|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
О. А. Гогина, Ю. В. Петров, О. Ф. Вывенко, С. Ковальчук, К. Болотин, “Ультрафиолетовая катодолюминесценция ионно-индуцированных дефектов в гексагональном нитриде бора”, Письма в ЖЭТФ, 121:1 (2025), 3–9 ; O. A. Gogina, Yu. V. Petrov, O. F. Vyvenko, S. Kovalchuk, K. Bolotin, “Ultraviolet cathodoluminescence of ion-induced defects in hexagonal boron nitride”, JETP Letters, 121:1 (2025), 1–7 |
| 2. |
О. Ф. Вывенко, О. А. Гогина, Ю. В. Петров, Е. В. Убыйвовк, Т. С. Аргунова, С. С. Нагалюк, “Дислокационная структура индентированных объемных кристаллов AlN”, Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025), 306–309 |
| 3. |
Н. А. Маслова, Д. В. Данилов, О. Ф. Вывенко, В. А. Скуратов, В. А. Володин, А. Е. Калядин, Н. А. Соболев, “Комплексы собственных точечных дефектов в кремнии, сформированные в результате ионной имплантации ксенона высоких энергий и постимплантационных отжигов”, Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025), 298–301 |
|
2024 |
| 4. |
Ю. Г. Носов, С. В. Шапенков, О. Ф. Вывенко, А. А. Кицай, В. И. Николаев, “Кристаллизация $\beta$-Ga$_2$O$_3$ из раствора-расплава и исследование полученных кристаллов методом катодолюминесценции”, Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024), 548–551 |
|
2023 |
| 5. |
О. Ф. Вывенко, А. С. Бондаренко, Е. В. Убыйвовк, С. В. Шапенков, А. И. Печников, В. И. Николаев, С. И. Степанов, “Структура и рекомбинационные свойства двойниковых границ в $\kappa$-фазе оксида галлия”, Физика твердого тела, 65:12 (2023), 2194–2197 |
| 6. |
Ю. В. Петров, О. А. Гогина, О. Ф. Вывенко, S. Kovalchuk, K. Bolotin, “Влияние комбинированного ионного и электронного облучения на полосу люминесценции 2 eV в гексагональном нитриде бора”, ЖТФ, 93:7 (2023), 921–927 |
1
|
|
2017 |
| 7. |
Н. В. Высотский, А. С. Лошаченко, О. Ф. Вывенко, “Атомная конфигурация и зарядовое состояние водорода на дислокациях в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 305–310 ; N. V. Vysotskii, A. S. Loshachenko, O. F. Vyvenko, “Atomic configuration and charge state of hydrogen at dislocations in silicon”, Semiconductors, 51:3 (2017), 293–298 |
|
2015 |
| 8. |
О. С. Медведев, О. Ф. Вывенко, А. С. Бондаренко, “Люминесценция свежевведенных $a$-винтовых дислокаций в низкоомном GaN”, Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015), 1217–1222 ; O. S. Medvedev, O. F. Vyvenko, A. S. Bondarenko, “On the luminescence of freshly introduced $a$-screw dislocations in low-resistance GaN”, Semiconductors, 49:9 (2015), 1181–1186 |
14
|
|
2013 |
| 9. |
Ю. И. Латышев, А. П. Орлов, А. В. Фролов, В. А. Волков, И. В. Загороднев, В. А. Скуратов, Ю. В. Петров, О. Ф. Вывенко, Д. Ю. Иванов, М. Конзиковски, П. Монсо, “Орбитальное квантование в системе краевых дираковских фермионов в
наноперфорированном графене”, Письма в ЖЭТФ, 98:4 (2013), 242–246 ; Yu. I. Latyshev, A. P. Orlov, A. V. Frolov, V. A. Volkov, I. V. Zagorodnev, V. A. Skuratov, Yu. V. Petrov, O. F. Vyvenko, D. Yu. Ivanov, M. Konczykowski, P. Monceau, “Orbital quantization in a system of edge Dirac fermions in nanoperforated graphene”, JETP Letters, 98:4 (2013), 214–218 |
14
|
| 10. |
А. С. Лошаченко, О. Ф. Вывенко, Е. И. Шек, Н. А. Соболев, “Электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами кислорода”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 251–254 ; A. S. Loshachenko, O. F. Vyvenko, E. I. Shek, N. A. Sobolev, “The electrically active centers in oxygen-implanted silicon”, Semiconductors, 47:2 (2013), 285–288 |
| 11. |
В. И. Вдовин, Е. В. Убыйвовк, О. Ф. Вывенко, “Закономерности образования дислокационных сеток на границе сращённых пластин Si(001)”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 228–232 ; V. I. Vdovin, E. V. Ubyivovk, O. F. Vyvenko, “Regularities in the formation of dislocation networks on the boundary of bonded Si(001) wafers”, Semiconductors, 47:2 (2013), 264–268 |
3
|
| 12. |
А. С. Бондаренко, О. Ф. Вывенко, И. А. Исаков, “Электронные уровни и люминесценция дислокационных сеток, полученных гидрофильным сращиванием пластин кремния”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 223–227 ; A. S. Bondarenko, O. F. Vyvenko, I. A. Isakov, “Electron levels and luminescence of dislocation networks formed by the hydrophilic bonding of silicon wafers”, Semiconductors, 47:2 (2013), 259–263 |
3
|
|
1992 |
| 13. |
О. Ф. Вывенко, А. А. Истратов, “Оптимизация корреляционной процедуры в методах термостимулированной
релаксационной спектроскопии полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992), 1693–1700 |
| 14. |
В. В. Рыков, А. В. Харионовский, О. Ф. Вывенко, “Отрицательный фотоакустический эффект в стеклообразном селениде
мышьяка”, Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992), 1653–1656 |
|
1991 |
| 15. |
О. Ф. Вывенко, А. В. Тульев, “Нелинейная перколяционная проводимость в дислокационном сульфиде кадмия”, Физика твердого тела, 33:7 (1991), 2020–2030 |
| 16. |
О. Ф. Вывенко, И. А. Давыдов, В. Г. Лучина, С. Л. Целищев, “Фотоэлектрические процессы в сульфиде кадмия с изовалентной примесью
теллура”, Физика и техника полупроводников, 25:10 (1991), 1745–1750 |
|
1990 |
| 17. |
О. Ф. Вывенко, Н. В. Базлов, С. Л. Целищев, “Об определении энергии ионизации глубоких уровней из данных DLTS”, Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990), 2208–2210 |
| 18. |
О. Ф. Вывенко, А. А. Истратов, А. Г. Хлебов, “Двухзарядный метастабильный центр, обусловленный дислокациями в CdS”, Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990), 1650–1658 |
| 19. |
К. М. Байков, В. В. Семин, C. K. Филатов, Т. В. Белопольская, Г. И. Церетели, О. Ф. Вывенко, Т. В. Грачева, О. И. Смирнова, “Стимулированное обработкой в водороде превращение при 520 K
тетрагональной фазы YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{y}$ в ромбическую
сверхпроводящую”, Письма в ЖТФ, 16:6 (1990), 84–87 |
|
1989 |
| 20. |
О. Ф. Вывенко, А. А. Истратов, А. Г. Хлебов, “Метастабильность дефектов, связанных с дислокациями, в сульфиде
кадмия”, Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989), 1521–1524 |
| 21. |
С. К. Филатов, В. В. Семин, О. Ф. Вывенко, В. Б. Трофимов, А. В. Назаренко, В. Т. Серегин, “Деформации кристаллической решетки керамики состава
Bi$-$Ca$-$Sr$-$Сu$-$О
при нагревании и термодесорбции летучих компоненов”, Письма в ЖТФ, 15:3 (1989), 23–26 |
|
1987 |
| 22. |
О. Ф. Вывенко, А. В. Тульев, “Анизотропия проводимости, обусловленная краевыми призматическими дислокациями в сульфиде кадмия”, Физика твердого тела, 29:3 (1987), 855–857 |
|
1986 |
| 23. |
О. Ф. Вывенко, И. А. Давыдов, Л. П. Страхов, “Использование двойного оптического возбуждения в спектроскопии
поверхностной фотоэдс”, Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986), 146–149 |
|
|
|
2022 |
| 24. |
Ю. В. Петров, О. А. Гогина, О. Ф. Вывенко, S. Kovalchuk, K. Bolotin, T. Taniguchi, K. Watanabe, “Ионно-лучевая модификация локальных люминесцентных свойств гексагонального нитрида бора”, ЖТФ, 92:7 (2022), 1166–1171 |
4
|
|