|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
А. И. Хребтов, А. С. Кулагина, Н. В. Сибирёв, А. Н. Яблонский, А. С. Рубан, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, В. В. Данилов, “Ретрансляция возбуждения люминесценции при каскадных переходах в гибридных наноструктурах на основе ННК InP/InAsP/InP И КТ CdSe/ZnS-TOPO”, Оптика и спектроскопия, 131:10 (2023), 1403–1411   |
|
2022 |
| 2. |
Р. Р. Резник, В. О. Гридчин, К. П. Котляр, А. И. Хребтов, Е. В. Убыйвовк, С. В. Микушев, D. Li, R. Radhakrishnan, J. F. Neto, N. Akopian, Г. Э. Цырлин, “Формирование InGaAs-квантовых точек в теле AlGaAs-нитевидных нанокристаллов при молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022), 689–692 |
|
2020 |
| 3. |
А. С. Кулагина, А. И. Хребтов, А. А. Рыжов, В. В. Данилов, И. В. Штром, К. П. Котляр, П. А. Алексеев, А. Н. Смирнов, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, “Нелинейное просветление InAs нитевидных нанокристаллов в видимом диапазоне”, Оптика и спектроскопия, 128:1 (2020), 128–133 ; A. S. Kulagina, A. I. Khrebtov, A. A. Ryzhov, V. V. Danilov, I. V. Shtrom, K. P. Kotlyar, P. A. Alekseev, A. N. Smirnov, R. R. Reznik, G. E. Cirlin, “Nonlinear bleaching of InAs nanowires in the visible range”, Optics and Spectroscopy, 128:1 (2020), 125–130 |
| 4. |
А. С. Кулагина, А. И. Хребтов, Р. Р. Резник, Е. В. Убыйвовк, А. П. Литвин, И. Д. Скурлов, Г. Э. Цырлин, Е. Н. Бодунов, В. В. Данилов, “Роль модельных представлений в описании кинетики люминесценции гибридных нитевидных нанокристаллов”, Оптика и спектроскопия, 128:1 (2020), 122–127 ; A. S. Kulagina, A. I. Khrebtov, R. R. Reznik, E. V. Ubyivovk, A. P. Litvin, I. D. Skurlov, G. E. Cirlin, E. N. Bodunov, V. V. Danilov, “The significance of fitting in the description of luminescence kinetics of hybrid nanowires”, Optics and Spectroscopy, 128:1 (2020), 119–124 |
9
|
| 5. |
А. И. Хребтов, А. С. Кулагина, В. В. Данилов, Е. С. Громова, И. Д. Скурлов, А. П. Литвин, Р. Р. Резник, И. В. Штром, Г. Э. Цырлин, “Фотодинамика люминесценции гибридных наноструктур InP/InAsP/InP ННК, пассивированных слоем ТОРО-CdSe/ZnS КТ”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 952–957 ; A. I. Khrebtov, A. S. Kulagina, V. V. Danilov, E. S. Gromova, I. D. Skurlov, A. P. Litvin, R. R. Reznik, I. V. Shtrom, G. E. Cirlin, “Luminescence photodynamics of hybrid-structured InP/InAsP/InP nanowires passivated by a layer of ТОРО-CdSe/ZnS quantum dots”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1141–1146 |
8
|
|
2019 |
| 6. |
А. И. Хребтов, Р. Р. Резник, Е. В. Убыйвовк, А. П. Литвин, И. Д. Скурлов, П. С. Парфёнов, А. С. Кулагина, В. В. Данилов, Г. Э. Цырлин, “Безызлучательный перенос энергии в гибридных наноструктурах с различной размерностью”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1289–1292 ; A. I. Khrebtov, R. R. Reznik, E. V. Ubyivovk, A. P. Litvin, I. D. Skurlov, P. S. Parfenov, A. S. Kulagina, V. V. Danilov, G. E. Cirlin, “Nonradiative energy transfer in hybrid nanostructures with varied dimensionality”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1258–1261 |
11
|
|
2018 |
| 7. |
В. В. Данилов, А. С. Кулагина, Н. В. Сибирев, А. И. Хребтов, В. Б. Шилов, “Фотодинамика нелинейных эффектов при воздействии пикосекундного лазерного излучения на коллоидные растворы квантовых точек CdSe/ZnS”, Оптика и спектроскопия, 125:5 (2018), 658–663 ; V. V. Danilov, A. S. Kulagina, N. V. Sibirev, A. I. Khrebtov, V. B. Shilov, “Photodynamics of nonlinear effects of picosecond laser action on CdSe/ZnS QDs colloidal solutions”, Optics and Spectroscopy, 125:5 (2018), 716–721 |
1
|
| 8. |
С. К. Евстропьев, А. С. Кулагина, К. С. Евстропьев, Е. В. Колобкова, Н. В. Никоноров, И. П. Сошников, К. В. Орешкина, А. И. Хребтов, “Влияние молекулярного веса поливинилпирролидона на структуру, спектральные и нелинейно-оптические свойства композиционных материалов, содержащих наночастицы CdS/ZnS”, Оптика и спектроскопия, 125:5 (2018), 608–614 ; S. K. Evstropiev, A. S. Kulagina, K. S. Evstropyev, E. V. Kolobkova, N. V. Nikonorov, I. P. Soshnikov, K. V. Oreshkina, A. I. Khrebtov, “The influence of polyvinylpyrrolidone molecular weight on the structure and the spectral and nonlinear optical properties of composite materials with CdS/ZnS nanoparticles”, Optics and Spectroscopy, 125:5 (2018), 640–645 |
3
|
| 9. |
П. А. Алексеев, М. С. Дунаевский, А. О. Михайлов, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, И. В. Илькив, А. И. Хребтов, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Электрические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на гибридных подложках графен/SiC”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1507–1511 ; P. A. Alekseev, M. S. Dunaevskii, A. O. Mikhailov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, I. V. Ilkiv, A. I. Khrebtov, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “Electrical properties of GaAs nanowires grown on graphene/SiC hybrid substrates”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1611–1615 |
3
|
| 10. |
Г. Э. Цырлин, Р. Р. Резник, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, К. П. Котляр, И. В. Илькив, И. П. Сошников, Д. А. Кириленко, Н. В. Крыжановская, “Нитевидные нанокристаллы на основе фосфидных соединений, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1304–1307 ; G. E. Cirlin, R. R. Reznik, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, K. P. Kotlyar, I. V. Ilkiv, I. P. Sotnikov, D. A. Kirilenko, N. V. Kryzhanovskaya, “Phosphorus-based nanowires grown by molecular-beam epitaxy on silicon”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1416–1419 |
3
|
| 11. |
G. E. Cirlin, R. R. Reznik, I. V. Shtrom, A. I. Khrebtov, Yu. B. Samsonenko, S. A. Kukushkin, T. Kasama, N. Akopian, “Hybrid GaAs/AlGaAs nanowire – quantum dot system for single photon sources”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 469 ; Semiconductors, 52:4 (2018), 462–464 |
12
|
| 12. |
И. В. Штром, Н. В. Сибирев, Е. В. Убыйвовк, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, Р. Р. Резник, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 5–9 ; I. V. Shtrom, N. V. Sibirev, E. V. Ubyivovk, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, R. R. Reznik, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “GaP/Si(111) nanowire crystals synthesized by molecular-beam epitaxy with switching between the hexagonal and cubic phases”, Semiconductors, 52:1 (2018), 1–5 |
1
|
| 13. |
Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, И. В. Штром, А. И. Хребтов, И. П. Сошников, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. Е. Жуков, “Когерентный рост нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP на поверхности Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 44:3 (2018), 55–61 ; R. R. Reznik, G. E. Cirlin, I. V. Shtrom, A. I. Khrebtov, I. P. Sotnikov, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, A. E. Zhukov, “Coherent growth of InP/InAsP/InP nanowires on a Si (111) surface by molecular-beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 44:2 (2018), 112–114 |
14
|
|
2017 |
| 14. |
И. В. Штром, Н. В. Сибирев, Е. В. Убыйвовк, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, Р. Р. Резник, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1587 ; I. V. Shtrom, N. V. Sibirev, E. V. Ubyivovk, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, R. R. Reznik, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “GaP/Si (111) nanowire crystals synthesized by molecular-beam epitaxy with switching between the hexagonal and cubic phases”, Semiconductors, 52:1 (2018), 1–5 |
1
|
| 15. |
В. Г. Талалаев, В. И. Штром, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Направленное излучение нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs, легированных бериллием”, Письма в ЖТФ, 43:17 (2017), 71–77 ; V. G. Talalaev, V. I. Shtrom, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “Directional emission from beryllium doped GaAs/AlGaAs nanowires”, Tech. Phys. Lett., 43:9 (2017), 811–813 |
2
|
|
2016 |
| 16. |
И. В. Штром, А. Д. Буравлев, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, V. Dhaka, A. Perros, H. Lipsanen, “Пассивация поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов с помощью молекулярного наслаивания AlN”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1644–1646 ; I. V. Shtrom, A. D. Bouravlev, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, I. P. Sotnikov, R. R. Reznik, G. E. Cirlin, V. Dhaka, A. Perros, H. Lipsanen, “Surface passivation of GaAs nanowires by the atomic layer deposition of AlN”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1619–1621 |
1
|
| 17. |
Г. Э. Цырлин, И. В. Штром, Р. Р. Резник, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, А. Д. Буравлев, И. П. Сошников, “Гибридные нитевидные нанокристаллы AlGaAs/GaAs/ AlGaAs с квантовой точкой, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1441–1444 ; G. E. Cirlin, I. V. Shtrom, R. R. Reznik, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, A. D. Bouravlev, I. P. Sotnikov, “Hybrid AlGaAs/GaAs/AlGaAs nanowires with a quantum dot grown by molecular beam epitaxy on silicon”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1421–1424 |
15
|
| 18. |
А. Е. Жуков, Г. Э. Цырлин, Р. Р. Резник, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, М. А. Калитеевский, К. А. Иванов, Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов, Ж. И. Алфёров, “Многослойные гетероструктуры для квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 674–678 ; A. E. Zhukov, G. E. Cirlin, R. R. Reznik, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, M. A. Kaliteevskii, K. A. Ivanov, N. V. Kryzhanovskaya, M. V. Maksimov, Zh. I. Alferov, “Multilayer heterostructures for quantum-cascade lasers operating in the terahertz frequency range”, Semiconductors, 50:5 (2016), 662–666 |
10
|
| 19. |
С. К. Евстропьев, И. П. Сошников, А. И. Хребтов, “Формирование покрытий на основе ZnO с использованием растворов, содержащих высокомолекулярный поливинилпирролидон”, Письма в ЖТФ, 42:9 (2016), 49–55 ; S. K. Evstropiev, I. P. Soshnikov, A. I. Khrebtov, “The formation of ZnO-based coatings from solutions containing high-molecular polyvinylpyrrolidone”, Tech. Phys. Lett., 42:5 (2016), 468–470 |
4
|
|
2015 |
| 20. |
Р. В. Григорьев, И. В. Штром, Н. Р. Григорьева, Б. В. Новиков, И. П. Сошников, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Фотоэлектрические свойства массива аксиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs”, Письма в ЖТФ, 41:9 (2015), 71–79 ; R. V. Grigor'ev, I. V. Shtrom, N. R. Grigor'eva, B. V. Novikov, I. P. Sotnikov, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, A. D. Bouravlev, G. È. Cirlin, “Photoelectric properties of an array of axial GaAs/AlGaAs nanowires”, Tech. Phys. Lett., 41:5 (2015), 443–447 |
6
|
| 21. |
В. В. Данилов, А. И. Хребтов, А. С. Панфутова, Г. Э. Цырлин, А. Д. Буравлев, V. Dhaka, H. Lipsanen, “Оптическое ограничение в растворах нитевидных нанокристаллов InP и GaAs и гибридных систем на их основе”, Письма в ЖТФ, 41:3 (2015), 33–41 ; V. V. Danilov, A. I. Khrebtov, A. S. Panfutova, G. È. Cirlin, A. D. Bouravlev, V. Dhaka, H. Lipsanen, “Optical limiting in solutions of InP and GaAs nanowires and hybrid systems based on such nanocrystals”, Tech. Phys. Lett., 41:2 (2015), 120–123 |
5
|
| 22. |
И. А. Багров, В. В. Данилов, С. К. Евстропьев, В. М. Киселев, И. М. Кисляков, А. С. Панфутова, А. И. Хребтов, “Фотоиндуцированное изменение люминесцентных свойств суспензий наночастиц PbS, стабилизированных поливинилпирролидоном”, Письма в ЖТФ, 41:2 (2015), 25–33 ; I. A. Bagrov, V. V. Danilov, S. K. Evstropiev, V. M. Kiselev, I. M. Kislyakov, A. S. Panfutova, A. I. Khrebtov, “Photoinduced variation of the luminescent properties of PbS nanoparticle suspensions stabilized by polyvinylpyrrolidone”, Tech. Phys. Lett., 41:1 (2015), 65–68 |
12
|
|
2014 |
| 23. |
А. Д. Буравлев, Н. В. Сибирев, Е. П. Гильштейн, П. Н. Брунков, И. С. Мухин, M. Tchernycheva, А. И. Хребтов, Ю. Б. Самсоненко, Г. Э. Цырлин, “Исследование электрических свойств одиночных (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов”, Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014), 358–363 ; A. D. Bouravlev, N. V. Sibirev, E. P. Gilstein, P. N. Brunkov, I. S. Mukhin, M. Tchernycheva, A. I. Khrebtov, Yu. B. Samsonenko, G. È. Cirlin, “Study of the electrical properties of individual (Ga,Mn)As nanowires”, Semiconductors, 48:3 (2014), 344–349 |
2
|
| 24. |
А. И. Хребтов, В. Г. Талалаев, Ю. Б. Самсоненко, P. Werner, В. В. Руцкая, М. В. Артемьев, Г. Э. Цырлин, “Гибридная система из нитевидных нанокристаллов GaAs и квантовых точек PbS на подложке кремния”, Письма в ЖТФ, 40:13 (2014), 36–43 ; A. I. Khrebtov, V. G. Talalaev, Yu. B. Samsonenko, P. Werner, V. V. Rutskaya, M. V. Artem'ev, G. È. Cirlin, “A hybrid system of GaAs whisker nanocrystals and PbS quantum dots on silicon substrate”, Tech. Phys. Lett., 40:7 (2014), 558–561 |
3
|
|
2013 |
| 25. |
А. И. Хребтов, В. Г. Талалаев, P. Werner, В. В. Данилов, М. В. Артемьев, Б. В. Новиков, И. В. Штром, А. С. Панфутова, Г. Э. Цырлин, “Композитная система на основе квантовых точек CdSe/ZnS и нитевидных нанокристаллов GaAs”, Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013), 1356–1360 ; A. I. Khrebtov, V. G. Talalaev, P. Werner, V. V. Danilov, M. V. Artem'ev, B. V. Novikov, I. V. Shtrom, A. S. Panfutova, G. È. Cirlin, “Composite system based on CdSe/ZnS quantum dots and GaAs nanowires”, Semiconductors, 47:10 (2013), 1346–1350 |
10
|
| 26. |
А. Д. Буравлёв, В. Н. Неведомский, Е. В. Убыйвовк, В. Ф. Сапега, А. И. Хребтов, Ю. Б. Самсоненко, Г. Э. Цырлин, В. М. Устинов, “Квантовые точки (In,Mn)As: синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013), 1033–1036 ; A. D. Bouravlev, V. N. Nevedomskiy, E. V. Ubyivovk, V. F. Sapega, A. I. Khrebtov, Yu. B. Samsonenko, G. È. Cirlin, V. M. Ustinov, “(In,Mn)As quantum dots: Molecular-beam epitaxy and optical properties”, Semiconductors, 47:8 (2013), 1037–1040 |
6
|
| 27. |
А. Д. Буравлёв, Д. В. Безнасюк, Е. П. Гильштейн, M. Tchernycheva, A. De Luna Bugallo, L. Rigutti, L. Yu, Yu. Proskuryakov, И. В. Штром, М. А. Тимофеева, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, Г. Э. Цырлин, “Исследование фотоэлектрических свойств массивов нитевидных нанокристаллов GaAs : Be”, Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013), 797–801 ; A. D. Bouravlev, D. V. Beznasyuk, E. P. Gilstein, M. Tchernycheva, A. De Luna Bugallo, L. Rigutti, L. Yu, Yu. Proskuryakov, I. V. Shtrom, M. A. Timofeeva, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, G. È. Cirlin, “Photovoltaic properties of GaAs:Be nanowire arrays”, Semiconductors, 47:6 (2013), 808–811 |
3
|
|
2012 |
| 28. |
В. Г. Талалаев, А. А. Тонких, Н. Д. Захаров, А. В. Сеничев, J. W. Tomm, P. Werner, Б. В. Новиков, L. V. Asryan, B. Fuhrmann, J. Schilling, H. S. Leipner, А. Д. Буравлев, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, И. П. Сошников, Г. Э. Цырлин, “Светоизлучающие туннельные наноструктуры на основе квантовых точек в матрице кремния и арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012), 1492–1503 ; V. G. Talalaev, A. A. Tonkikh, N. D. Zakharov, A. V. Senichev, J. W. Tomm, P. Werner, B. V. Novikov, L. V. Asryan, B. Fuhrmann, J. Schilling, H. S. Leipner, A. D. Bouravlev, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, I. P. Sotnikov, G. È. Cirlin, “Light-emitting tunneling nanostructures based on quantum dots in a Si and GaAs matrix”, Semiconductors, 46:11 (2012), 1460–1470 |
9
|
| 29. |
А. Д. Буравлев, А. А. Зайцев, П. Н. Брунков, В. Ф. Сапега, А. И. Хребтов, Ю. Б. Самсоненко, Г. Э. Цырлин, В. Г. Дубровский, В. М. Устинов, “Исследование процессов формирования самоупорядоченных квантовых точек на основе (In,Mn)As”, Письма в ЖТФ, 38:10 (2012), 21–27 ; A. D. Bouravlev, A. A. Zaitsev, P. N. Brunkov, V. F. Sapega, A. I. Khrebtov, Yu. B. Samsonenko, G. È. Cirlin, V. G. Dubrovskii, V. M. Ustinov, “Studying the formation of self-assembled (In,Mn)As quantum dots”, Tech. Phys. Lett., 38:5 (2012), 460–462 |
3
|
|
2011 |
| 30. |
И. П. Сошников, Дм. Е. Афанасьев, В. А. Петров, Г. Э. Цырлин, А. Д. Буравлев, Ю. Б. Самсоненко, А. Хребтов, Е. М. Танклевская, И. А. Селезнев, “Пьезоэффект в структурах с нитевидными нанокристаллами GaAs”, Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011), 1114–1116 ; I. P. Sotnikov, D. E. Afanasev, V. A. Petrov, G. È. Cirlin, A. D. Bouravlev, Yu. B. Samsonenko, A. Khrebtov, E. M. Tanklevskaya, I. A. Seleznev, “Piezoelectric effect in GaAs nanowires”, Semiconductors, 45:8 (2011), 1082–1084 |
10
|
| 31. |
И. П. Сошников, Дм. Е. Афанасьев, Г. Э. Цырлин, В. А. Петров, Е. М. Танклевская, Ю. Б. Самсоненко, А. Д. Буравлев, А. И. Хребтов, В. М. Устинов, “Формирование упорядоченных нитевидных нанокристаллов GaAs с помощью электронной литографии”, Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011), 840–846 ; I. P. Sotnikov, D. E. Afanasev, G. È. Cirlin, V. A. Petrov, E. M. Tanklevskaya, Yu. B. Samsonenko, A. D. Bouravlev, A. I. Khrebtov, V. M. Ustinov, “Fabrication of ordered GaAs nanowhiskers using electron-beam lithography”, Semiconductors, 45:6 (2011), 822–827 |
2
|
|
2004 |
| 32. |
М. В. Грязнова, В. В. Данилов, О. В. Хапова, А. И. Хребтов, Т. А. Шахвердов, “Ион-радикальный механизм оптического ограничения в фуллеренсодержащих растворах”, Квантовая электроника, 34:5 (2004), 407–411 [M. V. Gryaznova, V. V. Danilov, O. V. Khapova, A. I. Khrebtov, T. A. Shakhverdov, “Radical-ion mechanism of optical limiting in fullerene solutions”, Quantum Electron., 34:5 (2004), 407–411  ] |
8
|
|
Обратная связь: