|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2013 |
| 1. |
В. В. Забродский, П. Н. Аруев, В. П. Белик, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, М. В. Дроздова, Н. В. Забродская, М. С. Лазеева, А. Д. Николенко, В. Л. Суханов, В. В. Филимонов, Е. В. Шерстнев, “Восстановление фотоответа кремниевых фотодиодов после облучения в вакуумном ультрафиолете”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 178–181 ; V. V. Zabrodskii, P. N. Aruev, V. P. Belik, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, M. V. Drozdova, N. V. Zabrodskaya, M. S. Lazeeva, A. D. Nikolenko, V. L. Sukhanov, V. V. Filimonov, E. V. Sherstnev, “Photoresponse recovery in silicon photodiodes upon VUV irradiation”, Semiconductors, 47:2 (2013), 213–216 |
| 2. |
В. Л. Суханов, П. Н. Аруев, М. В. Дроздова, Н. В. Забродская, В. В. Забродский, М. С. Лазеева, В. В. Филимонов, Е. В. Шерстнев, “Кремниевые детекторы с вольт-амперной характеристикой “идеального” диода в приборостроении”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 174–177 ; V. L. Sukhanov, P. N. Aruev, M. V. Drozdova, N. V. Zabrodskaya, V. V. Zabrodskii, M. S. Lazeeva, V. V. Filimonov, E. V. Sherstnev, “Utilization of silicon detectors with “ideal-diode” current-voltage characteristics”, Semiconductors, 47:2 (2013), 209–212 |
1
|
|
2012 |
| 3. |
П. Н. Аруев, М. М. Барышева, Б. Я. Бер, Н. В. Забродская, В. В. Забродский, А. Я. Лопатин, А. Е. Пестов, М. В. Петренко, В. Н. Полковников, Н. Н. Салащенко, В. Л. Суханов, Н. И. Чхало, “Кремниевый фотодиод для экстремального ультрафиолетового диапазона спектра с селективным Zr/Si-покрытием”, Квантовая электроника, 42:10 (2012), 943–948 [P. N. Aruev, M. M. Barysheva, B. Ya. Ber, N. V. Zabrodskaya, V. V. Zabrodskii, A. Ya. Lopatin, A. E. Pestov, M. V. Petrenko, V. N. Polkovnikov, N. N. Salashchenko, V. L. Sukhanov, N. I. Chkhalo, “Silicon photodiode with selective Zr/Si coating for extreme ultraviolet spectral range”, Quantum Electron., 42:10 (2012), 943–948 ] |
28
|
|
1985 |
| 4. |
Л. Е. Клячкин, Л. Б. Лопатина, А. М. Маляренко, В. Л. Суханов, Н. В. Забродская, “Исследование влияния тонких пленок SiO$_{x}$
(${0\leqslant x\leqslant 2}$)
на спектральные характеристики кремниевых $p{-}n$ переходов”, ЖТФ, 55:11 (1985), 2191–2195 |
|