Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Рябцев Геннадий Иванович
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 21
Научных статей: 20

Статистика просмотров:
Эта страница:641
Страницы публикаций:7568
Полные тексты:3853
доцент
доктор физико-математических наук
E-mail:

https://www.mathnet.ru/rus/person84362
Список публикаций на Google Scholar

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2022
1. М. В. Богданович, В. Н. Дудиков, К. В. Лепченков, В. А. Лойко, Ю. М. Попов, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, П. В. Шпак, М. А. Щемелев, “Особенности формирования потока излучения в диодно-накачиваемых лазерах и усилителях с активными элементами из Nd : YAG-керамики”, Квантовая электроника, 52:5 (2022),  449–453  mathnet [M. V. Bogdanovich, V. N. Dudikov, K. V. Lepchenkov, V. A. Loiko, Yu. M. Popov, A. G. Ryabtsev, G. I. Ryabtsev, P. V. Shpak, M. A. Shchemelev, “Specific features of radiation flux formation in diode-pumped lasers and amplifiers with active elements made of Nd : YAG ceramics”, Quantum Electron., 52:5 (2022), 449–453  scopus]
2021
2. А. А. Ищенко, И. В. Курдюкова, М. В. Богданович, С. Л. Бондарев, А. А. Романенко, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, “Электронное строение и спектрально-флуоресцентные свойства лазерных красителей тиопирило-4-трикарбоцианинов”, Оптика и спектроскопия, 129:7 (2021),  862–870  mathnet  elib; A. A. Ishchenko, I. V. Kurdyukova, M. V. Bogdanovich, S. L. Bondarev, A. A. Ramanenko, A. G. Ryabtsev, G. I. Ryabtsev, “Electronic structure and spectral-fluorescent properties of laser dyes thiopyrylo-4-tricarbocyanines”, Optics and Spectroscopy, 129:8 (2021), 926–934 4
2020
3. Е. О. Батура, Ю. К. Бобрецова, М. В. Богданович, Д. А. Веселов, А. В. Григорьев, В. Н. Дудиков, А. М. Кот, Н. А. Пихтин, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, С. О. Слипченко, П. В. Шпак, “Динамика излучения Yb, Er-лазера с диодной накачкой при воздействии на пассивный затвор мощной внешней подсветки”, Квантовая электроника, 50:9 (2020),  822–825  mathnet  elib [E. O. Batura, Yu. K. Bobretsova, M. V. Bogdanovich, D. A. Veselov, A. V. Grigor'ev, V. N. Dudikov, A. M. Kot, N. A. Pikhtin, A. G. Ryabtsev, G. I. Ryabtsev, S. O. Slipchenko, P. V. Shpak, “Lasing dynamics of diode-pumped Yb – Er laser with a passive Q switch exposed to high-power external light”, Quantum Electron., 50:9 (2020), 822–825  isi  scopus] 1
2017
4. М. В. Богданович, Д. М. Кабанов, Е. В. Лебедок, П. В. Шпак, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, М. А. Щемелев, И. А. Андреев, Е. В. Куницына, Э. В. Иванов, Ю. П. Яковлев, “Измеритель содержания воды в нефти и нефтепродуктах на основе инфракрасных оптоэлектронных пар светодиод–фотодиод”, ЖТФ, 87:2 (2017),  315–318  mathnet  elib; M. V. Bogdanovich, D. M. Kabanov, E. V. Lebiadok, P. V. Shpak, A. G. Ryabtsev, G. I. Ryabtsev, M. A. Shchemelev, I. A. Andreev, E. V. Kunitsyna, È. V. Ivanov, Yu. P. Yakovlev, “Measurement of the water content in oil and oil products using IR light-emitting diode–photodiode optrons”, Tech. Phys., 62:2 (2017), 344–346 3
5. М. В. Богданович, А. В. Григорьев, К. И. Ланцов, К. В. Лепченков, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, М. А. Щемелев, В. С. Титовец, Л. Агравал, А. Бхардваш, “Мощный параметрический генератор света на основе задающего Nd : KGW-лазера с высокой частотой следования импульсов”, Квантовая электроника, 47:4 (2017),  308–312  mathnet  elib [M. V. Bogdanovich, A. V. Grigor'ev, K. I. Lantsov, K. V. Lepchenkov, A. G. Ryabtsev, G. I. Ryabtsev, M. A. Shchemelev, V. S. Titovets, L. Agrawal, A. Bhardwaj, “High-power optical parametric oscillator based on a high-pulse repetition rate, master Nd : KGW laser”, Quantum Electron., 47:4 (2017), 308–312  isi  scopus] 2
2016
6. М. В. Богданович, В. П. Дураев, В. С. Калинов, О. Е. Костик, К. И. Ланцов, К. В. Лепченков, В. В. Машко, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, Л. Л. Тепляшин, “Моноимпульсный Nd : YAG-лазер с поперечной диодной накачкой и инжекцией излучения одночастотного полупроводникового лазерного модуля”, Квантовая электроника, 46:10 (2016),  870–872  mathnet  elib [M. V. Bogdanovich, V. P. Duraev, V. S. Kalinov, O. E. Kostik, K. I. Lantsov, K. V. Lepchenkov, V. V. Mashko, A. G. Ryabtsev, G. I. Ryabtsev, L. L. Teplyashin, “Transversely diode-pumped Q-switched Nd : YAG laser with injection of radiation from a single-frequency semiconductor laser”, Quantum Electron., 46:10 (2016), 870–872  isi  scopus] 3
2015
7. Т. В. Безъязычная, М. В. Богданович, В. В. Кабанов, Д. М. Кабанов, Е. В. Лебедок, В. В. Паращук, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, П. В. Шпак, М. А. Щемелев, И. А. Андреев, Е. В. Куницына, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Оптоэлектронные пары светодиод-фотодиод на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP для детектирования углекислого газа”, Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  1003–1006  mathnet  elib; T. V. Bez'yazychnaya, M. V. Bogdanovich, V. V. Kabanov, D. M. Kabanov, E. V. Lebiadok, V. V. Parashchuk, A. G. Ryabtsev, G. I. Ryabtsev, P. V. Shpak, M. A. Shchemelev, I. A. Andreev, E. V. Kunitsyna, V. V. Sherstnev, Yu. P. Yakovlev, “Light emitting diode–photodiode optoelectronic pairs based on the InAs/InAsSb/InAsSbP heterostructure for the detection of carbon dioxide”, Semiconductors, 49:7 (2015), 980–983 8
2012
8. В. В. Кабанов, Е. В. Лебедок, Г. И. Рябцев, А. С. Смаль, М. А. Щемелев, Д. А. Винокуров, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, “Излучательная и безызлучательная рекомбинация в активных слоях мощных лазерных диодов InGaAs/GaAs/AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1339–1343  mathnet  elib; V. V. Kabanov, E. V. Lebiadok, G. I. Ryabtsev, A. S. Smal, M. A. Shchemelev, D. A. Vinokurov, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, I. S. Tarasov, “Radiative and nonradiative recombination in the active layers of high-power InGaAs/GaAs/AlGaAs laser diodes”, Semiconductors, 46:10 (2012), 1316–1320 7
2011
9. В. В. Кабанов, Е. В. Лебедок, А. А. Романенко, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, М. А. Щемелев, С. К. Мехта, “Усиленная люминесценция и выходные характеристики мощных линеек лазерных InGaAs/AlGaAs-диодов”, Квантовая электроника, 41:2 (2011),  95–98  mathnet  elib [V. V. Kabanov, E. V. Lebiadok, A. A. Romanenko, A. G. Ryabtsev, G. I. Ryabtsev, M. A. Shchemelev, S. K. Mekhta, “Amplified luminescence and output characteristics of high-power InGaAs/AlGaAs laser diode arrays”, Quantum Electron., 41:2 (2011), 95–98  isi  scopus] 6
2010
10. В. В. Паращук, Г. И. Рябцев, А. К. Беляева, Т. В. Безъязычная, В. В. Баранов, Е. В. Телеш, Ву Зоан Мьен, Ву Ван Лук, Фам Ван Чыонг, “Повышение эффективности мощных диодных лазеров при использовании алмазных теплоотводов”, Квантовая электроника, 40:4 (2010),  301–304  mathnet  elib [V. V. Parashchuk, G. I. Ryabtsev, A. K. Belyaeva, T. V. Bez'yazychnaya, V. V. Baranov, E. V. Telesh, Vu Doan Mien, Vu Van Luc, Pham Van Truong, “Improving the efficiency of high-power diode lasers using diamond heat sinks”, Quantum Electron., 40:4 (2010), 301–304  isi  scopus] 4
2009
11. В. В. Кабанов, Е. В. Лебедок, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, М. А. Щемелев, В. В. Шерстнев, А. П. Астахова, Ю. П. Яковлев, “Температурная зависимость внутренних параметров дисковых лазерных диодов InAs/InAsSbP”, Физика и техника полупроводников, 43:4 (2009),  522–526  mathnet  elib; V. V. Kabanov, E. V. Lebiadok, A. G. Ryabtsev, G. I. Ryabtsev, M. A. Shchemelev, V. V. Sherstnev, A. P. Astakhova, Yu. P. Yakovlev, “The temperature dependence of internal parameters of disc laser diodes InAs/InAsSbP”, Semiconductors, 43:4 (2009), 500–504 3
2008
12. Т. В. Безъязычная, В. М. Зеленковский, А. Л. Гурский, Г. И. Рябцев, “Структурные и энергетические характеристики собственных дефектов вакансионного типа в двуосно-напряженной решетке GaN”, Физика и техника полупроводников, 42:11 (2008),  1281–1285  mathnet  elib; T. V. Bez'yazychnaya, V. M. Zelenkovskii, A. L. Gurskiǐ, G. I. Ryabtsev, “Structural and energy characteristics of native vacancy-type defects in the biaxially stressed GaN lattice”, Semiconductors, 42:11 (2008), 1255–1258 1
13. А. П. Астахова, Т. В. Безъязычная, Л. И. Буров, А. С. Горбацевич, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, М. А. Щемелев, Ю. П. Яковлев, “Оптические параметры диодных лазеров на основе InAsSb/InAsSbP-гетероструктуры”, Физика и техника полупроводников, 42:2 (2008),  228–232  mathnet  elib; A. P. Astakhova, T. V. Bez'yazychnaya, L. I. Burov, A. S. Gorbatsevich, A. G. Ryabtsev, G. I. Ryabtsev, M. A. Shchemelev, Yu. P. Yakovlev, “Optical parameters of diode lasers based on an InAsSb/InAsSbP heterostructure”, Semiconductors, 42:2 (2008), 228–231 4
2006
14. Г. И. Рябцев, М. В. Богданович, А. И. Енжиевский, Л. И. Буров, А. Г. Рябцев, М. А. Щемелев, А. В. Пожидаев, В. Н. Матросов, В. В. Машко, Л. Л. Тепляшин, А. Н. Чумаков, “Параметры выходного пучка YVO<sub>4</sub>/Nd:YVO<sub>4</sub>-лазера с продольной диодной накачкой”, Квантовая электроника, 36:10 (2006),  925–927  mathnet  elib [G. I. Ryabtsev, M. V. Bogdanovich, A. I. Yenzhyieuski, L. I. Burov, A. G. Ryabtsev, M. A. Shchemelev, A. V. Pozhidaev, V. N. Matrosov, V. V. Mashko, L. L. Teplyashin, A. N. Chumakov, “Parameters of the output beam of a longitudinally diode-pumped YVO<sub>4</sub>/Nd:YVO<sub>4</sub>-laser”, Quantum Electron., 36:10 (2006), 925–927  isi  scopus] 2
2002
15. Л. И. Буров, И. Н. Варакса, С. В. Войтиков, М. И. Крамар, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, “Влияние усиленной люминесценции на порог генерации длинноволновых инжекционных лазеров”, Квантовая электроника, 32:3 (2002),  260–263  mathnet [L. I. Burov, I. N. Varaksa, S. V. Voitikov, M. I. Kramar, A. G. Ryabtsev, G. I. Ryabtsev, “Effect of amplified luminescence on the lasing threshold of long-wavelength injection lasers”, Quantum Electron., 32:3 (2002), 260–263  isi] 6
1985
16. Т. Б. Жиздюк, Н. Д. Жуков, В. М. Калиниченко, А. Е. Кузьмин, Г. И. Рябцев, С. Н. Соколов, “О деградации GaAs$-$(Al, Ga)As гетеролазеров, смонтированных на хладопроводе с помощью твердого припоя”, ЖТФ, 55:7 (1985),  1463–1465  mathnet  isi
1980
17. В. Е. Борисенко, С. А. Константинова, Г. Т. Пак, Г. И. Рябцев, И. В. Яшумов, “Ионно-плазменная обработка зеркал резонатора инжекционного лазера”, Квантовая электроника, 7:9 (1980),  2054–2057  mathnet [V. E. Borisenko, S. A. Konstantinova, G. T. Pak, G. I. Ryabtsev, I. V. Yashumov, “Ion-plasma treatment of mirrors of an injection-laser resonator”, Sov J Quantum Electron, 10:9 (1980), 1195–1196  isi]
1979
18. А. И. Бойкачев, В. П. Грибковский, В. К. Кононенко, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, Г. И. Рябцев, И. В. Яшумов, “Особенности ватт-амперных характеристик гетеролазеров с полосковым контактом”, Квантовая электроника, 6:5 (1979),  972–978  mathnet [A. I. Boǐkachev, V. P. Gribkovskiǐ, V. K. Kononenko, O. G. Okhotnikov, G. T. Pak, G. I. Ryabtsev, I. V. Yashumov, “Features of the watt-ampere characteristics of stripe-contact heterolasers”, Sov J Quantum Electron, 9:5 (1979), 572–576] 1
1978
19. В. П. Грибковский, В. А. Иванов, В. В. Паращук, Г. И. Рябцев, Г. П. Яблонский, “Вынужденное излучение в арсениде галлия при возбуждении высоковольтным импульсным элетрическим полем”, Квантовая электроника, 5:9 (1978),  2044–2046  mathnet [V. P. Gribkovskiǐ, V. A. Ivanov, V. V. Parashchuk, G. I. Ryabtsev, G. P. Yablonskiǐ, “Stimulated emission from gallium arsenide excited by highvoltage pulses”, Sov J Quantum Electron, 8:9 (1978), 1155–1156]
1977
20. А. П. Войтович, В. П. Грибковский, А. А. Павлющик, Г. Т. Пак, Г. И. Рябцев, И. В. Яшумов, “Влияние двухлучепреломления, индуцируемого магнитным полем, на спектр генерации полупроводникового лазера”, Квантовая электроника, 4:5 (1977),  1128–1132  mathnet [A. P. Voǐtovich, V. P. Gribkovskiǐ, A. A. Pavlyushchik, G. T. Pak, G. I. Ryabtsev, I. V. Yashumov, “Influence of magnetic birefringence on the stimulated emission spectrum of a semiconductor laser”, Sov J Quantum Electron, 7:5 (1977), 638–641]
2013
21. Т. В. Безъязычная, М. В. Богданович, А. В. Григорьев, В. М. Зеленковский, В. В. Кабанов, Д. М. Кабанов, Е. В. Лебедок, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, М. А. Щемелев, “Точечные дефекты и усиление в активных слоях InGaAs/AlGaAs-гетероструктур”, Физика твердого тела, 55:10 (2013),  2050–2053  mathnet  elib; T. V. Bez'yazychnaya, M. V. Bogdanovich, A. V. Grigor'ev, V. M. Zelenkovskii, V. V. Kabanov, D. M. Kabanov, E. V. Lebiadok, A. G. Ryabtsev, G. I. Ryabtsev, M. A. Shchemelev, “Point defects and amplification in active layers of InGaAs/AlGaAs heterostructures”, Phys. Solid State, 55:10 (2013), 2165–2168 3

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026