. М. Устинов, А. А. Торопов, “Цилиндрические микрорезонаторы с квантовыми точками InAs/GaAs – моделирование и анализ оптических характеристик”, Письма в ЖЭТФ, 116:9 (2022), 592–598 ; M. A. Bobrov, S. A. Blokhin, N. A. Maleev, A. G. Kuz'menkov, A. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, Yu. A. Guseva, M. V. Rakhlin, A. I. Galimov, Yu. M. Serov, S. I. Troshkov, V. M. Ustinov, A. A. Toropov, “Simulation and analysis of the optical characteristics of cylindrical micropillars with InAs/GaAs quantum dots”, JETP Letters, 116:9 (2022), 613–618 |
4
|
| 13. |
С. А. Блохин, А. В. Бабичев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, А. А. Блохин, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, Н. А. Малеев, В. В. Андрюшкин, В. Е. Бугров, А. Г. Гладышев, Д. В. Денисов, К. О. Воропаев, И. О. Жумаева, В. М. Устинов, H. Li, S. С. Tian, S. Y. Han, Г. А. Сапунов, А. Ю. Егоров, D. Bimberg, “Высокоскоростные одномодовые вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1550 нм”, Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022), 814–823 |
1
|
| 14. |
С. А. Блохин, А. П. Васильев, А. М. Надточий, Н. Д. Прасолов, В. Н. Неведомский, М. А. Бобров, А. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, “Особенности роста массивов квантовых точек InAs с низкой поверхностной плотностью методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 48:24 (2022), 42–46 |
| 15. |
С. А. Минтаиров, С. А. Блохин, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, Н. А. Малеев, А. М. Надточий, Р. А. Салий, Н. В. Крыжановская, А. Е. Жуков, “Быстродействующие фотодетекторы на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs”, Письма в ЖТФ, 48:4 (2022), 32–35 |
| 16. |
С. А. Блохин, А. В. Бабичев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, А. А. Блохин, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, Н. А. Малеев, В. В. Андрюшкин, В. Е. Бугров, А. Г. Гладышев, Н. В. Крыжановская, К. О. Воропаев, И. О. Жумаева, В. М. Устинов, А. Ю. Егоров, “Быстродействующие вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1550 нм, реализованные в рамках технологии спекания пластин”, Квантовая электроника, 52:10 (2022), 878–884 [S. A. Blokhin, A. V. Babichev, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, A. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, N. A. Maleev, V. V. Andryushkin, V. E. Bugrov, A. G. Gladyshev, N. V. Kryzhanovskaya, K. O. Voropaev, I. O. Zhumaeva, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, “High-speed vertically emitting lasers in the spectral range of 1550 nm, implemented in the framework of wafer sintering method”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 2 (2023), S140–S147] |
1
|
|
2021 |
| 17. |
С. А. Блохин, А. В. Бабичев, А. Г. Гладышев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, А. А. Блохин, М. А. Бобров, Н. А. Малеев, А. Г. Кузьменков, А. М. Надточий, В. Н. Неведомский, В. В. Андрюшкин, С. С. Рочас, Д. В. Денисов, К. О. Воропаев, И. О. Жумаева, В. М. Устинов, А. Ю. Егоров, В. Е. Бугров, “Исследование характеристик сверхрешетки InGaAs/InAlGaAs для вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300 nm”, ЖТФ, 91:12 (2021), 2008–2017 |
| 18. |
В. А. Беляков, И. В. Макарцев, А. Г. Фефелов, С. В. Оболенский, А. П. Васильев, А. Г. Кузьменков, М. М. Кулагина, Н. А. Малеев, “Влияние технологии двойного травления под затвор на параметры HEMT транзисторов на подложках GaAs и InP”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 890–894 |
| 19. |
М. А. Бобров, С. А. Блохин, Н. А. Малеев, А. Г. Кузьменков, А. А. Блохин, А. П. Васильев, М. М. Кулагина, А. С. Пазгалев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, В. М. Устинов, “Исследование шумовых характеристик вертикально-излучающих лазеров с ромбовидной токовой апертурой для применения в компактном квантовом цезиевом магнитометре”, Письма в ЖТФ, 47:24 (2021), 3–8 |
1
|
| 20. |
С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. А. Блохин, Н. А. Малеев, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, С. С. Рочас, А. В. Бабичев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, А. Г. Гладышев, Д. В. Денисов, К. О. Воропаев, А. Ю. Егоров, В. М. Устинов, “Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1.3 $\mu$m с туннельным переходом на основе слоев $n^{+}$-InGaAs/$p^{+}$-InGaAs/$p^{+}$-InAlGaAs”, Письма в ЖТФ, 47:23 (2021), 3–7 |
| 21. |
С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. А. Блохин, Н. А. Малеев, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, С. С. Рочас, А. В. Бабичев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, А. Г. Гладышев, Д. В. Денисов, К. О. Воропаев, А. Ю. Егоров, В. М. Устинов, “Влияние латерального оптического ограничения на характеристики вертикально-излучающих лазеров cпектрального диапазона 1.55 $\mu$m с заращенным туннельным переходом”, Письма в ЖТФ, 47:22 (2021), 3–8 |
2
|
| 22. |
Н. А. Малеев, А. Г. Кузьменков, М. М. Кулагина, А. П. Васильев, С. А. Блохин, С. И. Трошков, А. В. Нащекин, М. А. Бобров, А. А. Блохин, К. О. Воропаев, В. Е. Бугров, В. М. Устинов, “Грибовидная меза-структура для лавинных фотодиодов на гетероструктурах InAlAs/InGaAs”, Письма в ЖТФ, 47:21 (2021), 36–38 |
| 23. |
С. А. Блохин, М. А. Бобров, Н. А. Малеев, А. А. Блохин, А. П. Васильев, А. Г. Кузьменков, Е. С. Колодезный, V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, S. Reitzenstein, В. М. Устинов, “Конструкция источника одиночных фотонов спектрального диапазона 1.3 $\mu$m с инжекционной накачкой на основе вертикального микрорезонатора с внутрирезонаторными контактами”, Письма в ЖТФ, 47:5 (2021), 23–27 ; S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, N. A. Maleev, A. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, A. G. Kuz'menkov, E. S. Kolodeznyi, V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, S. Reitzenstein, V. M. Ustinov, “The design of an electrically-driven single photon source of the 1.3-$\mu$m spectral range based on a vertical microcavity with intracavity contacts”, Tech. Phys. Lett., 47:3 (2021), 222–226 |
1
|
|
2020 |
| 24. |
С. А. Блохин, М. А. Бобров, Н. А. Малеев, А. Г. Кузьменков, В. М. Устинов, “Исследование аномальной генерации вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 nm с двойной оксидной токовой апертурой при большой величине спектральной расстройки”, Оптика и спектроскопия, 128:8 (2020), 1151–1159 ; S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, N. A. Maleev, A. G. Kuz'menkov, V. M. Ustinov, “Investigation of anomalous lasing in vertical-cavity surface-emitting lasers of the 850-nm spectral range with a double oxide current aperture at large gain-to-cavity detuning”, Optics and Spectroscopy, 128:8 (2020), 1174–1181 |
1
|
| 25. |
С. А. Блохин, В. Н. Неведомский, М. А. Бобров, Н. А. Малеев, А. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, С. С. Рочас, А. В. Бабичев, А. Г. Гладышев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, Д. В. Денисов, К. О. Воропаев, А. С. Ионов, А. Ю. Егоров, В. М. Устинов, “Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленные по технологии спекания гетероструктур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии из твердотельных источников”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1088–1096 ; S. A. Blokhin, V. N. Nevedomskiy, M. A. Bobrov, N. A. Maleev, A. A. Blokhin, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, S. S. Rochas, A. V. Babichev, A. G. Gladyshev, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, D. V. Denisov, K. O. Voropaev, A. S. Ionov, A. Yu. Egorov, V. M. Ustinov, “1.55 $\mu$m-range vertical cavity surface emitting lasers, manufactured by wafer fusion of heterostuctures grown by solid-source molecular beam epitaxy”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1276–1283 |
10
|
| 26. |
С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. А. Блохин, А. П. Васильев, А. Г. Кузьменков, Н. А. Малеев, С. С. Рочас, А. Г. Гладышев, А. В. Бабичев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, Д. В. Денисов, К. О. Воропаев, А. С. Ионов, А. Ю. Егоров, В. М. Устинов, “Эффект насыщающегося поглотителя в длинноволновых вертикально-излучающих лазерах, реализованных по технологии спекания”, Письма в ЖТФ, 46:24 (2020), 49–54 ; S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, A. G. Kuz'menkov, N. A. Maleev, S. S. Rochas, A. G. Gladyshev, A. V. Babichev, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, D. V. Denisov, K. O. Voropaev, A. S. Ionov, A. Yu. Egorov, V. M. Ustinov, “The effect of a saturable absorber in long-wavelength vertical-cavity surface-emitting lasers fabricated by wafer fusion technology”, Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1257–1262 |
13
|
| 27. |
С. А. Блохин, М. А. Бобров, Н. А. Малеев, А. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, С. С. Рочас, А. Г. Гладышев, А. В. Бабичев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, Д. В. Денисов, К. О. Воропаев, А. С. Ионов, А. Ю. Егоров, В. М. Устинов, “Вертикально-излучающий лазер спектрального диапазона 1.55 $\mu$m с туннельным переходом на основе слоев $n^{++}$-InGaAs/$p^{++}$-InGaAs/$p^{++}$-InAlGaAs”, Письма в ЖТФ, 46:17 (2020), 21–25 ; S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, N. A. Maleev, A. A. Blokhin, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, S. S. Rochas, A. G. Gladyshev, A. V. Babichev, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, D. V. Denisov, K. O. Voropaev, A. S. Ionov, A. Yu. Egorov, V. M. Ustinov, “A vertical-cavity surface-emitting laser for the 1.55-$\mu$m spectral range with tunnel junction based on $n^{++}$-InGaAs/$p^{++}$-InGaAs/$p^{++}$-InAlGaAs layers”, Tech. Phys. Lett., 46:9 (2020), 854–858 |
14
|
|
2019 |
| 28. |
В. В. Дюделев, В. В. Мамутин, Д. В. Чистяков, Е. А. Когновицкая, В. И. Кучинский, Н. А. Малеев, А. П. Васильев, А. Г. Кузьменков, В. М. Устинов, Г. С. Соколовский, “Влияние разогрева активной области на динамические и мощностные характеристики квантовых каскадных лазеров, излучающих на длине волны 4.8 $\mu$m при комнатной температуре”, Оптика и спектроскопия, 127:3 (2019), 445–448 ; V. V. Dyudelev, V. V. Mamutin, D. V. Chistyakov, E. A. Kognovitskaya, V. I. Kuchinskii, N. A. Maleev, A. P. Vasil'ev, A. G. Kuz'menkov, V. M. Ustinov, G. S. Sokolovskii, “The effect of active region heating on dynamic and power characteristics of quantum cascade lasers emitting at a wavelength of 4.8 $\mu$m at room temperature”, Optics and Spectroscopy, 127:3 (2019), 479–482 |
| 29. |
С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, Е. С. Колодезный, С. С. Рочас, А. В. Бабичев, И. И. Новиков, А. Г. Гладышев, Л. Я. Карачинский, Д. В. Денисов, К. О. Воропаев, А. С. Ионов, А. Ю. Егоров, “Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1.55 $\mu$m, сформированного методом спекания пластин”, Оптика и спектроскопия, 127:1 (2019), 145–149 ; S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. A. Blokhin, A. G. Kuz'menkov, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, E. S. Kolodeznyi, S. S. Rochas, A. V. Babichev, I. I. Novikov, A. G. Gladyshev, L. Ya. Karachinsky, D. V. Denisov, K. O. Voropaev, A. S. Ionov, A. Yu. Egorov, “Analysis of the internal optical losses of the vertical-cavity surface-emitting laser of the spectral range of 1.55 $\mu$m formed by a plate sintering technique”, Optics and Spectroscopy, 127:1 (2019), 140–144 |
12
|
| 30. |
С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, Е. С. Колодезный, С. С. Рочас, А. В. Бабичев, И. И. Новиков, А. Г. Гладышев, Л. Я. Карачинский, Д. В. Денисов, К. О. Воропаев, А. С. Ионов, А. Ю. Егоров, “Влияние потерь на вывод излучения на динамические характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленных методом спекания эпитаксиальных пластин”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1128–1134 ; S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. A. Blokhin, A. G. Kuz'menkov, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, E. S. Kolodeznyi, S. S. Rochas, A. V. Babichev, I. I. Novikov, A. G. Gladyshev, L. Ya. Karachinsky, D. V. Denisov, K. O. Voropaev, A. S. Ionov, A. Yu. Egorov, “Influence of output optical losses on the dynamic characteristics of 1.55-$\mu$m wafer-fused vertical-cavity surface-emitting lasers”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1104–1109 |
10
|
| 31. |
Н. А. Малеев, А. П. Васильев, А. Г. Кузьменков, М. А. Бобров, М. М. Кулагина, С. И. Трошков, С. Н. Малеев, В. А. Беляков, Е. В. Петрякова, Ю. П. Кудряшова, Е. Л. Фефелова, И. В. Макарцев, С. А. Блохин, Ф. А. Ахмедов, А. В. Егоров, А. Г. Фефелов, В. М. Устинов, “InAlAs/InGaAs/InP HEMTs с композитным каналом и улучшенными пробивными характеристиками”, Письма в ЖТФ, 45:21 (2019), 29–33 ; N. A. Maleev, A. P. Vasil'ev, A. G. Kuz'menkov, M. A. Bobrov, M. M. Kulagina, S. I. Troshkov, S. N. Maleev, V. A. Belyakov, E. V. Petryakova, Yu. P. Kudryashova, E. L. Fefelova, I. V. Makartsev, S. A. Blokhin, F. A. Akhmedov, A. V. Egorov, A. G. Fefelov, V. M. Ustinov, “InAlAs/InGaAs/InP high-electron-mobility transistors with a composite channel and higher breakdown characteristics”, Tech. Phys. Lett., 45:11 (2019), 1092–1096 |
3
|
| 32. |
Н. А. Малеев, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, М. М. Кулагина, Ю. А. Гусева, С. А. Блохин, В. М. Устинов, “Гетеробарьерные варакторы с неоднородно легированными модулирующими слоями”, Письма в ЖТФ, 45:20 (2019), 51–54 ; N. A. Maleev, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, M. M. Kulagina, Yu. A. Guseva, S. A. Blokhin, V. M. Ustinov, “Heterobarrier varactors with nonuniformly doped modulation layers”, Tech. Phys. Lett., 45:10 (2019), 1063–1066 |
| 33. |
С. А. Блохин, Н. А. Малеев, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, Ю. М. Задиранов, М. М. Кулагина, А. А. Блохин, Ю. А. Гусева, А. М. Оспенников, М. В. Петренко, А. Г. Гладышев, А. Ю. Егоров, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, Д. В. Денисов, В. М. Устинов, “Вертикально-излучающие лазеры с внутрирезонаторными контактами и ромбовидной токовой апертурой для компактных атомных часов”, Квантовая электроника, 49:2 (2019), 187–190 [S. A. Blokhin, N. A. Maleev, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, Yu. M. Zadiranov, M. M. Kulagina, A. A. Blokhin, Yu. A. Guseva, A. M. Ospennikov, M. V. Petrenko, A. G. Gladyshev, A. Yu. Egorov, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, D. V. Denisov, V. M. Ustinov, “Vertical-cavity surface-emitting lasers with intracavity contacts and a rhomboidal current aperture for compact atomic clocks”, Quantum Electron., 49:2 (2019), 187–190   ] |
8
|
|
2018 |
| 34. |
В. В. Мамутин, А. П. Васильев, А. В. Лютецкий, Н. Д. Ильинская, Ю. М. Задиранов, А. Н. Софронов, Д. А. Фирсов, Л. Е. Воробьев, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, “Изготовление и исследование изорешеточной гетероструктуры для квантовых каскадных лазеров”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 812–815 ; V. V. Mamutin, A. P. Vasil'ev, A. V. Lyutetskiy, N. D. Il'inskaya, Yu. M. Zadiranov, A. N. Sofronov, D. A. Firsov, L. E. Vorob'ev, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, “On the fabrication and study of lattice-matched heterostructures for quantum cascade lasers”, Semiconductors, 52:7 (2018), 950–953 |
6
|
| 35. |
В. В. Мамутин, Н. А. Малеев, А. П. Васильев, Н. Д. Ильинская, Ю. М. Задиранов, А. А. Усикова, М. А. Яговкина, Ю. М. Шерняков, В. М. Устинов, “Исследование модифицированной структуры квантового каскадного лазера”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 133–137 ; V. V. Mamutin, N. A. Maleev, A. P. Vasil'ev, N. D. Il'inskaya, Yu. M. Zadiranov, A. A. Usikova, M. A. Yagovkina, Yu. M. Shernyakov, V. M. Ustinov, “Investigation of the modified structure of a quantum cascade laser”, Semiconductors, 52:1 (2018), 126–130 |
1
|
| 36. |
С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, Ю. М. Задиранов, Е. А. Европейцев, А. В. Сахаров, Н. Н. Леденцов, Л. Я. Карачинский, А. М. Оспенников, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, “Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 98–104 ; S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. A. Blokhin, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, Yu. M. Zadiranov, E. A. Evropeitsev, A. V. Sakharov, N. N. Ledentsov, L. Ya. Karachinsky, A. M. Ospennikov, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, “Emission-line width and $\alpha$-factor of 850-nm single-mode vertical-cavity surface-emitting lasers based on InGaAs/AlGaAs quantum wells”, Semiconductors, 52:1 (2018), 93–99 |
2
|
| 37. |
Н. А. Малеев, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, М. М. Кулагина, С. Н. Малеев, С. А. Блохин, В. Н. Неведомский, В. М. Устинов, “Эпитаксиальные структуры InGaAs/InAlAs/AlAs для гетеробарьерных варакторов с низким током утечки”, Письма в ЖТФ, 44:19 (2018), 16–23 ; N. A. Maleev, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, M. M. Kulagina, S. N. Maleev, S. A. Blokhin, V. N. Nevedomskiy, V. M. Ustinov, “Epitaxial InGaAs/InAlAs/AlAs structures for heterobarrier varactors with low leakage current”, Tech. Phys. Lett., 44:10 (2018), 862–864 |
3
|
| 38. |
В. В. Мамутин, А. П. Васильев, А. В. Лютецкий, Н. Д. Ильинская, А. А. Усикова, Ю. М. Задиранов, Н. А. Малеев, А. Н. Софронов, Д. А. Фирсов, Л. Е. Воробьев, В. М. Устинов, “Квантовые каскадные лазеры с длиной волны излучения 4.8 $\mu$m, работающие при комнатной температуре”, Письма в ЖТФ, 44:18 (2018), 17–23 ; V. V. Mamutin, A. P. Vasil'ev, A. V. Lyutetskiy, N. D. Il'inskaya, A. A. Usikova, Yu. M. Zadiranov, N. A. Maleev, A. N. Sofronov, D. A. Firsov, L. E. Vorob'ev, V. M. Ustinov, “Quantum-cascade lasers generating at the 4.8-$\mu$m wavelength at room temperature”, Tech. Phys. Lett., 44:9 (2018), 814–816 |
2
|
| 39. |
Н. Н. Леденцов, В. А. Щукин, V. P. Kalosha, N. N. Ledentsov, Jr., J. R. Kropp, M. Agustín, С. А. Блохин, А. А. Блохин, М. А. Бобров, М. М. Кулагина, Ю. М. Задиранов, Н. А. Малеев, “Дизайн и новая функциональность антиволноводных вертикально-излучающих лазеров на длину волны 850 nm”, Письма в ЖТФ, 44:1 (2018), 85–94 ; N. N. Ledentsov, V. A. Shchukin, V. P. Kalosha, N. N. Ledentsov, Jr., J. R. Kropp, M. Agustín, S. A. Blokhin, A. A. Blokhin, M. A. Bobrov, M. M. Kulagina, Yu. M. Zadiranov, N. A. Maleev, “A design and new functionality of antiwaveguiding vertical-cavity surface-emitting lasers for a wavelength of 850 nm”, Tech. Phys. Lett., 44:1 (2018), 36–39 |
2
|
| 40. |
С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, А. А. Блохин, А. П. Васильев, Ю. А. Гусева, М. М. Кулагина, Ю. М. Задиранов, Н. А. Малеев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, Н. Н. Леденцов, В. М. Устинов, “Влияние конструкции резонатора на ширину линии одномодовых вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона”, Письма в ЖТФ, 44:1 (2018), 67–75 ; S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, Yu. A. Guseva, M. M. Kulagina, Yu. M. Zadiranov, N. A. Maleev, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, “The influence of cavity design on the linewidth of near-ir single-mode vertical-cavity surface-emitting lasers”, Tech. Phys. Lett., 44:1 (2018), 28–31 |
5
|
| 41. |
С. А. Блохин, Н. А. Малеев, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, А. В. Сахаров, В. М. Устинов, “Высокоскоростные полупроводниковые вертикально-излучающие лазеры для оптических систем передачи данных (Обзор)”, Письма в ЖТФ, 44:1 (2018), 7–43 ; S. A. Blokhin, N. A. Maleev, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. V. Sakharov, V. M. Ustinov, “High-speed semiconductor vertical-cavity surface-emitting lasers for optical data-transmission systems (review)”, Tech. Phys. Lett., 44:1 (2018), 1–16 |
17
|
|
2017 |
| 42. |
С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, Ю. М. Задиранов, Е. А. Европейцев, А. В. Сахаров, Н. Н. Леденцов, Л. Я. Карачинский, А. М. Оспенников, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, “Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1697 ; S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. A. Blokhin, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, Yu. M. Zadiranov, E. A. Evropeitsev, A. V. Sakharov, N. N. Ledentsov, L. Ya. Karachinsky, A. M. Ospennikov, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, “Emission-line width and $\alpha$-factor of 850-nm single-mode vertical-cavity surface-emitting lasers based on InGaAs/AlGaAs quantum wells”, Semiconductors, 52:1 (2018), 93–99 |
2
|
| 43. |
Н. А. Малеев, В. А. Беляков, А. П. Васильев, М. А. Бобров, С. А. Блохин, М. М. Кулагина, А. Г. Кузьменков, В. Н. Неведомский, Ю. А. Гусева, С. Н. Малеев, И. В. Ладенков, Е. Л. Фефелова, А. Г. Фефелов, В. М. Устинов, “Молекулярно-пучковая эпитаксия структур InGaAs/InAlAs/ AlAs для гетеробарьерных варакторов”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1484–1488 ; N. A. Maleev, V. A. Belyakov, A. P. Vasil'ev, M. A. Bobrov, S. A. Blokhin, M. M. Kulagina, A. G. Kuz'menkov, V. N. Nevedomskiy, Yu. A. Guseva, S. N. Maleev, I. V. Ladenkov, E. L. Fefelova, A. G. Fefelov, V. M. Ustinov, “Molecular-beam epitaxy of InGaAs/InAlAs/AlAs structures for heterobarrier varactors”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1431–1434 |
4
|
| 44. |
В. В. Дюделев, Н. А. Малеев, А. Г. Кузьменков, С. А. Блохин, В. Ю. Мыльников, В. И. Кучинский, В. М. Устинов, Э. У. Рафаилов, Г. С. Соколовский, “Обострение оптических импульсов в вертикально-излучающих лазерах с активной областью на основе субмонослойных квантовых точек InGaAs”, Письма в ЖТФ, 43:24 (2017), 17–23 ; V. V. Dyudelev, N. A. Maleev, A. G. Kuz'menkov, S. A. Blokhin, V. Yu. Mylnikov, V. I. Kuchinskii, V. M. Ustinov, È. U. Rafailov, G. S. Sokolovskii, “Peaking of optical pulses in vertical-cavity surface-emitting lasers with an active region based on submonolayer InGaAs quantum dots”, Tech. Phys. Lett., 43:12 (2017), 1099–1101 |
1
|
| 45. |
Д. В. Мохов, Т. Н. Березовская, А. Г. Кузьменков, Н. А. Малеев, С. Н. Тимошнев, В. М. Устинов, “Прецизионная калибровка уровня легирования кремнием эпитаксиальных слоев арсенида галлия”, Письма в ЖТФ, 43:19 (2017), 87–94 ; D. V. Mokhov, T. N. Berezovskaya, A. G. Kuz'menkov, N. A. Maleev, S. N. Timoshnev, V. M. Ustinov, “Precision calibration of the silicon doping level in gallium arsenide epitaxial layers”, Tech. Phys. Lett., 43:10 (2017), 909–911 |
2
|
|
2016 |
| 46. |
М. А. Бобров, Н. А. Малеев, С. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, А. А. Блохин, А. П. Васильев, Ю. А. Гусева, М. М. Кулагина, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, В. Лисак, В. М. Устинов, “Поляризационные характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм с внутрирезонаторными контактами и ромбовидной оксидной токовой апертурой”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1408–1413 ; M. A. Bobrov, N. A. Maleev, S. A. Blokhin, A. G. Kuz'menkov, A. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, Yu. A. Guseva, M. M. Kulagina, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, V. Lisak, V. M. Ustinov, “Polarization characteristics of 850-nm vertical-cavity surface-emitting lasers with intracavity contacts and a rhomboidal oxide current aperture”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1390–1395 |
6
|
| 47. |
С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, А. А. Блохин, А. П. Васильев, Ю. А. Гусева, М. М. Кулагина, И. О. Карповский, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, Н. Д. Прасолов, П. Н. Брунков, В. С. Левицкий, В. Лисак, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, “Исследования диэлектрических распределенных брэгговских отражателей для вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона”, Письма в ЖТФ, 42:20 (2016), 57–65 ; S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, Yu. A. Guseva, M. M. Kulagina, I. O. Karpovskii, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, N. D. Prasolov, P. N. Brunkov, V. S. Levitskii, V. Lisak, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, “A study of distributed dielectric Bragg reflectors for vertically emitting lasers of the near-IR range”, Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1049–1053 |
5
|
| 48. |
С. А. Блохин, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, А. А. Блохин, А. П. Васильев, И. О. Карповский, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, В. Н. Неведомский, Е. В. Никитина, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, “Лазерная генерация вертикальных микрорезонаторов с массивами квантовых точек InAs/InGaAs на длине волны 1.3 $\mu$m при оптической накачке”, Письма в ЖТФ, 42:19 (2016), 70–79 ; S. A. Blokhin, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, I. O. Karpovskii, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, V. N. Nevedomskiy, E. V. Nikitina, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, “Laser generation at 1.3 $\mu$m in vertical microcavities containing InAs/InGaAs quantum dot arrays under optical pumping”, Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1009–1012 |
3
|
|
2015 |
| 49. |
Н. А. Малеев, С. А. Блохин, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, А. А. Блохин, P. Moser, J. A. Lott, D. Bimberg, В. М. Устинов, “Исследование быстродействующих полупроводниковых вертикально-излучающих лазеров на основе AlInGaAs наногетероструктур с большой спектральной расстройкой усиления”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 89–93 ; N. A. Maleev, S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. A. Blokhin, P. Moser, J. A. Lott, D. Bimberg, V. M. Ustinov, “Study of high-speed semiconductor VCSELs based on AlInGaAs heterostructures with large gain-cavity detuning”, Semiconductors, 49:1 (2015), 88–91 |
|
2014 |
| 50. |
М. А. Бобров, С. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, Н. А. Малеев, А. А. Блохин, Ю. М. Задиранов, Е. В. Никитина, В. М. Устинов, “Влияние времени жизни фотонов в оптическом микрорезонаторе на характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм с легированными распределенными брэгговскими отражателями и оксидной токовой апертурой”, Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014), 1697–1703 ; M. A. Bobrov, S. A. Blokhin, A. G. Kuz'menkov, N. A. Maleev, A. A. Blokhin, Yu. M. Zadiranov, E. V. Nikitina, V. M. Ustinov, “Effect of the photon lifetime on the characteristics of 850-nm vertical-cavity surface-emitting lasers with fully doped distributed Bragg reflectors and an oxide current aperture”, Semiconductors, 48:12 (2014), 1657–1663 |
4
|
| 51. |
С. А. Блохин, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, А. С. Паюсов, А. М. Надточий, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, Н. А. Малеев, Н. Н. Леденцов, В. М. Устинов, Д. Бимберг, “Надежные вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 850 нм для оптической передачи данных на скорости 25 Гбит/с”, Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014), 81–87 ; S. A. Blokhin, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, A. S. Payusov, A. M. Nadtochiy, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, N. A. Maleev, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, D. Bimberg, “Degradation-robust 850-nm vertical-cavity surface-emitting lasers for 25Gb/s optical data transmission”, Semiconductors, 48:1 (2014), 77–82 |
4
|
| 52. |
С. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, А. Г. Гладышев, А. П. Васильев, А. А. Блохин, М. А. Бобров, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, “Прецизионная калибровка толщин и состава слоев эпитаксиальных гетероструктур AlGaAs с вертикальным оптическим микрорезонатором”, Письма в ЖТФ, 40:24 (2014), 22–30 ; S. A. Blokhin, A. G. Kuz'menkov, A. G. Gladyshev, A. P. Vasil'ev, A. A. Blokhin, M. A. Bobrov, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, “Precise calibration of thickness and composition of epitaxial AlGaAs heterostructures with vertical-cavity optical microresonators”, Tech. Phys. Lett., 40:12 (2014), 1098–1102 |
1
|
|
2013 |
| 53. |
Н. А. Малеев, А. Г. Кузьменков, М. М. Кулагина, Ю. М. Задиранов, А. П. Васильев, С. А. Блохин, А. С. Шуленков, С. И. Трошков, А. Г. Гладышев, А. М. Надточий, М. М. Павлов, М. А. Бобров, Д. Е. Назарук, В. М. Устинов, “Пространственно-одномодовые полупроводниковые вертикально излучающие лазеры с неплоским верхним распределенным брэгговским отражателем”, Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013), 985–989 ; N. A. Maleev, A. G. Kuz'menkov, M. M. Kulagina, Yu. M. Zadiranov, A. P. Vasil'ev, S. A. Blokhin, A. S. Shulenkov, S. I. Troshkov, A. G. Gladyshev, A. M. Nadtochiy, M. M. Pavlov, M. A. Bobrov, D. E. Nazaruk, V. M. Ustinov, “Single-spatial-mode semiconductor VCSELs with a nonplanar upper dielectric DBR”, Semiconductors, 47:7 (2013), 993–996 |
14
|
| 54. |
С. А. Блохин, М. А. Бобров, Н. А. Малеев, А. Г. Кузьменков, В. В. Стеценко, М. М. Павлов, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, Ю. М. Задиранов, А. Ю. Егоров, В. М. Устинов, “Влияние оптических потерь на динамические характеристики линейных матричных излучателей на основе вертикально-излучающих лазеров ближнего инфракрасного диапазона”, Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013), 833–837 ; S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, N. A. Maleev, A. G. Kuz'menkov, V. V. Stetsenko, M. M. Pavlov, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, Yu. M. Zadiranov, A. Yu. Egorov, V. M. Ustinov, “Influence of optical losses on the dynamic characteristics of linear arrays of near-infrared vertical-cavity surface-emitting lasers”, Semiconductors, 47:6 (2013), 844–848 |
4
|
| 55. |
С. А. Блохин, А. М. Надточий, А. А. Красивичев, Л. Я. Карачинский, А. П. Васильев, В. Н. Неведомский, М. В. Максимов, Г. Э. Цырлин, А. Д. Буравлев, Н. А. Малеев, А. Е. Жуков, Н. Н. Леденцов, В. М. Устинов, “Оптическая анизотропия квантовых точек InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013), 87–91 ; S. A. Blokhin, A. M. Nadtochiy, A. A. Krasivichev, L. Ya. Karachinsky, A. P. Vasil'ev, V. N. Nevedomskiy, M. V. Maksimov, G. È. Cirlin, A. D. Bouravlev, N. A. Maleev, A. E. Zhukov, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, “Optical anisotropy of InGaAs quantum dots”, Semiconductors, 47:1 (2013), 85–89 |
1
|
|
2012 |
| 56. |
А. В. Бобыль, С. Г. Конников, В. М. Устинов, М. В. Байдакова, Н. А. Малеев, Д. А. Саксеев, Р. В. Конакова, В. В. Миленин, И. В. Прокопенко, “Радиационно-стимулированная деградация поверхности GaAs и транзисторных структур с высокой подвижностью электронов”, Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012), 833–844 ; A. V. Bobyl', S. G. Konnikov, V. M. Ustinov, M. V. Baidakova, N. A. Maleev, D. A. Sakseev, R. V. Konakova, V. V. Milenin, I. V. Prokopenko, “Radiation-induced surface degradation of GaAs and high electron mobility transistor structures”, Semiconductors, 46:6 (2012), 814–824 |
4
|
| 57. |
А. М. Надточий, С. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, М. В. Максимов, Н. А. Малеев, С. И. Трошков, Н. Н. Леденцов, В. М. Устинов, A. Mutig, D. Bimberg, “Способ уменьшения паразитной емкости вертикально-излучающего лазера с селективно-окисленной апертурой”, Письма в ЖТФ, 38:3 (2012), 10–16 ; A. M. Nadtochiy, S. A. Blokhin, A. G. Kuz'menkov, M. V. Maksimov, N. A. Maleev, S. I. Troshkov, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, A. Mutig, D. Bimberg, “Decreasing parasitic capacitance in vertical-cavity surface-emitting laser with selectively oxidized aperture”, Tech. Phys. Lett., 38:2 (2012), 106–109 |
6
|
|
2011 |
| 58. |
В. Г. Тихомиров, Н. А. Малеев, А. Г. Кузьменков, Ю. В. Соловьев, А. Г. Гладышев, М. М. Кулагина, В. Е. Земляков, К. В. Дудинов, В. Б. Янкевич, А. В. Бобыль, В. М. Устинов, “Исследование влияния параметров затворной области на статические характеристики полевых СВЧ-транзисторов на основе псевдоморфных гетероструктур AlGaAs–InGaAs–GaAs”, Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011), 1405–1409 ; V. G. Tikhomirov, N. A. Maleev, A. G. Kuz'menkov, Yu. V. Solov’ev, A. G. Gladyshev, M. M. Kulagina, V. E. Zemlyakov, K. V. Dudinov, V. B. Yankevich, A. V. Bobyl', V. M. Ustinov, “Study of the effect of the gate region parameters on static characteristics of microwave field-effect transistors based on pseudomorphic AlGaAs-InGaAs-GaAs heterostructures”, Semiconductors, 45:10 (2011), 1352–1356 |
5
|
| 59. |
Н. А. Малеев, А. Г. Кузьменков, А. С. Шуленков, С. А. Блохин, М. М. Кулагина, Ю. М. Задиранов, В. Г. Тихомиров, А. Г. Гладышев, А. М. Надточий, Е. В. Никитина, J. A. Lott, В. Н. Сведе-Швец, Н. Н. Леденцов, В. М. Устинов, “Матрицы вертикально излучающих лазеров спектрального диапазона 960 нм”, Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011), 836–839 ; N. A. Maleev, A. G. Kuz'menkov, A. S. Shulenkov, S. A. Blokhin, M. M. Kulagina, Yu. M. Zadiranov, V. G. Tikhomirov, A. G. Gladyshev, A. M. Nadtochiy, E. V. Nikitina, J. A. Lott, V. N. Svede-Shvets, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, “Matrices of 960-nm vertical-cavity surface-emitting lasers”, Semiconductors, 45:6 (2011), 818–821 |
2
|
| 60. |
А. Г. Гладышев, М. М. Кулагина, С. А. Блохин, А. А. Красивичев, Л. Я. Карачинский, А. П. Васильев, Н. А. Малеев, В. М. Устинов, “Технология формирования субмикронного поверхностного рельефа для эпитаксиальных структур GaAs с тонкими стоп-слоями AlGaAs”, Письма в ЖТФ, 37:24 (2011), 9–15 ; A. G. Gladyshev, M. M. Kulagina, S. A. Blokhin, A. A. Krasivichev, L. Ya. Karachinsky, A. P. Vasil'ev, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, “Submicron surface relief fabrication technology for epitaxial GaAs structures with thin AlGaAs stop layers”, Tech. Phys. Lett., 37:12 (2011), 1145–1148 |
|
2010 |
| 61. |
К. В. Маремьянин, Д. М. Ермолаев, Д. В. Фатеев, С. В. Морозов, Н. А. Малеев, В. Е. Земляков, В. И. Гавриленко, В. В. Попов, С. Ю. Шаповал, “Широкоапертурный детектор терагерцового излучения на основе транзисторной структуры GaAs/InGaAs со щелевым решеточным затвором большой площади”, Письма в ЖТФ, 36:8 (2010), 39–47 ; K. V. Marem'yanin, D. M. Ermolaev, D. V. Fateev, S. V. Morozov, N. A. Maleev, V. E. Zemlyakov, V. I. Gavrilenko, V. V. Popov, S. Yu. Shapoval, “Wide-aperture detector of terahertz radiation based on GaAs/InGaAs transistor structure with large-area slit grating gate”, Tech. Phys. Lett., 36:4 (2010), 365–368 |
10
|
|
2001 |
| 62. |
В. М. Устинов, Н. А. Малеев, А. Е. Жуков, А. Р. Ковш, А. В. Сахаров, Б. В. Воловик, А. Ф. Цацульников, Н. Н. Леденцов, Ж. И. Алфёров, Д. А. Лотт, Д. Бимберг, “Вертикально-излучающие приборы на основе структур с квантовыми точками”, УФН, 171:8 (2001), 855–857 ; V. M. Ustinov, N. A. Maleev, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, A. V. Sakharov, B. V. Volovik, A. F. Tsatsul'nikov, N. N. Ledentsov, Zh. I. Alferov, J. A. Lott, D. Bimberg, “Vertical-cavity emitting devices with quantum-dot structures”, Phys. Usp., 44:8 (2001), 813–815 |
1
|
|
Обратная связь: