|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
Н. В. Востоков, М. Н. Дроздов, М. А. Калинников, С. А. Краев, Д. Н. Лобанов, П. А. Юнин, “Диоды Шоттки на основе монокристаллических гетероструктур Al/AlGaN/GaN для микроволнового детектирования с нулевым смещением”, ЖТФ, 95:6 (2025), 1148–1156   |
| 2. |
М. А. Лобаев, Д. Б. Радищев, А. Л. Вихарев, А. М. Горбачев, С. А. Богданов, В. А. Исаев, С. А. Краев, А. И. Охапкин, Е. А. Архипова, П. А. Юнин, Н. В. Востоков, Е. В. Демидов, М. Н. Дроздов, “CVD-алмазные структуры с $p$–$n$-переходом — диоды и транзисторы”, ЖТФ, 95:3 (2025), 540–548 |
| 3. |
А. Н. Резник, Н. В. Востоков, “Малосигнальная электрическая схема диода Шоттки по данным микроволновой спектрометрии”, Физика и техника полупроводников, 59:2 (2025), 60–72 |
|
2023 |
| 4. |
А. Н. Резник, Н. В. Востоков, “Микроволновая вольт-импедансная спектроскопия полупроводниковой структуры”, Физика и техника полупроводников, 57:3 (2023), 169–180 |
|
2022 |
| 5. |
А. Н. Резник, Н. В. Востоков, “Резонансная микроволновая спектроскопия полупроводников с микронным разрешением”, ЖТФ, 92:3 (2022), 492–502 |
| 6. |
Н. В. Востоков, М. Н. Дроздов, С. А. Краев, О. И. Хрыкин, П. А. Юнин, “Влияние термического отжига на транспортные свойства низкобарьерных диодов Мотта Ti/AlGaN/GaN”, Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022), 627–629 |
|
2021 |
| 7. |
А. С. Пузанов, В. В. Бибикова, И. Ю. Забавичев, Е. С. Оболенская, А. А. Потехин, Е. А. Тарасова, Н. В. Востоков, В. А. Козлов, С. В. Оболенский, “Моделирование реакции сверхвысокочастотного низкобарьерного неохлаждаемого диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства и фемтосекундных лазерных импульсов”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 743–747 ; A. S. Puzanov, V. V. Bibikova, I. Yu. Zabavichev, E. S. Obolenskaya, A. A. Potekhin, E. A. Tarasova, N. V. Vostokov, V. A. Kozlov, S. V. Obolensky, “Modeling the response of a microwave low-barrier uncooled Mott diode to the action of heavy ions of outer space and femtosecond laser pulses”, Semiconductors, 55:10 (2021), 780–784 |
| 8. |
А. С. Пузанов, В. В. Бибикова, И. Ю. Забавичев, Е. С. Оболенская, Е. А. Тарасова, Н. В. Востоков, С. В. Оболенский, “Моделирование реакции низкобарьерного диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства”, Письма в ЖТФ, 47:6 (2021), 51–54 ; A. S. Puzanov, V. V. Bibikova, I. Yu. Zabavichev, E. S. Obolenskaya, E. A. Tarasova, N. V. Vostokov, S. V. Obolensky, “Simulation of the response of a low-barrier Mott diode to the influence of heavy charged particles from outer space”, Tech. Phys. Lett., 47:4 (2021), 305–308 |
1
|
|
2020 |
| 9. |
А. Н. Резник, Н. В. Востоков, Н. К. Вдовичева, В. И. Шашкин, “Микроволновая вольт-импедансная спектроскопия полупроводников”, ЖТФ, 90:11 (2020), 1944–1950 ; A. N. Reznik, N. V. Vostokov, N. K. Vdovicheva, V. I. Shashkin, “Microwave volt–impedance spectroscopy of semiconductors”, Tech. Phys., 65:11 (2020), 1859–1865 |
2
|
|
2019 |
| 10. |
Н. В. Востоков, В. М. Данильцев, С. А. Краев, В. Л. Крюков, Е. В. Скороходов, С. С. Стрельченко, В. И. Шашкин, “Вертикальный полевой транзистор с управляющим $p$–$n$-переходом на основе GaAs”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1311–1314 ; N. V. Vostokov, V. M. Daniltsev, S. A. Kraev, V. L. Kryukov, E. V. Skorokhodov, S. S. Strelchenko, V. I. Shashkin, “Vertical field-effect transistor with control $p$–$n$-junction based on GaAs”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1279–1281 |
| 11. |
П. В. Волков, Н. В. Востоков, А. В. Горюнов, Л. М. Кукин, В. В. Паршин, Е. А. Серов, В. И. Шашкин, “Детекторы на основе низкобарьерных диодов Мотта и их характеристики в диапазоне 150–250 GHz”, Письма в ЖТФ, 45:5 (2019), 56–58 ; P. V. Volkov, N. V. Vostokov, A. V. Goryunov, L. M. Kukin, V. Parshin, E. A. Serov, V. I. Shashkin, “Detectors based on low-barrier mott diodes and their characteristics in the 150–250 GHz range”, Tech. Phys. Lett., 45:3 (2019), 239–241 |
5
|
|
2017 |
| 12. |
С. А. Королев, Н. В. Востоков, Н. В. Дьяконова, В. И. Шашкин, “Влияние высоты барьера затвор–канал на характеристики детектирования полевого транзистора в сверхвысокочастотном и терагерцовом диапазонах”, ЖТФ, 87:5 (2017), 746–753 ; S. A. Korolev, N. V. Vostokov, N. V. D'yakonova, V. I. Shashkin, “Influence of the channel–gate barrier height on the detection properties of a field-effect transistor in the microwave and terahertz ranges”, Tech. Phys., 62:5 (2017), 765–772 |
1
|
|
2014 |
| 13. |
Н. В. Востоков, С. А. Королев, В. И. Шашкин, “Применение низкобарьерных структур металл–полупроводник–металл для детектирования микроволновых сигналов”, ЖТФ, 84:7 (2014), 91–95 ; N. V. Vostokov, S. A. Korolev, V. I. Shashkin, “Application of low-barrier metal–semiconductor–metal structures for the detection of microwave signals”, Tech. Phys., 59:7 (2014), 1036–1040 |
5
|
|
2011 |
| 14. |
Н. В. Востоков, М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, Д. В. Мастеров, С. А. Павлов, А. Е. Парафин, “Исследование электрофизических и структурных параметров YBCO-пленок, выращенных за несколько ростовых циклов”, Письма в ЖТФ, 37:14 (2011), 54–59 ; N. V. Vostokov, M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, D. V. Masterov, S. A. Pavlov, A. E. Parafin, “Electrical and structural parameters of YBCO films obtained by repeated growth cycles”, Tech. Phys. Lett., 37:7 (2011), 671–673 |
1
|
|
2010 |
| 15. |
А. В. Антонов, Н. В. Востоков, М. Н. Дроздов, Л. Д. Молдавская, В. И. Шашкин, О. И. Хрыкин, А. Н. Яблонский, “Фотопроводимость структур InAs/GaAs с нанокластерами InAs в ближнем инфракрасном диапазоне”, Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010), 1511–1513 ; A. V. Antonov, N. V. Vostokov, M. N. Drozdov, L. D. Moldavian, V. I. Shashkin, O. I. Khrykin, A. N. Yablonskii, “Photoconductivity of InAs/GaAs structures with InAs nanoclusters in the near-infrared region”, Semiconductors, 44:11 (2010), 1464–1466 |
2
|
| 16. |
Н. В. Востоков, Ю. Н. Дроздов, Д. В. Мастеров, С. А. Павлов, А. Е. Парафин, “Осаждение YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-\delta}$ пленок на обе стороны подложки методом магнетронного напыления”, Письма в ЖТФ, 36:18 (2010), 60–66 ; N. V. Vostokov, Yu. N. Drozdov, D. V. Masterov, S. A. Pavlov, A. E. Parafin, “Deposition of YBCO films on both sides of substrate by magnetron sputtering”, Tech. Phys. Lett., 36:9 (2010), 859–861 |
1
|
|
2002 |
| 17. |
Н. В. Востоков, Ю. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, А. Н. Яблонский, “Низкоэнергетическая фотолюминесценция структур с GeSi/Si(001) самоорганизующимися наноостровками”, Письма в ЖЭТФ, 76:6 (2002), 425–429 ; N. V. Vostokov, Yu. N. Drozdov, Z. F. Krasil'nik, D. N. Lobanov, A. V. Novikov, A. N. Yablonskii, “Low-energy photoluminescence of structures with GeSi/Si(001) self-assembled nanoislands”, JETP Letters, 76:6 (2002), 365–369  |
26
|
|
2001 |
| 18. |
А. М. Алексеев, Ю. К. Верёвкин, Н. В. Востоков, В. Н. Петряков, Н. И. Полушкин, А. Ф. Попков, Н. Н. Салащенко, “Наблюдение лазерно-индуцированных локальных модификаций магнитного порядка в слоях переходных металлов”, Письма в ЖЭТФ, 73:4 (2001), 214–219 ; A. M. Alekseev, Yu. K. Verevkin, N. V. Vostokov, V. N. Petryakov, N. I. Polushkin, A. F. Popkov, N. N. Salashchenko, “Observation of laser-induced local modification of magnetic order in transition metal layers”, JETP Letters, 73:4 (2001), 192–196 |
9
|
|
2000 |
| 19. |
В. И. Бредихин, Ю. К. Верёвкин, Э. Я. Дауме, С. П. Кузнецов, О. А. Мальшакова, В. Н. Петряков, Н. В. Востоков, Н. И. Полушкин, “Когерентное воздействие на поверхность четырех пучков излучения XeCl-лазера”, Квантовая электроника, 30:4 (2000), 333–336 [V. I. Bredikhin, Yu. K. Verevkin, È. Ya. Daume, S. P. Kuznetsov, O. A. Malshakova, V. N. Petryakov, N. V. Vostokov, N. I. Polushkin, “Coherent effect of four XeCl laser beams on a surface”, Quantum Electron., 30:4 (2000), 333–336  ] |
10
|
|
Обратная связь: