|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2013 |
| 1. |
Л. Ц. Аджемян, М. В. Компаниец, С. В. Новиков, В. К. Сазонов, “Представление $\beta$-функции и аномальных размерностей несингулярными интегралами: доказательство основного соотношения”, ТМФ, 175:3 (2013), 325–336     ; L. Ts. Adzhemyan, M. V. Kompaniets, S. V. Novikov, V. K. Sazonov, “Representation of the $\beta$-function and anomalous dimensions by nonsingular integrals: Proof of the main relation”, Theoret. and Math. Phys., 175:3 (2013), 717–726   |
10
|
|
1992 |
| 2. |
А. М. Крещук, С. В. Новиков, И. Г. Савельев, “Низкотемпературная подвижность 2МЭГ и качество гетерограницы в гетероструктурах InGaAs/InP, выращенных жидкофазной эпитаксией”, Физика и техника полупроводников, 26:8 (1992), 1375–1382 |
|
1991 |
| 3. |
Л. В. Голубев, А. В. Егоров, С. В. Новиков, И. Г. Савельев, В. В. Чалдышев, Р. Г. Шаповалов, Ю. В. Шмарцев, “ЭЖЭ — рост объемных кристаллов и одновременное получение слоев на
нескольких подложках”, ЖТФ, 61:3 (1991), 74–79 |
| 4. |
В. В. Воробьева, О. В. Зушинская, В. Б. Лебедев, ЛеТуан, С. В. Новиков, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, Ю. В. Шмарцев, “Электрофизические параметры слоев GaAs, выращенных ЖФЭ
из растворов$-$расплавов в галлии и висмуте при различных потоках водорода”, Физика и техника полупроводников, 25:10 (1991), 1758–1764 |
| 5. |
В. Н. Денисов, Б. Н. Маврин, С. В. Новиков, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Комбинационное рассеяние в эпитаксиальных пленках GaAs, легированных
изовалентными примесями Bi и In: влияние дефектов и затухание плазмофонона”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991), 1472–1475 |
| 6. |
Х. К. Альварес, С. В. Новиков, Н. С. Соколов, Н. Л. Яковлев, “Напряженные слои и сверхрешетки CaF$_{2}{-}$SrF$_{2}$ на кремнии
и арсениде галлия”, Письма в ЖТФ, 17:21 (1991), 28–32 |
|
1990 |
| 7. |
Ю. Ф. Бирюлин, В. В. Воробьева, С. В. Новиков, Д. Н. Шелковников, “Двойное легирование эпитаксиального GaAs изовалентной примесью —
висмутом и акцепторной примесью — цинком”, Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990), 2217–2219 |
| 8. |
А. М. Крещук, Е. П. Лаурс, С. В. Новиков, И. Г. Савельев, Е. М. Семашко, М. А. Стовповой, А. Я. Шик, “Инвертированная гетероструктура InP/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As для
полевого транзистора”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 1145–1147 |
| 9. |
В. В. Воробьева, А. М. Крещук, Т. Л. Макарова, С. В. Новиков, К. Ю. Погребицкий, И. Г. Савельев, “Изучение переходной области между эпитаксиальными слоями
InP и In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As в гетероструктурах с 2МЭГ”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 1026–1030 |
| 10. |
Н. А. Берт, В. В. Воробьева, М. В. Воронцова, А. М. Крещук, С. В. Новиков, К. Ю. Погребицкий, И. Г. Савельев, Д. Ж. Сайфидинов, И. П. Сошников, А. Я. Шик, “Влияние толщины верхнего узкозонного слоя на концентрацию двумерных
электронов в инвертированных гетероструктурах InP/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As”, Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990), 653–659 |
| 11. |
А. А. Аристархова, Ю. Ф. Бирюлин, С. С. Волков, С. В. Новиков, М. Ю. Тимашев, “К вопросу о составе и стехиометрии поверхности GaAs, получаемом
в процессе жидкофазной эпитаксии
при изовалентном легировании”, Письма в ЖТФ, 16:19 (1990), 59–61 |
| 12. |
A. M. Крещук, С. В. Новиков, И. Г. Савельев, “Структуры AlInAs/InGaAs с 2 МЭГ, полученные методом жидкофазной
эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 16:5 (1990), 50–53 |
|
1989 |
| 13. |
Я. Г. Копьев, С. В. Новиков, Н. С. Соколов, Н. Л. Яковлев, “Молекулярно-лучевая эпитаксия и фотолюминесцентное определение упругих деформаций слоев CaF$_{2}$ и SrF$_{2}$ на GaAs (111)”, Физика твердого тела, 31:11 (1989), 214–219 |
| 14. |
Н. С. Соколов, Е. Вихиль, С. В. Гастев, С. В. Новиков, Н. Л. Яковлев, “Фотолюминесцентное исследование упругих деформаций в эпитаксиальных слоях CaF$_{2}$/Si(111)”, Физика твердого тела, 31:2 (1989), 75–79 |
| 15. |
В. В. Воробьева, О. В. Зушинская, С. В. Новиков, И. Г. Савельев, В. В. Чалдышев, “Двойное изовалентное легирование арсенида галлия висмутом и индием”, ЖТФ, 59:8 (1989), 164–167 |
| 16. |
В. В. Воробьева, М. В. Егорова, А. М. Крещук, С. В. Новиков, И. Г. Савельев, “Легирование слоев In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As самарием”, Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989), 1699–1701 |
| 17. |
В. В. Воробьева, М. В. Егорова, A. M. Крещук, С. В. Новиков, И. Г. Савельев, И. И. Сайдашев, “Струтуры с 2 МЭГ в системе InP/InGaAs, полученные методом ЖФЭ”, Письма в ЖТФ, 15:11 (1989), 73–77 |
|
1988 |
| 18. |
Л. В. Голубев, А. М. Крещук, С. В. Новиков, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, И. И. Сайдашев, “Получение гетероструктур с двумерным электронным газом методом
стандартной жидкофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988), 1948–1954 |
| 19. |
В. М. Амусья, Ю. Ф. Бирюлин, В. В. Воробьева, Л. В. Голубев, С. В. Новиков, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Зависимость ширины запрещенной зоны от состава в твердом растворе
InP$_{1-x}$Sb$_{x}$ (${x\leqslant 0.07}$)”, Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988), 342–344 |
| 20. |
А. А. Аристархова, Ю. Ф. Бирюлин, С. С. Волков, С. В. Новиков, М. Ю. Тимашев, Ю. В. Шмарцев, “Особенности поверхности арсенида галлия, выращенного из висмутового
раствора$-$расплава”, Письма в ЖТФ, 14:19 (1988), 1794–1799 |
|
1987 |
| 21. |
Ю. Ф. Бирюлин, В. В. Воробьева, В. Г. Голубев, Л. В. Голубев, В. И. Иванов-Омский, С. В. Новиков, А. В. Осутин, И. Г. Савельев, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, О. В. Ярошевич, “Механизм «очистки» арсенида галлия висмутом”, Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987), 2201–2209 |
| 22. |
Ю. Ф. Бирюлин, Л. В. Голубев, С. В. Новиков, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Влияние изовалентного легирования висмутом на концентрацию мелких
акцепторов в арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987), 949–952 |
| 23. |
С. В. Новиков, Н. С. Соколов, Н. Л. Яковлев, “Осцилляции интенсивности дифракции быстрых электронов на отражение при молекулярно-лучевой эпитаксии $Ca\,F_2/Si$ (111)”, Письма в ЖТФ, 13:23 (1987), 1442–1446 |
| 24. |
Ю. Ф. Бирюлин, В. В. Воробьева, Л. В. Голубев, С. В. Новиков, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Фотолюминесценция $Ga\,As$, легированного германием и висмутом”, Письма в ЖТФ, 13:20 (1987), 1264–1267 |
| 25. |
С. В. Гастев, С. В. Новиков, Н. С. Соколов, Н. Л. Яковлев, “Молекулярно-лучевая эпитаксия слоев $Ca\,F_2$ на $Si$ (III) и измерение
их деформаций по спектрам примесной фотолюминесценции”, Письма в ЖТФ, 13:16 (1987), 961–966 |
| 26. |
Ю. Ф. Бирюлин, В. В. Воробьева, Л. В. Голубев, С. В. Новиков, В. В. Чалдышев, Т. В. Чернева, Ю. В. Шмарцев, “Твердые растворы в системе фосфид индия–антимонид индия”, Письма в ЖТФ, 13:3 (1987), 188–191 |
|
1985 |
| 27. |
Л. В. Голубев, О. В. Зеленова, С. В. Новиков, Ю. В. Шмарцев, “Равновесная электрожидкостная эпитаксия $Ga\,As_{1-x}\,Sb_{x}/Ga\,Sb$”, Письма в ЖТФ, 11:4 (1985), 230–233 |
| 28. |
В. В. Воробьева, Л. В. Голубев, С. В. Новиков, Ю. В. Шмарцев, “Электрожидкостная эпитаксия четырехкомпонентного твердого раствора $Ga\,As_{1-x-y}\,Sb_{x}\,P_{y}$”, Письма в ЖТФ, 11:4 (1985), 224–226 |
|
1984 |
| 29. |
Л. В. Голубев, О. В. Зеленова, С. В. Новиков, Ю. В. Шмарцев, “Электрожидкостная эпитаксия твердых растворов InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$”, ЖТФ, 54:11 (1984), 2233–2237 |
| 30. |
К. М. Гамбарян, В. А. Геворкян, Л. В. Голубев, С. В. Новиков, Ю. В. Шмарцев, “Анализ распределения примеси при равновесной электрожидкостной
эпитаксии”, ЖТФ, 54:10 (1984), 2011–2015 |
| 31. |
Ю. Ф. Бирюлин, В. В. Воробьева, Л. В. Голубев, С. В. Новиков, Ю. В. Шмарцев, “К вопросу об управлении составом в методе электрожидкостной
эпитаксии”, ЖТФ, 54:7 (1984), 1394–1399 |
|
1983 |
| 32. |
Л. В. Голубев, С. Г. Коронный, С. В. Новиков, Ю. В. Шмарцев, “Электрожидкостная эпитаксия InAs”, Письма в ЖТФ, 9:16 (1983), 961–964 |
| 33. |
Л. В. Голубев, С. В. Новиков, С. Н. Савельева, Ю. В. Шмарцев, “Определение некоторых параметров раствора–расплава в электрожидкостной
эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 9:11 (1983), 662–666 |
| 34. |
Ю. Ф. Бирюлин, Л. В. Голубев, С. В. Новиков, Ю. В. Шмарцев, “Электрожидкостная эпитаксия в системе (GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$)”, Письма в ЖТФ, 9:3 (1983), 155–158 |
|
Обратная связь: