Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Осипов Андрей Викторович
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 106
Научных статей: 106

Статистика просмотров:
Эта страница:868
Страницы публикаций:27543
Полные тексты:14245
доктор физико-математических наук
E-mail:

Основные темы научной работы

физика, химия и механика фазовых превращений, рост и свойства эпитаксиальных полупроводниковых пленок

https://www.mathnet.ru/rus/person76098
Список публикаций на Google Scholar
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=18600

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2026
1. А. В. Осипов, А. С. Гращенко, Е. В. Осипова, Е. В. Убыйвовк, С. А. Кукушкин, “Кристаллическая структура и электронные свойства полукогерентной границы раздела 3C-SiC(111)/Si(111)”, Физика твердого тела, 68:3 (2026),  397–402  mathnet
2. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Природа стабильных и метастабильных состояний электронной структуры вакансионных нитей на поверхности карбида кремния”, Письма в ЖТФ, 52:5 (2026),  45–49  mathnet  elib
2025
3. Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, А. В. Осипов, С. А. Кукушкин, “Нано-электромагниты на основе гибридных SiC/Si наноструктур”, Физика твердого тела, 67:8 (2025),  1432–1436  mathnet  elib
4. С. А. Кукушкин, Н. И. Руль, Е. В. Убыйвовк, А. В. Осипов, В. В. Романов, Н. Т. Баграев, “Магнитная восприимчивость гибридных структур SiC/Si, синтезированных методом самосогласованного замещения атомов”, Физика твердого тела, 67:4 (2025),  624–634  mathnet  elib
5. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Е. В. Убыйвовк, Е. В. Осипова, Ш. Ш. Шарофидинов, “Механизм роста эпитаксиальных слоев Ga$_2$O$_3$ методом хлорид-гидридной эпитаксии на подложке SiC/Si (110)”, Физика твердого тела, 67:1 (2025),  105–113  mathnet  elib
6. А. В. Редьков, Д. В. Роженцев, А. С. Гращенко, А. В. Осипов, С. А. Кукушкин, “Построение прогнозных моделей для роста тонких пленок SiC/Si с использованием методов машинного обучения”, Письма в ЖТФ, 51:22 (2025),  31–35  mathnet  elib
2024
7. Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, С. А. Кукушкин, А. М. Mаляренко, А. В. Осипов, В. В. Романов, Н. И. Руль, К. Б. Таранец, “Андреевские генераторы терагерцевого излучения”, Физика твердого тела, 66:11 (2024),  2052–2058  mathnet  elib
8. А. В. Осипов, Ш. Ш. Шарофидинов, Е. В. Осипова, А. В. Редьков, С. А. Кукушкин, “Влияние олова на свойства нитрида галлия, выращенного методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии”, Физика твердого тела, 66:8 (2024),  1338–1343  mathnet
9. С. А. Кукушкин, М. Г. Воробьев, А. В. Осипов, А. С. Гращенко, Е. В. Убыйвовк, “Эволюция структуры при превращении Si в SiC методом самосогласованного замещения атомов”, Физика твердого тела, 66:7 (2024),  1133–1143  mathnet  elib
10. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Взаимодействие кремниевых вакансий в карбиде кремния”, Письма в ЖТФ, 50:21 (2024),  19–23  mathnet  elib
2023
11. Ю. А. Еремеев, М. Г. Воробьев, А. С. Гращенко, А. В. Семенча, А. В. Осипов, С. А. Кукушкин, “Изменение упругих деформаций в пленках SiC в процессе роста методом согласованного замещения атомов на подложках Si”, Физика твердого тела, 65:1 (2023),  71–75  mathnet  elib
12. А. Д. Буравлев, А. Н. Казакин, Ю. А. Нащекина, А. В. Нащекин, Е. В. Убыйвовк, В. А. Астраханцева, А. В. Осипов, Г. В. Святец, С. А. Кукушкин, “Формирование биосовместимых SiC-нанотрубок “сверху-вниз””, Физика и техника полупроводников, 57:5 (2023),  343–347  mathnet  elib
13. А. В. Осипов, Ш. Ш. Шарофидинов, А. В. Кремлева, Е. В. Осипова, А. М. Смирнов, С. А. Кукушкин, “Фазовые превращения в слоях оксида галлия”, Письма в ЖТФ, 49:17 (2023),  6–9  mathnet  elib
14. Л. К. Марков, С. А. Кукушкин, А. С. Павлюченко, И. П. Смирнова, А. В. Сахаров, А. Е. Николаев, А. С. Гращенко, А. В. Осипов, А. Ф. Цацульников, “Тонкопленочный светодиод на основе слоев AlInGaN, выращенных на гибридных подложках SiC/Si”, Письма в ЖТФ, 49:15 (2023),  3–6  mathnet  elib
15. С. А. Кукушкин, Л. К. Марков, А. В. Осипов, Г. В. Святец, А. Е. Черняков, С. И. Павлов, “Теплопроводность гибридных подложек SiC/Si для роста светодиодных гетероструктур”, Письма в ЖТФ, 49:14 (2023),  19–21  mathnet  elib
16. Т. Т. Кондратенко, А. С. Гращенко, А. В. Осипов, А. В. Редьков, Е. В. Убыйвовк, Ш. Ш. Шарофидинов, С. А. Кукушкин, “Рост пленок SiC, AlN и GaN на кремниевых изделиях произвольной геометрии для микроэлектромеханических применений”, Письма в ЖТФ, 49:11 (2023),  3–6  mathnet  elib
2022
17. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Е. В. Осипова, В. М. Стожаров, “Исследование этапов превращения кремния в карбид кремния в процессе атомного замещения методами полного внешнего отражения рентгеновских лучей и рентгеновской дифрактомерии”, Физика твердого тела, 64:3 (2022),  326–336  mathnet  elib 1
18. А. А. Корякин, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Ш. Ш. Шарофидинов, “Режимы роста пленок нитрида алюминия на гибридных подложках SiC/Si(111)”, Физика твердого тела, 64:1 (2022),  117–124  mathnet  elib
19. Н. Т. Баграев, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, В. Л. Уголков, “Фазовые переходы в эпитаксиальных слоях карбида кремния, выращенных на кремниевой подложке методом согласованного замещения атомов”, Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  715–718  mathnet  elib
20. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Е. В. Осипова, “Спинтронные свойства границы раздела между Si(111) и 3$C$-SiC(111), выращенным методом согласованного замещения атомов”, Письма в ЖТФ, 48:20 (2022),  43–46  mathnet  elib
21. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. В. Редьков, В. М. Стожаров, Е. В. Убыйвовк, Ш. Ш. Шарофидинов, “Особенности зарождения и роста нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si методом хлорид-гидридной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 48:4 (2022),  24–28  mathnet  elib
2021
22. С. А. Кукушкин, Ш. Ш. Шарофидинов, А. В. Осипов, А. С. Гращенко, А. В. Кандаков, Е. В. Осипова, К. П. Котляр, Е. В. Убыйвовк, “Самоорганизация состава пленок Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N, выращенных на гибридных подложках SiC/Si”, Физика твердого тела, 63:3 (2021),  363–369  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, Sh. Sh. Sharofidinov, A. V. Osipov, A. S. Grashchenko, A. V. Kandakov, E. V. Osipova, K. P. Kotlyar, E. V. Ubyivovk, “Self-organization of the composition of Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N films grown on hybrid SiC/Si substrates”, Phys. Solid State, 63:3 (2021), 442–448 9
23. Н. Т. Баграев, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, В. С. Хромов, “Регистрация терагерцового излучения с помощью наноструктур карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1195–1202  mathnet  elib 2
24. Н. Т. Баграев, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, В. С. Хромов, “Терагерцовое излучение из наноструктур карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1027–1033  mathnet  elib 3
25. И. В. Илькив, К. П. Котляр, Д. А. Кириленко, А. В. Осипов, И. П. Сошников, А. Н. Терпицкий, Г. Э. Цырлин, “Формирование гексагональной фазы германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  621–624  mathnet  elib; I. V. Ilkiv, K. P. Kotlyar, D. A. Kirilenko, A. V. Osipov, I. P. Sotnikov, A. N. Terpitsky, G. E. Cirlin, “Formation of hexagonal germanium on AlGaAs nanowire surfaces by molecular-beam epitaxy”, Semiconductors, 55:8 (2021), 678–681 2
26. Н. Т. Баграев, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, В. В. Романов, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, В. С. Хромов, “Магнитные свойства тонких эпитаксиальных слоев SiC, выращенных методом самосогласованного замещения атомов на поверхностях монокристаллического кремния”, Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  103–111  mathnet  elib; N. T. Bagraev, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, V. V. Romanov, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, V. S. Khromov, “Magnetic properties of thin epitaxial SiC layers grown by the atom-substitution method on single-crystal silicon surfaces”, Semiconductors, 55:2 (2021), 137–145 13
27. А. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. В. Редьков, “Механические свойства композитного покрытия SiC на графите, полученного методом замещения атомов”, Письма в ЖТФ, 47:20 (2021),  7–10  mathnet  elib
28. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Термодинамическая стабильность твердых растворов In$_{x}$Ga$_{1-x}$N”, Письма в ЖТФ, 47:19 (2021),  51–54  mathnet  elib 2
29. Л. К. Марков, С. А. Кукушкин, И. П. Смирнова, А. С. Павлюченко, А. С. Гращенко, А. В. Осипов, Г. В. Святец, А. Е. Николаев, А. В. Сахаров, В. В. Лундин, А. Ф. Цацульников, “Светодиод на основе AlInGaN-гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления”, Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  3–6  mathnet  elib; L. K. Markov, S. A. Kukushkin, I. P. Smirnova, A. S. Pavluchenko, A. S. Grashchenko, A. V. Osipov, G. V. Svyatets, A. E. Nikolaev, A. V. Sakharov, V. V. Lundin, A. F. Tsatsul'nikov, “A light-emitting diode based on alingan heterostructures grown on SiC/Si substrates and its fabrication technology”, Tech. Phys. Lett., 48:2 (2022), 31–34 4
30. Н. А. Черкашин, А. В. Сахаров, А. Е. Николаев, В. В. Лундин, С. О. Усов, В. М. Устинов, А. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. Ф. Цацульников, “Особенности эпитаксиального роста III – N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si”, Письма в ЖТФ, 47:15 (2021),  15–18  mathnet  elib; N. A. Cherkashin, A. V. Sakharov, A. E. Nikolaev, V. V. Lundin, S. O. Usov, V. M. Ustinov, A. S. Grashchenko, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, A. F. Tsatsul'nikov, “Peculiarities of epitaxial growth of III – N led heterostructures on SiC/Si substrates”, Tech. Phys. Lett., 47:10 (2021), 753–756 7
31. А. А. Корякин, Ю. А. Еремеев, А. В. Осипов, С. А. Кукушкин, “Влияние пористости слоя кремния на упругие свойства гибридных подложек SiC/Si”, Письма в ЖТФ, 47:3 (2021),  25–28  mathnet  elib; A. A. Koryakin, Yu. A. Eremeev, A. V. Osipov, S. A. Kukushkin, “The influence of the porosity of silicon layer on the elastic properties of hybrid SiC/Si substrates”, Tech. Phys. Lett., 47:2, 126–129 4
2020
32. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Оптические свойства, зонная структура и проводимость межфазной границы раздела гетероструктуры 3$C$-SiC(111)/Si(111), выращенной методом замещения атомов”, Письма в ЖТФ, 46:22 (2020),  3–5  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “The optical properties, energy band structure, and interfacial conductance of a 3$C$-SiC(111)/Si(111) heterostructure grown by the method of atomic substitution”, Tech. Phys. Lett., 46:11 (2020), 1103–1106 10
33. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. И. Романычев, И. А. Касаткин, А. С. Лошаченко, “Низкотемпературный рост кубической фазы CdS методом атомно-слоевого осаждения на гибридных подложках SiC/Si”, Письма в ЖТФ, 46:21 (2020),  3–6  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, A. I. Romanychev, I. A. Kasatkin, A. S. Loshachenko, “Low-temperature growth of the CdS cubic phase by atomic-layer deposition on SiC/Si hybrid substrates”, Tech. Phys. Lett., 46:11 (2020), 1049–1052 3
34. А. С. Гращенко, А. С. Кукушкин, А. В. Осипов, “Покрытие наноструктурированной профилированной поверхности Si слоем SiC”, Письма в ЖТФ, 46:20 (2020),  19–22  mathnet  elib; A. S. Grashchenko, A. S. Kukushkin, A. V. Osipov, “Coating of nanostructured profiled Si surface with a SiC layer”, Tech. Phys. Lett., 46:10 (2020), 1012–1015 2
35. Д. Д. Авров, А. Н. Горляк, А. О. Лебедев, В. В. Лучинин, А. В. Марков, А. В. Осипов, М. Ф. Панов, С. А. Кукушкин, “Сравнительный эллипсометрический анализ политипов карбида кремния 4$H$, 15$R$, 6$H$, полученных модифицированным методом Лели в одном ростовом процессе”, Письма в ЖТФ, 46:19 (2020),  28–31  mathnet  elib; D. D. Avrov, A. N. Gorlyak, A. O. Lebedev, V. V. Luchinin, A. V. Markov, A. V. Osipov, M. F. Panov, S. A. Kukushkin, “Comparative ellipsometric analysis of silicon carbide polytypes 4$H$, 15$R$, and 6$H$ produced by a modified Lely method in the same growth process”, Tech. Phys. Lett., 46:10 (2020), 968–971 5
36. А. В. Осипов, А. С. Гращенко, А. Н. Горляк, А. О. Лебедев, В. В. Лучинин, А. В. Марков, М. Ф. Панов, С. А. Кукушкин, “Исследование методом наноиндентирования твердости и модуля Юнга в тонких приповерхностных слоях карбида кремния со стороны Si- и C-граней”, Письма в ЖТФ, 46:15 (2020),  36–38  mathnet  elib; A. V. Osipov, A. S. Grashchenko, A. N. Gorlyak, A. O. Lebedev, V. V. Luchinin, A. V. Markov, M. F. Panov, S. A. Kukushkin, “Investigation of the hardness and Young's modulus in thin near-surface layers of silicon carbide from the Si- and C-faces by nanoindentation”, Tech. Phys. Lett., 46:8 (2020), 763–766 10
37. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. В. Редьков, Ш. Ш. Шарофидинов, “Рост объемных эпитаксиальных пленок AlN полуполярной ориентации на подложках Si (001) и гибридных подложках SiC/Si (001)”, Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  22–25  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, A. V. Redkov, Sh. Sh. Sharofidinov, “Epitaxial growth of bulk semipolar aln films on Si(001) and hybrid SiC/Si(001) substrates”, Tech. Phys. Lett., 46:6 (2020), 539–542 5
2019
38. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Механизм диффузии монооксидов углерода и кремния в кристалле кубического карбида кремния”, Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2334–2337  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Mechanism of diffusion of carbon and silicon monooxides in a cubic silicon carbide crystal”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2338–2341 2
39. А. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Исследование упругих свойств пленок SiC, синтезированных на подложках Si методом замещения атомов”, Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2313–2315  mathnet  elib; A. S. Grashchenko, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Study of elastic properties of SiC films synthesized on Si substrates by the method of atomic substitution”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2310–2312 6
40. А. М. Мизеров, С. А. Кукушкин, Ш. Ш. Шарофидинов, А. В. Осипов, С. Н. Тимошнев, К. Ю. Шубина, Т. Н. Березовская, Д. В. Мохов, А. Д. Буравлев, “Метод управления полярностью слоев GaN при эпитаксиальном синтезе GaN/AlN гетероструктур на гибридных подложках SiC/Si”, Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2289–2293  mathnet  elib; A. M. Mizerov, S. A. Kukushkin, Sh. Sh. Sharofidinov, A. V. Osipov, S. N. Timoshnev, K. Yu. Shubina, T. N. Berezovskaya, D. V. Mokhov, A. D. Bouravlev, “Method for controlling the polarity of gallium nitride layers in epitaxial synthesis of GaN/AlN heterostructures on hybrid SiC/Si substrates”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2277–2281 4
41. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Пути политипных превращений в карбиде кремния”, Физика твердого тела, 61:8 (2019),  1443–1447  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Pathways of transitions between polytypes in silicon carbide”, Phys. Solid State, 61:8 (2019), 1389–1393
42. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Н. А. Феоктистов, “Двухстадийная конверсия кремния в наноструктурированный углерод методом согласованного замещения атомов”, Физика твердого тела, 61:3 (2019),  587–593  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, N. A. Feoktistov, “Two-stage conversion of silicon to nanostructured carbon by the method of coordinated atomic substitution”, Phys. Solid State, 61:3 (2019), 456–463 6
43. А. В. Редьков, А. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, К. П. Котляр, А. И. Лихачев, А. В. Нащекин, И. П. Сошников, “Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов”, Физика твердого тела, 61:3 (2019),  433–440  mathnet  elib; A. V. Redkov, A. S. Grashchenko, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, K. P. Kotlyar, A. I. Lihachev, A. V. Nashchekin, I. P. Soshnikov, “Studying evolution of the ensemble of micropores in a SiC/Si structure during its growth by the method of atom substitution”, Phys. Solid State, 61:3 (2019), 299–306 16
44. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Микроскопическое описание механизма перехода между политипами 2$H$ и 4$H$ карбида кремния”, Физика твердого тела, 61:3 (2019),  422–425  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Microscopic description of the mechanism of transition between the 2$H$ and 4$H$ polytypes of silicon carbide”, Phys. Solid State, 61:3 (2019), 288–291 4
45. С. А. Кукушкин, А. М. Мизеров, А. С. Гращенко, А. В. Осипов, Е. В. Никитина, С. Н. Тимошнев, А. Д. Буравлев, М. С. Соболев, “Фотоэлектрические свойства слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с плазменной активацией на подложках Si(111) и эпитаксиальных слоях SiC на Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  190–198  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. M. Mizerov, A. S. Grashchenko, A. V. Osipov, E. V. Nikitina, S. N. Timoshnev, A. D. Bouravlev, M. S. Sobolev, “Photoelectric properties of GaN layers grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy on Si(111) substrates and SiC/Si(111) epitaxial layers”, Semiconductors, 53:2 (2019), 180–187 4
46. В. В. Антипов, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Эпитаксиальный рост cульфида цинка методом молекулярного наслаивания на гибридных подложках SiC/Si”, Письма в ЖТФ, 45:21 (2019),  11–14  mathnet  elib; V. V. Antipov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Epitaxial growth of zinc sulfide by atomic layer deposition on SiC/Si hybrid substrates”, Tech. Phys. Lett., 45:11 (2019), 1075–1077 3
47. Ш. Ш. Шарофидинов, С. А. Кукушкин, А. В. Редьков, А. С. Гращенко, А. В. Осипов, “Рост полупроводниковых III–V гетероструктур на подложках SiC/Si”, Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  24–27  mathnet  elib; Sh. Sh. Sharofidinov, S. A. Kukushkin, A. V. Redkov, A. S. Grashchenko, A. V. Osipov, “Growing III–V semiconductor heterostructures on SiC/Si substrates”, Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 711–713 18
48. Г. В. Бенеманская, П. А. Дементьев, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, С. Н. Тимошнев, “Новый тип углеродной наноструктуры на вицинальной поверхности SiС(111)-8$^\circ$”, Письма в ЖТФ, 45:5 (2019),  17–20  mathnet  elib; G. V. Benemanskaya, P. A. Dementev, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, S. N. Timoshnev, “A new type of carbon nanostructure on a vicinal SiС(111)-8$^\circ$ surface”, Tech. Phys. Lett., 45:3 (2019), 201–204 8
2018
49. Ю. Э. Китаев, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. В. Редьков, “Новая тригональная (ромбоэдрическая) фаза SiC: ab initio расчеты, симметрийный анализ и рамановские спектры”, Физика твердого тела, 60:10 (2018),  2022–2027  mathnet  elib; Yu. È. Kitaev, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, A. V. Redkov, “A new trigonal (rhombohedral) sic phase: ab initio calculations, a symmetry analysis and the Raman spectra”, Phys. Solid State, 60:10 (2018), 2066–2071 5
50. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Механизм образования углеродно-вакансионных структур в карбиде кремния при его росте методом замещения атомов”, Физика твердого тела, 60:9 (2018),  1841–1846  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Mechanism of formation of carbon–vacancy structures in silicon carbide during its growth by atomic substitution”, Phys. Solid State, 60:9 (2018), 1891–1896 11
51. А. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, В. И. Николаев, А. В. Осипов, Е. В. Осипова, И. П. Сошников, “Исследование анизотропных упругопластических свойств пленок $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$, синтезированных на подложках SiC/Si”, Физика твердого тела, 60:5 (2018),  851–856  mathnet  elib; A. S. Grashchenko, S. A. Kukushkin, V. I. Nikolaev, A. V. Osipov, E. V. Osipova, I. P. Soshnikov, “Study of the anisotropic elastoplastic properties of $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ films synthesized on SiC/Si substrates”, Phys. Solid State, 60:5 (2018), 852–857 30
52. В. В. Антипов, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, В. П. Рубец, “Эпитаксиальный рост пленок селенида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния”, Физика твердого тела, 60:3 (2018),  499–504  mathnet  elib; V. V. Antipov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, V. P. Rubets, “Epitaxial growth of cadmium selenide films on silicon with a silicon carbide buffer layer”, Phys. Solid State, 60:3 (2018), 504–509 7
53. И. П. Калинкин, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Влияние химической подготовки поверхности кремния на качество и структуру эпитаксиальных пленок карбида кремния, синтезированных методом замещения атомов”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  656–663  mathnet  elib; I. P. Kalinkin, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Effect of chemical treatment of a silicon surface on the quality and structure of silicon-carbide epitaxial films synthesized by atom substitution”, Semiconductors, 52:6 (2018), 802–808 20
54. R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, I. P. Soshnikov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, G. E. Cirlin, “MBE growth and structural properties of InAs and InGaAs nanowires with different mole fraction of In on Si and strongly mismatched SiC/Si(111) substrates”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  522  mathnet  elib; Semiconductors, 52:5 (2018), 651–653 2
2017
55. С. А. Грудинкин, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Н. А. Феоктистов, “ИК-спектры углерод-вакансионных кластеров при топохимическом превращении кремния в карбид кремния”, Физика твердого тела, 59:12 (2017),  2403–2408  mathnet  elib; S. A. Grudinkin, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, N. A. Feoktistov, “IR spectra of carbon-vacancy clusters in the topochemical transformation of silicon into silicon carbide”, Phys. Solid State, 59:12 (2017), 2430–2435 8
56. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Квантово-механическая модель дилатационных диполей при топохимическом синтезе карбида кремния из кремния”, Физика твердого тела, 59:6 (2017),  1214–1217  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “A quantum-mechanical model of dilatation dipoles in topochemical synthesis of silicon carbide from silicon”, Phys. Solid State, 59:6 (2017), 1238–1241 3
57. С. А. Кукушкин, К. Х. Нусупов, А. В. Осипов, Н. Б. Бейсенханов, Д. И. Бакранова, “Рентгеновская рефлектометрия и моделирование параметров эпитаксиальных пленок SiC на Si(111), выращенных методом замещения атомов”, Физика твердого тела, 59:5 (2017),  986–998  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, K. Kh. Nussupov, A. V. Osipov, N. B. Beisenkhanov, D. I. Bakranova, “X-ray reflectometry and simulation of the parameters of SiC epitaxial films on Si(111), grown by the atomic substitution method”, Phys. Solid State, 59:5 (2017), 1014–1026 14
58. В. К. Егоров, Е. В. Егоров, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Структурная гетероэпитаксия при топохимическом превращении кремния в карбид кремния”, Физика твердого тела, 59:4 (2017),  755–761  mathnet  elib; V. K. Egorov, E. V. Egorov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Structural heteroepitaxy during topochemical transformation of silicon to silicon carbide”, Phys. Solid State, 59:4 (2017), 773–779 3
59. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, В. Н. Пантелеев, “Остановка и разворот дислокаций несоответствия при росте нитрида галлия на подложках SiC/Si”, Физика твердого тела, 59:4 (2017),  660–667  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, V. N. Panteleev, “Misfit dislocation locking and rotation during gallium nitride growth on SiC/Si substrates”, Phys. Solid State, 59:4 (2017), 674–681 4
60. В. В. Антипов, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Эпитаксиальный рост пленок теллурида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния”, Физика твердого тела, 59:2 (2017),  385–388  mathnet  elib; V. V. Antipov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Epitaxial growth of cadmium telluride films on silicon with a buffer silicon carbide layer”, Phys. Solid State, 59:2 (2017), 399–402 5
61. Ю. Э. Китаев, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Эволюция симметрии промежуточных фаз и их фононных спектров в процессе топохимического превращения кремния в карбид кремния”, Физика твердого тела, 59:1 (2017),  30–35  mathnet  elib; Yu. È. Kitaev, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Evolution of the symmetry of intermediate phases and their phonon spectra during the topochemical conversion of silicon into silicon carbide”, Phys. Solid State, 59:1 (2017), 28–33 6
62. Р. Р. Резник, К. П. Котляр, И. В. Штром, И. П. Сошников, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Г. Э. Цырлин, “Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидных нанокристаллов ультра малого диаметра на сильно рассогласованной подложке SiC/Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1525–1529  mathnet  elib; R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, I. V. Shtrom, I. P. Sotnikov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, G. E. Cirlin, “MBE growth of ultrathin III–V nanowires on a highly mismatched SiC/Si(111) substrate”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1472–1476 2
63. А. С. Гращенко, Н. А. Феоктистов, А. В. Осипов, Е. В. Калинина, С. А. Кукушкин, “Фотоэлектрические характеристики структур карбид кремния–кремний, выращенных методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  651–658  mathnet  elib; A. S. Grashchenko, N. A. Feoktistov, A. V. Osipov, E. V. Kalinina, S. A. Kukushkin, “Photoelectric characteristics of silicon carbide–silicon structures grown by the atomic substitution method in a silicon crystal lattice”, Semiconductors, 51:5 (2017), 621–627 10
64. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. В. Редьков, “Отделение эпитаксиальных гетероструктур III–N/SiC от подложки Si и их перенос на подложки других типов”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  414–420  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, A. V. Redkov, “Separation of III–N/SiC epitaxial heterostructure from a Si substrate and their transfer to other substrate types”, Semiconductors, 51:3 (2017), 396–401 13
65. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Эффект Горского при синтезе пленок карбида кремния из кремния методом топохимического замещения атомов”, Письма в ЖТФ, 43:13 (2017),  81–88  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “The Gorsky effect in the synthesis of silicon-carbide films from silicon by topochemical substitution of atoms”, Tech. Phys. Lett., 43:7 (2017), 631–634 17
2016
66. Р. Р. Резник, К. П. Котляр, И. В. Илькив, И. П. Сошников, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Е. В. Никитина, Г. Э. Цырлин, “Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика твердого тела, 58:10 (2016),  1886–1889  mathnet  elib; R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, I. V. Ilkiv, I. P. Soshnikov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, E. V. Nikitina, G. E. Cirlin, “Growth and optical properties of filamentary GaN nanocrystals grown on a hybrid SiC/Si(111) substrate by molecular beam epitaxy”, Phys. Solid State, 58:10 (2016), 1952–1955 11
67. С. А. Кукушкин, В. И. Николаев, А. В. Осипов, Е. В. Осипова, А. И. Печников, Н. А. Феоктистов, “Эпитаксиальный оксид галлия на подложках SiC/Si”, Физика твердого тела, 58:9 (2016),  1812–1817  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, V. I. Nikolaev, A. V. Osipov, E. V. Osipova, A. I. Pechnikov, N. A. Feoktistov, “Epitaxial gallium oxide on a SiC/Si substrate”, Phys. Solid State, 58:9 (2016), 1876–1881 27
68. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. И. Романычев, “Эпитаксиальный рост оксида цинка методом молекулярного наслаивания на подложках SiC/Si”, Физика твердого тела, 58:7 (2016),  1398–1402  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, A. I. Romanychev, “Epitaxial growth of zinc oxide by the method of atomic layer deposition on SiC/Si substrates”, Phys. Solid State, 58:7 (2016), 1448–1452 23
69. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Р. С. Телятник, “Упругое взаимодействие точечных дефектов в кубических и гексагональных кристаллах”, Физика твердого тела, 58:5 (2016),  941–949  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, R. S. Telyatnik, “Elastic interaction of point defects in cubic and hexagonal crystals”, Phys. Solid State, 58:5 (2016), 971–980 14
70. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, О. Н. Сергеева, Д. А. Киселев, А. А. Богомолов, А. В. Солнышкин, Е. Ю. Каптелов, С. В. Сенкевич, И. П. Пронин, “Пироэлектрический и пьезоэлектрический отклики тонких пленок AlN, эпитаксиально выращенных на подложке SiC/Si”, Физика твердого тела, 58:5 (2016),  937–940  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, O. N. Sergeeva, D. A. Kiselev, A. A. Bogomolov, A. V. Solnyshkin, E. Yu. Kaptelov, S. V. Senkevich, I. P. Pronin, “Pyroelectric and piezoelectric responses of thin AlN films epitaxy-grown on a SiC/Si substrate”, Phys. Solid State, 58:5 (2016), 967–970 17
71. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Фазовое равновесие при образовании карбида кремния за счет топохимического превращения из кремния”, Физика твердого тела, 58:4 (2016),  725–729  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Phase equilibrium in the formation of silicon carbide by topochemical conversion of silicon”, Phys. Solid State, 58:4 (2016), 747–751 15
72. В. В. Антипов, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Эпитаксиальный рост пленок сульфида кадмия на кремнии”, Физика твердого тела, 58:3 (2016),  612–615  mathnet  elib; V. V. Antipov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Epitaxial growth of cadmium sulfide films on silicon”, Phys. Solid State, 58:3 (2016), 629–632 9
73. Г. В. Бенеманская, П. А. Дементьев, С. А. Кукушкин, М. Н. Лапушкин, А. В. Осипов, Б. В. Сеньковский, “Спектроскопия остовного уровня атомов углерода C 1$s$ на поверхности эпитаксиального слоя SiC/Si(111) 4$^\circ$ и интерфейса Cs/SiC/Si(111) 4$^\circ$”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1348–1352  mathnet  elib; G. V. Benemanskaya, P. A. Dementev, S. A. Kukushkin, M. N. Lapushkin, A. V. Osipov, B. V. Senkovskiy, “The C 1$s$ core level spectroscopy of carbon atoms at the surface SiC/Si(111)-4$^\circ$ layer and Cs/SiC/Si(111)-4$^\circ$ interface”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1327–1332 3
74. Г. В. Бенеманская, П. А. Дементьев, С. А. Кукушкин, М. Н. Лапушкин, А. В. Осипов, С. Н. Тимошнев, “Фотоэмиссионные исследования вицинальной поверхности SiC(100) 4$^\circ$ и интерфейса Cs/SiC(100) 4$^\circ$”, Письма в ЖТФ, 42:23 (2016),  51–57  mathnet  elib; G. V. Benemanskaya, P. A. Dementev, S. A. Kukushkin, M. N. Lapushkin, A. V. Osipov, S. N. Timoshnev, “Photoemission studies of the vicinal SiC(100) 4$^\circ$ surface and the Cs/SiC(100) 4$^\circ$ interface”, Tech. Phys. Lett., 42:12 (2016), 1145–1148 3
75. А. В. Редьков, А. В. Осипов, С. А. Кукушкин, “Моделирование процесса индентирования наномасштабных пленок на подложках методом молекулярной динамики”, Письма в ЖТФ, 42:12 (2016),  64–72  mathnet  elib; A. V. Redkov, A. V. Osipov, S. A. Kukushkin, “Molecular dynamics simulation of the indentation of nanoscale films on a substrate”, Tech. Phys. Lett., 42:6 (2016), 639–643 5
76. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Определение политипного состава пленок карбида кремния методом ультрафиолетовой эллипсометрии”, Письма в ЖТФ, 42:4 (2016),  16–22  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Determining polytype composition of silicon carbide films by UV ellipsometry”, Tech. Phys. Lett., 42:2 (2016), 175–178 16
2015
77. С. А. Грудинкин, В. Г. Голубев, А. В. Осипов, Н. А. Феоктистов, С. А. Кукушкин, “Инфракрасная спектроскопия слоев карбида кремния, синтезированных методом замещения атомов на поверхности монокристаллического кремния”, Физика твердого тела, 57:12 (2015),  2469–2474  mathnet  elib; S. A. Grudinkin, V. G. Golubev, A. V. Osipov, N. A. Feoktistov, S. A. Kukushkin, “Infrared spectroscopy of silicon carbide layers synthesized by the substitution of atoms on the surface of single-crystal silicon”, Phys. Solid State, 57:12 (2015), 2543–2549 10
78. А. В. Редьков, А. В. Осипов, С. А. Кукушкин, “Устойчивость поверхности упругонапряженной многокомпонентной пленки в системе с химическими реакциями”, Физика твердого тела, 57:12 (2015),  2451–2457  mathnet  elib; A. V. Redkov, A. V. Osipov, S. A. Kukushkin, “Stability of the surface of an elastically strained multicomponent film in a system with chemical reactions”, Phys. Solid State, 57:12 (2015), 2524–2531 12
79. В. Н. Бессолов, А. С. Гращенко, Е. В. Коненкова, А. В. Мясоедов, А. В. Осипов, А. В. Редьков, С. Н. Родин, В. П. Рубец, С. А. Кукушкин, “Эффект воздействия $n$- и $p$-типа проводимости подложки Si(100) с буферным слоем SiC на механизм роста и структуру эпитаксиальных слоев полуполярных AlN и GaN”, Физика твердого тела, 57:10 (2015),  1916–1921  mathnet  elib; V. N. Bessolov, A. S. Grashchenko, E. V. Konenkova, A. V. Myasoedov, A. V. Osipov, A. V. Redkov, S. N. Rodin, V. P. Rubets, S. A. Kukushkin, “Effect of the $n$ and $p$-type Si(100) substrates with a SiC buffer layer on the growth mechanism and structure of epitaxial layers of semipolar AlN and GaN”, Phys. Solid State, 57:10 (2015), 1966–1971 5
80. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, М. М. Рожавская, А. В. Мясоедов, С. И. Трошков, В. В. Лундин, Л. М. Сорокин, А. Ф. Цацульников, “Рост и структура слоев GaN, выращенных на SiC, синтезированном на подложке Si методом замещения атомов: модель образования V-дефектов при росте GaN”, Физика твердого тела, 57:9 (2015),  1850–1858  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, M. M. Rozhavskaya, A. V. Myasoedov, S. I. Troshkov, V. V. Lundin, L. M. Sorokin, A. F. Tsatsul'nikov, “Growth and structure of GaN layers on silicon carbide synthesized on a Si substrate by the substitution of atoms: A model of the formation of V-defects during the growth of GaN”, Phys. Solid State, 57:9 (2015), 1899–1907 19
81. А. В. Тумаркин, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. В. Анкудинов, А. А. Одинец, “Роль упругой энергии в формировании сегнетоэлектрических пленок титаната бария-стронция на сапфире”, Физика твердого тела, 57:4 (2015),  796–801  mathnet  elib; A. V. Tumarkin, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, A. V. Ankudinov, A. A. Odinets, “Role of elastic energy in the formation of ferroelectric barium strontium titanate films on sapphire”, Phys. Solid State, 57:4 (2015), 815–819 5
82. Р. С. Телятник, А. В. Осипов, С. А. Кукушкин, “Релаксация деформаций несоответствия за счет пор и отслоений и условия образования дислокаций, трещин и гофров в эпитаксиальной гетероструктуре AlN(0001)/SiC/Si(111)”, Физика твердого тела, 57:1 (2015),  153–162  mathnet  elib; R. S. Telyatnik, A. V. Osipov, S. A. Kukushkin, “Pore- and delamination-induced mismatch strain relaxation and conditions for the formation of dislocations, cracks, and buckles in the epitaxial AlN(0001)/SiC/Si(111) heterostructure”, Phys. Solid State, 57:1 (2015), 162–172 18
83. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Равновесное состояние в трехэлементной системе Si–O–C при росте SiC методом химического замещения атомов”, Письма в ЖТФ, 41:6 (2015),  1–9  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “The equilibrium state in the Si–O–C ternary system during SiC growth by chemical substitution of atoms”, Tech. Phys. Lett., 41:3 (2015), 259–262 1
2014
84. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. В. Редьков, “Критерий морфологической устойчивости сферического фронта кристаллизации в многокомпонентной системе с химическими реакциями”, Физика твердого тела, 56:12 (2014),  2440–2445  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, A. V. Redkov, “Morphological stability criterion for a spherical crystallization front in a multicomponent system with chemical reactions”, Phys. Solid State, 56:12 (2014), 2530–2536 13
85. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Н. А. Феоктистов, “Синтез эпитаксиальных пленок карбида кремния методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния (Обзор)”, Физика твердого тела, 56:8 (2014),  1457–1485  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, N. A. Feoktistov, “Synthesis of epitaxial silicon carbide films through the substitution of atoms in the silicon crystal lattice: A review”, Phys. Solid State, 56:8 (2014), 1507–1535 114
86. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Фазовый переход первого рода через промежуточное состояние”, Физика твердого тела, 56:4 (2014),  761–768  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “First-order phase transition through an intermediate state”, Phys. Solid State, 56:4 (2014), 792–800 36
87. А. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Наноиндентирование и деформационные свойства наномасштабных пленок карбида кремния на кремнии”, Письма в ЖТФ, 40:24 (2014),  53–59  mathnet  elib; A. S. Grashchenko, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Nanoindentation and deformation properties of nanoscale silicon carbide films on silicon substrate”, Tech. Phys. Lett., 40:12 (2014), 1114–1116 19
88. В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, С. А. Кукушкин, А. В. Мясоедов, А. В. Осипов, С. Н. Родин, М. П. Щеглов, Н. А. Феоктистов, “Эпитаксия полуполярного GaN на подложке Si(001) с буферным слоем SiC”, Письма в ЖТФ, 40:9 (2014),  48–54  mathnet  elib; V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, S. A. Kukushkin, A. V. Myasoedov, A. V. Osipov, S. N. Rodin, M. P. Scheglov, N. A. Feoktistov, “Epitaxy of semipolar GaN on a Si(001) substrate with a SiC buffer layer”, Tech. Phys. Lett., 40:5 (2014), 386–388 9
89. С. А. Кукушкин, А. В. Лукьянов, А. В. Осипов, Н. А. Феоктистов, “Эпитаксиальный карбид кремния на 6-дюймовой пластине кремния”, Письма в ЖТФ, 40:1 (2014),  71–79  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Lukyanov, A. V. Osipov, N. A. Feoktistov, “Epitaxial silicon carbide on a 6" silicon wafer”, Tech. Phys. Lett., 40:1 (2014), 36–39 8
2013
90. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Анизотропия твердофазной эпитаксии карбида кремния на кремнии”, Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1575–1579  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Anisotropy of the solid-state epitaxy of silicon carbide in silicon”, Semiconductors, 47:12 (2013), 1551–1555 21
91. В. В. Ратников, А. Е. Калмыков, А. В. Мясоедов, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Л. М. Сорокин, “Последовательная структурная характеризация слоев в системе GaN/AlN/SiC/Si(111) методом рентгеновской дифрактометрии после каждой стадии их образования”, Письма в ЖТФ, 39:22 (2013),  25–32  mathnet  elib; V. V. Ratnikov, A. E. Kalmykov, A. V. Myasoedov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, L. M. Sorokin, “Sequential structural characterization of layers in the GaN/AlN/SiC/Si(111) system by X-ray diffraction upon every growth stage”, Tech. Phys. Lett., 39:11 (2013), 994–997 6
92. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Д. Б. Вчерашний, С. А. Обухов, Н. А. Феоктистов, “Подвижность носителей заряда в нелегированных слоях SiC, выращенных новым методом эпитаксии на Si”, Письма в ЖТФ, 39:10 (2013),  81–88  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, D. B. Vcherashnii, S. A. Obukhov, N. A. Feoktistov, “Carrier mobility in undoped SiC layers grown on silicon by a new epitaxial technique”, Tech. Phys. Lett., 39:5 (2013), 488–491 5
93. В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, С. А. Кукушкин, В. И. Николаев, А. В. Осипов, Ш. Шарофидинов, М. П. Щеглов, “Эпитаксия GaN в полуполярном направлении на подложке Si(210)”, Письма в ЖТФ, 39:6 (2013),  1–8  mathnet  elib; V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, S. A. Kukushkin, V. I. Nikolaev, A. V. Osipov, Sh. Sharofidinov, M. P. Scheglov, “Epitaxy of gallium nitride in semi-polar direction on Si(210) substrate”, Tech. Phys. Lett., 39:3 (2013), 274–276 2
2012
94. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, С. Г. Жуков, Е. Е. Заварин, В. В. Лундин, М. А. Синицын, М. М. Рожавская, А. Ф. Цацульников, С. И. Трошков, Н. А. Феоктистов, “Светодиод на основе III-нитридов на кремниевой подложке с эпитаксиальным нанослоем карбида кремния”, Письма в ЖТФ, 38:6 (2012),  90–95  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, S. G. Zhukov, E. E. Zavarin, V. V. Lundin, M. A. Sinicin, M. M. Rozhavskaya, A. F. Tsatsul'nikov, S. I. Troshkov, N. A. Feoktistov, “Group-III-nitride-based light-emitting diode on silicon substrate with epitaxial nanolayer of silicon carbide”, Tech. Phys. Lett., 38:3 (2012), 297–299 14
2011
95. Л. М. Сорокин, А. Е. Калмыков, В. Н. Бессолов, Н. А. Феоктистов, А. В. Осипов, С. А. Кукушкин, Н. В. Веселов, “Структурная характеризация эпитаксиальных слоев GaN на кремнии: влияние буферных слоев”, Письма в ЖТФ, 37:7 (2011),  72–79  mathnet  elib; L. M. Sorokin, A. E. Kalmykov, V. N. Bessolov, N. A. Feoktistov, A. V. Osipov, S. A. Kukushkin, N. V. Veselov, “Structural characterization of GaN epilayers on silicon: Effect of buffer layers”, Tech. Phys. Lett., 37:4 (2011), 326–329 13
2010
96. С. В. Кузмичев, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, М. Г. Шлягин, “Влияние внешней механической нагрузки на образование нанопор в оптическом волокне под воздействием импульсного УФ-света”, Физика твердого тела, 52:8 (2010),  1531–1538  mathnet  elib; S. V. Kuz'michev, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, M. G. Shlyagin, “Influence of the external mechanical load on the formation of nanopores in an optical fiber under pulsed UV light”, Phys. Solid State, 52:8 (2010), 1645–1652 1
97. В. Н. Бессолов, Ю. В. Жиляев, Е. В. Коненкова, Л. М. Сорокин, Н. А. Феоктистов, Ш. Шарофидинов, М. П. Щеглов, С. А. Кукушкин, Л. И. Метс, А. В. Осипов, “Нитрид алюминия на кремнии: роль промежуточного SiC слоя и технологии хлоридной газофазной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 36:11 (2010),  17–23  mathnet  elib; V. N. Bessolov, Yu. V. Zhilyaev, E. V. Konenkova, L. M. Sorokin, N. A. Feoktistov, Sh. Sharofidinov, M. P. Scheglov, S. A. Kukushkin, L. I. Mets, A. V. Osipov, “Aluminum nitride on silicon: Role of silicon carbide interlayer and chloride vapor-phase epitaxy technology”, Tech. Phys. Lett., 36:6 (2010), 496–499 10
2009
98. М. Е. Компан, И. Г. Аксянов, И. В. Кулькова, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, Н. А. Феоктистов, “Спектры люминесценции гексагональных форм карбида кремния в мозаичных пленках, полученных методом твердотельной эпитаксии”, Физика твердого тела, 51:12 (2009),  2326–2330  mathnet  elib; M. E. Kompan, I. G. Aksyanov, I. V. Kul'kova, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, N. A. Feoktistov, “Luminescence spectra of hexagonal forms of silicon carbide in mosaic films grown by solid-state epitaxy”, Phys. Solid State, 51:12 (2009), 2469–2473 10
2008
99. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Новый метод твердофазной эпитаксии карбида кремния на кремнии: модель и эксперимент”, Физика твердого тела, 50:7 (2008),  1188–1195  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “New method for growing silicon carbide on silicon by solid-phase epitaxy: Model and experiment”, Phys. Solid State, 50:7 (2008), 1238–1245 96
100. М. М. Мездрогина, В. В. Криволапчук, Н. А. Феоктистов, Э. Ю. Даниловский, Р. В. Кузьмин, С. В. Разумов, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Спектры фотолюминесценции гетероструктур $n$-ZnO/$p$-GaN$\langle$Er+Zn$\rangle$ и $p$-AlGaN$\langle$Er+Zn$\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 42:7 (2008),  782–787  mathnet  elib; M. M. Mezdrogina, V. V. Krivolapchuk, N. A. Feoktistov, È. Yu. Danilovskii, R. V. Kuz'min, S. V. Razumov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Photoluminescence spectra of $n$-ZnO/$p$-GaN$\langle$Er+Zn$\rangle$ and $p$-AlGaN$\langle$Er+Zn$\rangle$ heterostructures”, Semiconductors, 42:7 (2008), 766–771 4
101. Л. М. Сорокин, Н. В. Веселов, М. П. Щеглов, А. Е. Калмыков, А. А. Ситникова, Н. А. Феоктистов, А. В. Осипов, С. А. Кукушкин, “Электронно-микроскопическое исследование структуры SiC/Si(111), полученной методом твердофазной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 34:22 (2008),  88–93  mathnet  elib; L. M. Sorokin, N. V. Veselov, M. P. Scheglov, A. E. Kalmykov, A. A. Sitnikova, N. A. Feoktistov, A. V. Osipov, S. A. Kukushkin, “Electron-microscopic investigation of a SiC/Si(111) structure obtained by solid phase epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 34:11 (2008), 992–994 30
102. И. П. Пронин, Е. Ю. Каптелов, С. В. Сенкевич, В. А. Климов, Н. А. Феоктистов, А. В. Осипов, С. А. Кукушкин, “Тонкопленочная структура PZT/SiC на кремниевой подложке: формирование, структурные особенности и диэлектрические свойства”, Письма в ЖТФ, 34:19 (2008),  46–52  mathnet  elib; I. P. Pronin, E. Yu. Kaptelov, S. V. Senkevich, V. A. Klimov, N. A. Feoktistov, A. V. Osipov, S. A. Kukushkin, “Thin-film PZT/SiC structure on silicon substrate: Formation, structural features, and dielectric properties”, Tech. Phys. Lett., 34:10 (2008), 838–840 2
103. И. Г. Аксянов, В. Н. Бессолов, Ю. В. Жиляев, М. Е. Компан, Е. В. Коненкова, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, С. Н. Родин, Н. А. Феоктистов, Ш. Шарофидинов, М. П. Щеглов, “Хлоридная газофазная эпитаксия нитрида галлия на кремнии: влияние промежуточного SiC слоя”, Письма в ЖТФ, 34:11 (2008),  54–61  mathnet  elib; I. G. Aksyanov, V. N. Bessolov, Yu. V. Zhilyaev, M. E. Kompan, E. V. Konenkova, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, S. N. Rodin, N. A. Feoktistov, Sh. Sharofidinov, M. P. Scheglov, “Chloride vapor-phase epitaxy of gallium nitride on silicon: Effect of a silicon carbide interlayer”, Tech. Phys. Lett., 34:6 (2008), 479–482 19
2006
104. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, М. Г. Шлягин, “Образование микропор в оптическом волокне под воздействием импульсного УФ-света высокой интенсивности”, ЖТФ, 76:8 (2006),  73–84  mathnet  elib; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, M. G. Shlyagin, “Formation of pores in the optical fiber exposed to intense pulsed UV radiation”, Tech. Phys., 51:8 (2006), 1035–1045 4
1998
105. С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Процессы конденсации тонких пленок”, УФН, 168:10 (1998),  1083–1116  mathnet; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Thin-film condensation processes”, Phys. Usp., 41:10 (1998), 983–1014  isi 250
1992
106. И. А. Овидько, А. В. Осипов, “Расщепление дисклинаций и трансформация «кристалл$-$стекло» при механическом сплавлении”, Физика твердого тела, 34:1 (1992),  288–292  mathnet  isi

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026