|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
С. А. Кукушкин, Н. И. Руль, Е. В. Убыйвовк, А. В. Осипов, В. В. Романов, Н. Т. Баграев, “Магнитная восприимчивость гибридных структур SiC/Si, синтезированных методом самосогласованного замещения атомов”, Физика твердого тела, 67:4 (2025), 624–634  |
| 2. |
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Е. В. Убыйвовк, Е. В. Осипова, Ш. Ш. Шарофидинов, “Механизм роста эпитаксиальных слоев Ga$_2$O$_3$ методом хлорид-гидридной эпитаксии на подложке SiC/Si (110)”, Физика твердого тела, 67:1 (2025), 105–113  |
|
2024 |
| 3. |
Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, С. А. Кукушкин, А. М. Mаляренко, А. В. Осипов, В. В. Романов, Н. И. Руль, К. Б. Таранец, “Андреевские генераторы терагерцевого излучения”, Физика твердого тела, 66:11 (2024), 2052–2058 |
| 4. |
А. В. Осипов, Ш. Ш. Шарофидинов, Е. В. Осипова, А. В. Редьков, С. А. Кукушкин, “Влияние олова на свойства нитрида галлия, выращенного методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии”, Физика твердого тела, 66:8 (2024), 1338–1343 |
| 5. |
С. А. Кукушкин, М. Г. Воробьев, А. В. Осипов, А. С. Гращенко, Е. В. Убыйвовк, “Эволюция структуры при превращении Si в SiC методом самосогласованного замещения атомов”, Физика твердого тела, 66:7 (2024), 1133–1143 |
| 6. |
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Взаимодействие кремниевых вакансий в карбиде кремния”, Письма в ЖТФ, 50:21 (2024), 19–23 |
|
2023 |
| 7. |
Ю. А. Еремеев, М. Г. Воробьев, А. С. Гращенко, А. В. Семенча, А. В. Осипов, С. А. Кукушкин, “Изменение упругих деформаций в пленках SiC в процессе роста методом согласованного замещения атомов на подложках Si”, Физика твердого тела, 65:1 (2023), 71–75 |
| 8. |
А. Д. Буравлев, А. Н. Казакин, Ю. А. Нащекина, А. В. Нащекин, Е. В. Убыйвовк, В. А. Астраханцева, А. В. Осипов, Г. В. Святец, С. А. Кукушкин, “Формирование биосовместимых SiC-нанотрубок “сверху-вниз””, Физика и техника полупроводников, 57:5 (2023), 343–347 |
| 9. |
А. В. Осипов, Ш. Ш. Шарофидинов, А. В. Кремлева, Е. В. Осипова, А. М. Смирнов, С. А. Кукушкин, “Фазовые превращения в слоях оксида галлия”, Письма в ЖТФ, 49:17 (2023), 6–9 |
| 10. |
Л. К. Марков, С. А. Кукушкин, А. С. Павлюченко, И. П. Смирнова, А. В. Сахаров, А. Е. Николаев, А. С. Гращенко, А. В. Осипов, А. Ф. Цацульников, “Тонкопленочный светодиод на основе слоев AlInGaN, выращенных на гибридных подложках SiC/Si”, Письма в ЖТФ, 49:15 (2023), 3–6 |
| 11. |
С. А. Кукушкин, Л. К. Марков, А. В. Осипов, Г. В. Святец, А. Е. Черняков, С. И. Павлов, “Теплопроводность гибридных подложек SiC/Si для роста светодиодных гетероструктур”, Письма в ЖТФ, 49:14 (2023), 19–21 |
| 12. |
Т. Т. Кондратенко, А. С. Гращенко, А. В. Осипов, А. В. Редьков, Е. В. Убыйвовк, Ш. Ш. Шарофидинов, С. А. Кукушкин, “Рост пленок SiC, AlN и GaN на кремниевых изделиях произвольной геометрии для микроэлектромеханических применений”, Письма в ЖТФ, 49:11 (2023), 3–6 |
|
2022 |
| 13. |
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Е. В. Осипова, В. М. Стожаров, “Исследование этапов превращения кремния в карбид кремния в процессе атомного замещения методами полного внешнего отражения рентгеновских лучей и рентгеновской дифрактомерии”, Физика твердого тела, 64:3 (2022), 326–336 |
1
|
| 14. |
А. А. Корякин, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Ш. Ш. Шарофидинов, “Режимы роста пленок нитрида алюминия на гибридных подложках SiC/Si(111)”, Физика твердого тела, 64:1 (2022), 117–124 |
| 15. |
Н. Т. Баграев, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, В. Л. Уголков, “Фазовые переходы в эпитаксиальных слоях карбида кремния, выращенных на кремниевой подложке методом согласованного замещения атомов”, Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022), 715–718 |
| 16. |
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Е. В. Осипова, “Спинтронные свойства границы раздела между Si(111) и 3$C$-SiC(111), выращенным методом согласованного замещения атомов”, Письма в ЖТФ, 48:20 (2022), 43–46 |
| 17. |
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. В. Редьков, В. М. Стожаров, Е. В. Убыйвовк, Ш. Ш. Шарофидинов, “Особенности зарождения и роста нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si методом хлорид-гидридной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 48:4 (2022), 24–28 |
|
2021 |
| 18. |
С. А. Кукушкин, Ш. Ш. Шарофидинов, А. В. Осипов, А. С. Гращенко, А. В. Кандаков, Е. В. Осипова, К. П. Котляр, Е. В. Убыйвовк, “Самоорганизация состава пленок Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N, выращенных на гибридных подложках SiC/Si”, Физика твердого тела, 63:3 (2021), 363–369 ; S. A. Kukushkin, Sh. Sh. Sharofidinov, A. V. Osipov, A. S. Grashchenko, A. V. Kandakov, E. V. Osipova, K. P. Kotlyar, E. V. Ubyivovk, “Self-organization of the composition of Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N films grown on hybrid SiC/Si substrates”, Phys. Solid State, 63:3 (2021), 442–448 |
9
|
| 19. |
Н. Т. Баграев, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, В. С. Хромов, “Регистрация терагерцового излучения с помощью наноструктур карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1195–1202 |
2
|
| 20. |
Н. Т. Баграев, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, В. С. Хромов, “Терагерцовое излучение из наноструктур карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 1027–1033 |
3
|
| 21. |
И. В. Илькив, К. П. Котляр, Д. А. Кириленко, А. В. Осипов, И. П. Сошников, А. Н. Терпицкий, Г. Э. Цырлин, “Формирование гексагональной фазы германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 621–624 ; I. V. Ilkiv, K. P. Kotlyar, D. A. Kirilenko, A. V. Osipov, I. P. Sotnikov, A. N. Terpitsky, G. E. Cirlin, “Formation of hexagonal germanium on AlGaAs nanowire surfaces by molecular-beam epitaxy”, Semiconductors, 55:8 (2021), 678–681 |
2
|
| 22. |
Н. Т. Баграев, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, В. В. Романов, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, В. С. Хромов, “Магнитные свойства тонких эпитаксиальных слоев SiC, выращенных методом самосогласованного замещения атомов на поверхностях монокристаллического кремния”, Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021), 103–111 ; N. T. Bagraev, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, V. V. Romanov, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, V. S. Khromov, “Magnetic properties of thin epitaxial SiC layers grown by the atom-substitution method on single-crystal silicon surfaces”, Semiconductors, 55:2 (2021), 137–145 |
13
|
| 23. |
А. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. В. Редьков, “Механические свойства композитного покрытия SiC на графите, полученного методом замещения атомов”, Письма в ЖТФ, 47:20 (2021), 7–10 |
| 24. |
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Термодинамическая стабильность твердых растворов In$_{x}$Ga$_{1-x}$N”, Письма в ЖТФ, 47:19 (2021), 51–54 |
2
|
| 25. |
Л. К. Марков, С. А. Кукушкин, И. П. Смирнова, А. С. Павлюченко, А. С. Гращенко, А. В. Осипов, Г. В. Святец, А. Е. Николаев, А. В. Сахаров, В. В. Лундин, А. Ф. Цацульников, “Светодиод на основе AlInGaN-гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления”, Письма в ЖТФ, 47:18 (2021), 3–6 ; L. K. Markov, S. A. Kukushkin, I. P. Smirnova, A. S. Pavluchenko, A. S. Grashchenko, A. V. Osipov, G. V. Svyatets, A. E. Nikolaev, A. V. Sakharov, V. V. Lundin, A. F. Tsatsul'nikov, “A light-emitting diode based on alingan heterostructures grown on SiC/Si substrates and its fabrication technology”, Tech. Phys. Lett., 48:2 (2022), 31–34 |
3
|
| 26. |
Н. А. Черкашин, А. В. Сахаров, А. Е. Николаев, В. В. Лундин, С. О. Усов, В. М. Устинов, А. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. Ф. Цацульников, “Особенности эпитаксиального роста III – N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si”, Письма в ЖТФ, 47:15 (2021), 15–18 ; N. A. Cherkashin, A. V. Sakharov, A. E. Nikolaev, V. V. Lundin, S. O. Usov, V. M. Ustinov, A. S. Grashchenko, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, A. F. Tsatsul'nikov, “Peculiarities of epitaxial growth of III – N led heterostructures on SiC/Si substrates”, Tech. Phys. Lett., 47:10 (2021), 753–756 |
6
|
| 27. |
А. А. Корякин, Ю. А. Еремеев, А. В. Осипов, С. А. Кукушкин, “Влияние пористости слоя кремния на упругие свойства гибридных подложек SiC/Si”, Письма в ЖТФ, 47:3 (2021), 25–28 ; A. A. Koryakin, Yu. A. Eremeev, A. V. Osipov, S. A. Kukushkin, “The influence of the porosity of silicon layer on the elastic properties of hybrid SiC/Si substrates”, Tech. Phys. Lett., 47:2, 126–129 |
4
|
|
2020 |
| 28. |
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Оптические свойства, зонная структура и проводимость межфазной границы раздела гетероструктуры 3$C$-SiC(111)/Si(111), выращенной методом замещения атомов”, Письма в ЖТФ, 46:22 (2020), 3–5 ; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “The optical properties, energy band structure, and interfacial conductance of a 3$C$-SiC(111)/Si(111) heterostructure grown by the method of atomic substitution”, Tech. Phys. Lett., 46:11 (2020), 1103–1106 |
9
|
| 29. |
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. И. Романычев, И. А. Касаткин, А. С. Лошаченко, “Низкотемпературный рост кубической фазы CdS методом атомно-слоевого осаждения на гибридных подложках SiC/Si”, Письма в ЖТФ, 46:21 (2020), 3–6 ; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, A. I. Romanychev, I. A. Kasatkin, A. S. Loshachenko, “Low-temperature growth of the CdS cubic phase by atomic-layer deposition on SiC/Si hybrid substrates”, Tech. Phys. Lett., 46:11 (2020), 1049–1052 |
3
|
| 30. |
А. С. Гращенко, А. С. Кукушкин, А. В. Осипов, “Покрытие наноструктурированной профилированной поверхности Si слоем SiC”, Письма в ЖТФ, 46:20 (2020), 19–22 ; A. S. Grashchenko, A. S. Kukushkin, A. V. Osipov, “Coating of nanostructured profiled Si surface with a SiC layer”, Tech. Phys. Lett., 46:10 (2020), 1012–1015 |
2
|
| 31. |
Д. Д. Авров, А. Н. Горляк, А. О. Лебедев, В. В. Лучинин, А. В. Марков, А. В. Осипов, М. Ф. Панов, С. А. Кукушкин, “Сравнительный эллипсометрический анализ политипов карбида кремния 4$H$, 15$R$, 6$H$, полученных модифицированным методом Лели в одном ростовом процессе”, Письма в ЖТФ, 46:19 (2020), 28–31 ; D. D. Avrov, A. N. Gorlyak, A. O. Lebedev, V. V. Luchinin, A. V. Markov, A. V. Osipov, M. F. Panov, S. A. Kukushkin, “Comparative ellipsometric analysis of silicon carbide polytypes 4$H$, 15$R$, and 6$H$ produced by a modified Lely method in the same growth process”, Tech. Phys. Lett., 46:10 (2020), 968–971 |
4
|
| 32. |
А. В. Осипов, А. С. Гращенко, А. Н. Горляк, А. О. Лебедев, В. В. Лучинин, А. В. Марков, М. Ф. Панов, С. А. Кукушкин, “Исследование методом наноиндентирования твердости и модуля Юнга в тонких приповерхностных слоях карбида кремния со стороны Si- и C-граней”, Письма в ЖТФ, 46:15 (2020), 36–38 ; A. V. Osipov, A. S. Grashchenko, A. N. Gorlyak, A. O. Lebedev, V. V. Luchinin, A. V. Markov, M. F. Panov, S. A. Kukushkin, “Investigation of the hardness and Young's modulus in thin near-surface layers of silicon carbide from the Si- and C-faces by nanoindentation”, Tech. Phys. Lett., 46:8 (2020), 763–766 |
10
|
| 33. |
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. В. Редьков, Ш. Ш. Шарофидинов, “Рост объемных эпитаксиальных пленок AlN полуполярной ориентации на подложках Si (001) и гибридных подложках SiC/Si (001)”, Письма в ЖТФ, 46:11 (2020), 22–25 ; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, A. V. Redkov, Sh. Sh. Sharofidinov, “Epitaxial growth of bulk semipolar aln films on Si(001) and hybrid SiC/Si(001) substrates”, Tech. Phys. Lett., 46:6 (2020), 539–542 |
5
|
|
2019 |
| 34. |
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Механизм диффузии монооксидов углерода и кремния в кристалле кубического карбида кремния”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2334–2337 ; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Mechanism of diffusion of carbon and silicon monooxides in a cubic silicon carbide crystal”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2338–2341 |
2
|
| 35. |
А. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Исследование упругих свойств пленок SiC, синтезированных на подложках Si методом замещения атомов”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2313–2315 ; A. S. Grashchenko, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Study of elastic properties of SiC films synthesized on Si substrates by the method of atomic substitution”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2310–2312 |
6
|
| 36. |
А. М. Мизеров, С. А. Кукушкин, Ш. Ш. Шарофидинов, А. В. Осипов, С. Н. Тимошнев, К. Ю. Шубина, Т. Н. Березовская, Д. В. Мохов, А. Д. Буравлев, “Метод управления полярностью слоев GaN при эпитаксиальном синтезе GaN/AlN гетероструктур на гибридных подложках SiC/Si”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2289–2293 ; A. M. Mizerov, S. A. Kukushkin, Sh. Sh. Sharofidinov, A. V. Osipov, S. N. Timoshnev, K. Yu. Shubina, T. N. Berezovskaya, D. V. Mokhov, A. D. Bouravlev, “Method for controlling the polarity of gallium nitride layers in epitaxial synthesis of GaN/AlN heterostructures on hybrid SiC/Si substrates”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2277–2281 |
4
|
| 37. |
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Пути политипных превращений в карбиде кремния”, Физика твердого тела, 61:8 (2019), 1443–1447 ; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Pathways of transitions between polytypes in silicon carbide”, Phys. Solid State, 61:8 (2019), 1389–1393 |
| 38. |
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Н. А. Феоктистов, “Двухстадийная конверсия кремния в наноструктурированный углерод методом согласованного замещения атомов”, Физика твердого тела, 61:3 (2019), 587–593 ; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, N. A. Feoktistov, “Two-stage conversion of silicon to nanostructured carbon by the method of coordinated atomic substitution”, Phys. Solid State, 61:3 (2019), 456–463 |
6
|
| 39. |
А. В. Редьков, А. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, К. П. Котляр, А. И. Лихачев, А. В. Нащекин, И. П. Сошников, “Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов”, Физика твердого тела, 61:3 (2019), 433–440 ; A. V. Redkov, A. S. Grashchenko, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, K. P. Kotlyar, A. I. Lihachev, A. V. Nashchekin, I. P. Soshnikov, “Studying evolution of the ensemble of micropores in a SiC/Si structure during its growth by the method of atom substitution”, Phys. Solid State, 61:3 (2019), 299–306 |
15
|
| 40. |
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Микроскопическое описание механизма перехода между политипами 2$H$ и 4$H$ карбида кремния”, Физика твердого тела, 61:3 (2019), 422–425 ; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Microscopic description of the mechanism of transition between the 2$H$ and 4$H$ polytypes of silicon carbide”, Phys. Solid State, 61:3 (2019), 288–291 |
4
|
| 41. |
С. А. Кукушкин, А. М. Мизеров, А. С. Гращенко, А. В. Осипов, Е. В. Никитина, С. Н. Тимошнев, А. Д. Буравлев, М. С. Соболев, “Фотоэлектрические свойства слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с плазменной активацией на подложках Si(111) и эпитаксиальных слоях SiC на Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 190–198 ; S. A. Kukushkin, A. M. Mizerov, A. S. Grashchenko, A. V. Osipov, E. V. Nikitina, S. N. Timoshnev, A. D. Bouravlev, M. S. Sobolev, “Photoelectric properties of GaN layers grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy on Si(111) substrates and SiC/Si(111) epitaxial layers”, Semiconductors, 53:2 (2019), 180–187 |
4
|
| 42. |
В. В. Антипов, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Эпитаксиальный рост cульфида цинка методом молекулярного наслаивания на гибридных подложках SiC/Si”, Письма в ЖТФ, 45:21 (2019), 11–14 ; V. V. Antipov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Epitaxial growth of zinc sulfide by atomic layer deposition on SiC/Si hybrid substrates”, Tech. Phys. Lett., 45:11 (2019), 1075–1077 |
2
|
| 43. |
Ш. Ш. Шарофидинов, С. А. Кукушкин, А. В. Редьков, А. С. Гращенко, А. В. Осипов, “Рост полупроводниковых III–V гетероструктур на подложках SiC/Si”, Письма в ЖТФ, 45:14 (2019), 24–27 ; Sh. Sh. Sharofidinov, S. A. Kukushkin, A. V. Redkov, A. S. Grashchenko, A. V. Osipov, “Growing III–V semiconductor heterostructures on SiC/Si substrates”, Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 711–713 |
18
|
| 44. |
Г. В. Бенеманская, П. А. Дементьев, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, С. Н. Тимошнев, “Новый тип углеродной наноструктуры на вицинальной поверхности SiС(111)-8$^\circ$”, Письма в ЖТФ, 45:5 (2019), 17–20 ; G. V. Benemanskaya, P. A. Dementev, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, S. N. Timoshnev, “A new type of carbon nanostructure on a vicinal SiС(111)-8$^\circ$ surface”, Tech. Phys. Lett., 45:3 (2019), 201–204 |
8
|
|
2018 |
| 45. |
Ю. Э. Китаев, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. В. Редьков, “Новая тригональная (ромбоэдрическая) фаза SiC: ab initio расчеты, симметрийный анализ и рамановские спектры”, Физика твердого тела, 60:10 (2018), 2022–2027 ; Yu. È. Kitaev, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, A. V. Redkov, “A new trigonal (rhombohedral) sic phase: ab initio calculations, a symmetry analysis and the Raman spectra”, Phys. Solid State, 60:10 (2018), 2066–2071 |
4
|
| 46. |
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Механизм образования углеродно-вакансионных структур в карбиде кремния при его росте методом замещения атомов”, Физика твердого тела, 60:9 (2018), 1841–1846 ; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Mechanism of formation of carbon–vacancy structures in silicon carbide during its growth by atomic substitution”, Phys. Solid State, 60:9 (2018), 1891–1896 |
11
|
| 47. |
А. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, В. И. Николаев, А. В. Осипов, Е. В. Осипова, И. П. Сошников, “Исследование анизотропных упругопластических свойств пленок $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$, синтезированных на подложках SiC/Si”, Физика твердого тела, 60:5 (2018), 851–856 ; A. S. Grashchenko, S. A. Kukushkin, V. I. Nikolaev, A. V. Osipov, E. V. Osipova, I. P. Soshnikov, “Study of the anisotropic elastoplastic properties of $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ films synthesized on SiC/Si substrates”, Phys. Solid State, 60:5 (2018), 852–857 |
25
|
| 48. |
В. В. Антипов, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, В. П. Рубец, “Эпитаксиальный рост пленок селенида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния”, Физика твердого тела, 60:3 (2018), 499–504 ; V. V. Antipov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, V. P. Rubets, “Epitaxial growth of cadmium selenide films on silicon with a silicon carbide buffer layer”, Phys. Solid State, 60:3 (2018), 504–509 |
6
|
| 49. |
И. П. Калинкин, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Влияние химической подготовки поверхности кремния на качество и структуру эпитаксиальных пленок карбида кремния, синтезированных методом замещения атомов”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 656–663 ; I. P. Kalinkin, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Effect of chemical treatment of a silicon surface on the quality and structure of silicon-carbide epitaxial films synthesized by atom substitution”, Semiconductors, 52:6 (2018), 802–808 |
19
|
| 50. |
R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, I. P. Soshnikov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, G. E. Cirlin, “MBE growth and structural properties of InAs and InGaAs nanowires with different mole fraction of In on Si and strongly mismatched SiC/Si(111) substrates”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 522 ; Semiconductors, 52:5 (2018), 651–653 |
2
|
|
2017 |
| 51. |
С. А. Грудинкин, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Н. А. Феоктистов, “ИК-спектры углерод-вакансионных кластеров при топохимическом превращении кремния в карбид кремния”, Физика твердого тела, 59:12 (2017), 2403–2408 ; S. A. Grudinkin, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, N. A. Feoktistov, “IR spectra of carbon-vacancy clusters in the topochemical transformation of silicon into silicon carbide”, Phys. Solid State, 59:12 (2017), 2430–2435 |
8
|
| 52. |
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Квантово-механическая модель дилатационных диполей при топохимическом синтезе карбида кремния из кремния”, Физика твердого тела, 59:6 (2017), 1214–1217 ; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “A quantum-mechanical model of dilatation dipoles in topochemical synthesis of silicon carbide from silicon”, Phys. Solid State, 59:6 (2017), 1238–1241 |
3
|
| 53. |
С. А. Кукушкин, К. Х. Нусупов, А. В. Осипов, Н. Б. Бейсенханов, Д. И. Бакранова, “Рентгеновская рефлектометрия и моделирование параметров эпитаксиальных пленок SiC на Si(111), выращенных методом замещения атомов”, Физика твердого тела, 59:5 (2017), 986–998 ; S. A. Kukushkin, K. Kh. Nussupov, A. V. Osipov, N. B. Beisenkhanov, D. I. Bakranova, “X-ray reflectometry and simulation of the parameters of SiC epitaxial films on Si(111), grown by the atomic substitution method”, Phys. Solid State, 59:5 (2017), 1014–1026 |
11
|
| 54. |
В. К. Егоров, Е. В. Егоров, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Структурная гетероэпитаксия при топохимическом превращении кремния в карбид кремния”, Физика твердого тела, 59:4 (2017), 755–761 ; V. K. Egorov, E. V. Egorov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Structural heteroepitaxy during topochemical transformation of silicon to silicon carbide”, Phys. Solid State, 59:4 (2017), 773–779 |
3
|
| 55. |
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, В. Н. Пантелеев, “Остановка и разворот дислокаций несоответствия при росте нитрида галлия на подложках SiC/Si”, Физика твердого тела, 59:4 (2017), 660–667 ; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, V. N. Panteleev, “Misfit dislocation locking and rotation during gallium nitride growth on SiC/Si substrates”, Phys. Solid State, 59:4 (2017), 674–681 |
4
|
| 56. |
В. В. Антипов, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Эпитаксиальный рост пленок теллурида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния”, Физика твердого тела, 59:2 (2017), 385–388 ; V. V. Antipov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Epitaxial growth of cadmium telluride films on silicon with a buffer silicon carbide layer”, Phys. Solid State, 59:2 (2017), 399–402 |
5
|
| 57. |
Ю. Э. Китаев, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Эволюция симметрии промежуточных фаз и их фононных спектров в процессе топохимического превращения кремния в карбид кремния”, Физика твердого тела, 59:1 (2017), 30–35 ; Yu. È. Kitaev, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Evolution of the symmetry of intermediate phases and their phonon spectra during the topochemical conversion of silicon into silicon carbide”, Phys. Solid State, 59:1 (2017), 28–33 |
6
|
| 58. |
Р. Р. Резник, К. П. Котляр, И. В. Штром, И. П. Сошников, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Г. Э. Цырлин, “Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидных нанокристаллов ультра малого диаметра на сильно рассогласованной подложке SiC/Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1525–1529 ; R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, I. V. Shtrom, I. P. Sotnikov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, G. E. Cirlin, “MBE growth of ultrathin III–V nanowires on a highly mismatched SiC/Si(111) substrate”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1472–1476 |
1
|
| 59. |
А. С. Гращенко, Н. А. Феоктистов, А. В. Осипов, Е. В. Калинина, С. А. Кукушкин, “Фотоэлектрические характеристики структур карбид кремния–кремний, выращенных методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 651–658 ; A. S. Grashchenko, N. A. Feoktistov, A. V. Osipov, E. V. Kalinina, S. A. Kukushkin, “Photoelectric characteristics of silicon carbide–silicon structures grown by the atomic substitution method in a silicon crystal lattice”, Semiconductors, 51:5 (2017), 621–627 |
10
|
| 60. |
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. В. Редьков, “Отделение эпитаксиальных гетероструктур III–N/SiC от подложки Si и их перенос на подложки других типов”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 414–420 ; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, A. V. Redkov, “Separation of III–N/SiC epitaxial heterostructure from a Si substrate and their transfer to other substrate types”, Semiconductors, 51:3 (2017), 396–401 |
13
|
| 61. |
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Эффект Горского при синтезе пленок карбида кремния из кремния методом топохимического замещения атомов”, Письма в ЖТФ, 43:13 (2017), 81–88 ; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “The Gorsky effect in the synthesis of silicon-carbide films from silicon by topochemical substitution of atoms”, Tech. Phys. Lett., 43:7 (2017), 631–634 |
17
|
|
2016 |
| 62. |
Р. Р. Резник, К. П. Котляр, И. В. Илькив, И. П. Сошников, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Е. В. Никитина, Г. Э. Цырлин, “Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика твердого тела, 58:10 (2016), 1886–1889 ; R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, I. V. Ilkiv, I. P. Soshnikov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, E. V. Nikitina, G. E. Cirlin, “Growth and optical properties of filamentary GaN nanocrystals grown on a hybrid SiC/Si(111) substrate by molecular beam epitaxy”, Phys. Solid State, 58:10 (2016), 1952–1955 |
11
|
| 63. |
С. А. Кукушкин, В. И. Николаев, А. В. Осипов, Е. В. Осипова, А. И. Печников, Н. А. Феоктистов, “Эпитаксиальный оксид галлия на подложках SiC/Si”, Физика твердого тела, 58:9 (2016), 1812–1817 ; S. A. Kukushkin, V. I. Nikolaev, A. V. Osipov, E. V. Osipova, A. I. Pechnikov, N. A. Feoktistov, “Epitaxial gallium oxide on a SiC/Si substrate”, Phys. Solid State, 58:9 (2016), 1876–1881 |
26
|
| 64. |
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. И. Романычев, “Эпитаксиальный рост оксида цинка методом молекулярного наслаивания на подложках SiC/Si”, Физика твердого тела, 58:7 (2016), 1398–1402 ; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, A. I. Romanychev, “Epitaxial growth of zinc oxide by the method of atomic layer deposition on SiC/Si substrates”, Phys. Solid State, 58:7 (2016), 1448–1452 |
22
|
| 65. |
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Р. С. Телятник, “Упругое взаимодействие точечных дефектов в кубических и гексагональных кристаллах”, Физика твердого тела, 58:5 (2016), 941–949 ; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, R. S. Telyatnik, “Elastic interaction of point defects in cubic and hexagonal crystals”, Phys. Solid State, 58:5 (2016), 971–980 |
14
|
| 66. |
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, О. Н. Сергеева, Д. А. Киселев, А. А. Богомолов, А. В. Солнышкин, Е. Ю. Каптелов, С. В. Сенкевич, И. П. Пронин, “Пироэлектрический и пьезоэлектрический отклики тонких пленок AlN, эпитаксиально выращенных на подложке SiC/Si”, Физика твердого тела, 58:5 (2016), 937–940 ; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, O. N. Sergeeva, D. A. Kiselev, A. A. Bogomolov, A. V. Solnyshkin, E. Yu. Kaptelov, S. V. Senkevich, I. P. Pronin, “Pyroelectric and piezoelectric responses of thin AlN films epitaxy-grown on a SiC/Si substrate”, Phys. Solid State, 58:5 (2016), 967–970 |
17
|
| 67. |
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Фазовое равновесие при образовании карбида кремния за счет топохимического превращения из кремния”, Физика твердого тела, 58:4 (2016), 725–729 ; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Phase equilibrium in the formation of silicon carbide by topochemical conversion of silicon”, Phys. Solid State, 58:4 (2016), 747–751 |
14
|
| 68. |
В. В. Антипов, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Эпитаксиальный рост пленок сульфида кадмия на кремнии”, Физика твердого тела, 58:3 (2016), 612–615 ; V. V. Antipov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Epitaxial growth of cadmium sulfide films on silicon”, Phys. Solid State, 58:3 (2016), 629–632 |
9
|
| 69. |
Г. В. Бенеманская, П. А. Дементьев, С. А. Кукушкин, М. Н. Лапушкин, А. В. Осипов, Б. В. Сеньковский, “Спектроскопия остовного уровня атомов углерода C 1$s$ на поверхности эпитаксиального слоя SiC/Si(111) 4$^\circ$ и интерфейса Cs/SiC/Si(111) 4$^\circ$”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1348–1352 ; G. V. Benemanskaya, P. A. Dementev, S. A. Kukushkin, M. N. Lapushkin, A. V. Osipov, B. V. Senkovskiy, “The C 1$s$ core level spectroscopy of carbon atoms at the surface SiC/Si(111)-4$^\circ$ layer and Cs/SiC/Si(111)-4$^\circ$ interface”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1327–1332 |
3
|
| 70. |
Г. В. Бенеманская, П. А. Дементьев, С. А. Кукушкин, М. Н. Лапушкин, А. В. Осипов, С. Н. Тимошнев, “Фотоэмиссионные исследования вицинальной поверхности SiC(100) 4$^\circ$ и интерфейса Cs/SiC(100) 4$^\circ$”, Письма в ЖТФ, 42:23 (2016), 51–57 ; G. V. Benemanskaya, P. A. Dementev, S. A. Kukushkin, M. N. Lapushkin, A. V. Osipov, S. N. Timoshnev, “Photoemission studies of the vicinal SiC(100) 4$^\circ$ surface and the Cs/SiC(100) 4$^\circ$ interface”, Tech. Phys. Lett., 42:12 (2016), 1145–1148 |
3
|
| 71. |
А. В. Редьков, А. В. Осипов, С. А. Кукушкин, “Моделирование процесса индентирования наномасштабных пленок на подложках методом молекулярной динамики”, Письма в ЖТФ, 42:12 (2016), 64–72 ; A. V. Redkov, A. V. Osipov, S. A. Kukushkin, “Molecular dynamics simulation of the indentation of nanoscale films on a substrate”, Tech. Phys. Lett., 42:6 (2016), 639–643 |
5
|
| 72. |
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Определение политипного состава пленок карбида кремния методом ультрафиолетовой эллипсометрии”, Письма в ЖТФ, 42:4 (2016), 16–22 ; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Determining polytype composition of silicon carbide films by UV ellipsometry”, Tech. Phys. Lett., 42:2 (2016), 175–178 |
16
|
|
2015 |
| 73. |
В. Н. Бессолов, А. С. Гращенко, Е. В. Коненкова, А. В. Мясоедов, А. В. Осипов, А. В. Редьков, С. Н. Родин, В. П. Рубец, С. А. Кукушкин, “Эффект воздействия $n$- и $p$-типа проводимости подложки Si(100) с буферным слоем SiC на механизм роста и структуру эпитаксиальных слоев полуполярных AlN и GaN”, Физика твердого тела, 57:10 (2015), 1916–1921 ; V. N. Bessolov, A. S. Grashchenko, E. V. Konenkova, A. V. Myasoedov, A. V. Osipov, A. V. Redkov, S. N. Rodin, V. P. Rubets, S. A. Kukushkin, “Effect of the $n$ and $p$-type Si(100) substrates with a SiC buffer layer on the growth mechanism and structure of epitaxial layers of semipolar AlN and GaN”, Phys. Solid State, 57:10 (2015), 1966–1971 |
| 74. |
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, М. М. Рожавская, А. В. Мясоедов, С. И. Трошков, В. В. Лундин, Л. М. Сорокин, А. Ф. Цацульников, “Рост и структура слоев GaN, выращенных на SiC, синтезированном на подложке Si методом замещения атомов: модель образования V-дефектов при росте GaN”, Физика твердого тела, 57:9 (2015), 1850–1858 ; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, M. M. Rozhavskaya, A. V. Myasoedov, S. I. Troshkov, V. V. Lundin, L. M. Sorokin, A. F. Tsatsul'nikov, “Growth and structure of GaN layers on silicon carbide synthesized on a Si substrate by the substitution of atoms: A model of the formation of V-defects during the growth of GaN”, Phys. Solid State, 57:9 (2015), 1899–1907 |
| 75. |
А. В. Тумаркин, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. В. Анкудинов, А. А. Одинец, “Роль упругой энергии в формировании сегнетоэлектрических пленок титаната бария-стронция на сапфире”, Физика твердого тела, 57:4 (2015), 796–801 ; A. V. Tumarkin, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, A. V. Ankudinov, A. A. Odinets, “Role of elastic energy in the formation of ferroelectric barium strontium titanate films on sapphire”, Phys. Solid State, 57:4 (2015), 815–819 |
5
|
| 76. |
Р. С. Телятник, А. В. Осипов, С. А. Кукушкин, “Релаксация деформаций несоответствия за счет пор и отслоений и условия образования дислокаций, трещин и гофров в эпитаксиальной гетероструктуре AlN(0001)/SiC/Si(111)”, Физика твердого тела, 57:1 (2015), 153–162 ; R. S. Telyatnik, A. V. Osipov, S. A. Kukushkin, “Pore- and delamination-induced mismatch strain relaxation and conditions for the formation of dislocations, cracks, and buckles in the epitaxial AlN(0001)/SiC/Si(111) heterostructure”, Phys. Solid State, 57:1 (2015), 162–172 |
18
|
| 77. |
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Равновесное состояние в трехэлементной системе Si–O–C при росте SiC методом химического замещения атомов”, Письма в ЖТФ, 41:6 (2015), 1–9 ; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “The equilibrium state in the Si–O–C ternary system during SiC growth by chemical substitution of atoms”, Tech. Phys. Lett., 41:3 (2015), 259–262 |
1
|
|
1998 |
| 78. |
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Процессы конденсации тонких пленок”, УФН, 168:10 (1998), 1083–1116 ; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Thin-film condensation processes”, Phys. Usp., 41:10 (1998), 983–1014  |
244
|
|
1992 |
| 79. |
И. А. Овидько, А. В. Осипов, “Расщепление дисклинаций и трансформация «кристалл$-$стекло» при механическом сплавлении”, Физика твердого тела, 34:1 (1992), 288–292 |
|
Обратная связь: