Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Гарбузов Дмитрий Залманович
(1940–2006)
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 79
Научных статей: 79

Статистика просмотров:
Эта страница:502
Страницы публикаций:6604
Полные тексты:2751
член-корреспондент РАН
доктор физико-математических наук (1978)
Специальность ВАК: 01.04.10 (физика полупроводников)
Дата рождения: 27.10.1940

Научная биография:

С 1964 по 1994 трудился в ЛФТИ.
В 1994 г. убыл в США. Работал в Принстонском университете, Sarnov Corporation и др. учрежд.

Гарбузов, Дмитрий Залманович. Излучательная рекомбинация в арсениде галлия и эпитаксиальных структурах с гомо- и гетеропереходами на его основе : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.00.00. - Ленинград, 1968. - 245 с.

Гарбузов, Дмитрий Залманович. Излучательная рекомбинация в $AlGaAs$ - гетероструктурах : дис. ... докт. физ.-мат. наук : 01.04.10. - Ленинград, 1978. - 408 с.

https://www.mathnet.ru/rus/person87695
https://ru.wikipedia.org/wiki/Гарбузов,_Дмитрий_Залманович
Список публикаций на Google Scholar

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
1991
1. Д. З. Гарбузов, И. Э. Беришев, Ю. В. Ильин, Н. Д. Ильинская, А. В. Овчинников, Н. А. Пихтин, Н. Л. Рассудов, И. С. Тарасов, “Совершенствование процесса заращивания и получение одномодовых зарощенных InGaAsP/InP-лазеров ($\lambda=1.3$ мкм) с мощностью излучения 160 мВт”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1414–1418  mathnet
2. Д. З. Гарбузов, И. Э. Беришев, Ю. В. Ильин, Н. Д. Ильинская, Н. А. Пихтин, А. В. Овчинников, И. С. Тарасов, “Зарощенные одномодовые непрерывные InGaAsP/InP лазеры раздельного ограничения (${\lambda=1.3}$ мкм)”, Письма в ЖТФ, 17:6 (1991),  17–21  mathnet  isi
3. Д. З. Гарбузов, Ю. В. Ильин, Д. А. Кочеров, А. В. Овчинников, А. Ф. Солодков, И. С. Тарасов, Н. В. Шелков, С. Д. Якубович, “Прямая амплитудная модуляция излучения ДГС (InGA)AsP/InP-лазеров (λ = 1,3 мкм) с раздельным ограничением”, Квантовая электроника, 18:3 (1991),  281–286  mathnet [D. Z. Garbuzov, Yu. V. Il'in, D. A. Kocherov, A. V. Ovchinnikov, A. F. Solodkov, I. S. Tarasov, N. V. Shelkov, S. D. Yakubovich, “Direct amplitude modulation of the radiation emitted by (InGa)AsP/InP double-heterostructure lasers (λ = 1.3 μm) with separate confinement”, Sov J Quantum Electron, 21:3 (1991), 251–255  isi]
1990
4. И. Э. Беришев, Д. З. Гарбузов, С. Е. Гончаров, Ю. В. Ильин, А. В. Михайлов, А. В. Овчинников, Н. А. Пихтин, Э. У. Рафаилов, И. С. Тарасов, “Оптический модуль на базе квантоворазмерного InGaAsP/InP лазера ваттного диапазона ($\lambda=1.3$ мкм)”, Письма в ЖТФ, 16:21 (1990),  35–41  mathnet  isi
5. Д. З. Гарбузов, С. В. Зайцев, Ю. В. Ильин, Т. А. Налет, А. В. Овчинников, И. С. Тарасов, “Зависимость пороговой плотности тока и дифференциальной квантовой эффективности РО ДГС InGaAsP/InP ($\lambda=1.3$ мкм) лазеров от потерь на выход”, Письма в ЖТФ, 16:9 (1990),  50–54  mathnet  isi 1
6. Н. Н. Аблязов, Д. З. Гарбузов, В. Б. Халфин, “О возможности увеличения предельной плотности излучения в гетеролазерах с широким волноводом”, Квантовая электроника, 17:11 (1990),  1411–1414  mathnet [N. N. Ablyazov, D. Z. Garbuzov, V. B. Khalfin, “Possibility of increasing the maximum radiation intensity in heterolasers with a wide waveguide”, Sov J Quantum Electron, 20:11 (1990), 1320–1323  isi] 1
7. Д. З. Гарбузов, Ю. В. Ильин, А. В. Овчинников, Э. У. Рафаилов, И. С. Тарасов, Н. В. Фомин, “Распределение полей излучения и пространственная когерентность в ДГС-InGaAsP/InP-лазерах (λ = 1,3 мкм) с раздельным ограничением”, Квантовая электроника, 17:1 (1990),  14–16  mathnet [D. Z. Garbuzov, Yu. V. Il'in, A. V. Ovchinnikov, È. U. Rafailov, I. S. Tarasov, N. V. Fomin, “Distribution and spatial coherence of radiation fields of InGaAsP/lnP double-heterostructure separate-confinement lasers emitting at λ = 1.3 μm”, Sov J Quantum Electron, 20:1 (1990), 9–11  isi]
1989
8. Д. З. Гарбузов, С. В. Зайцев, В. Б. Пташник, И. С. Тарасов, Ф. А. Чудновский, “Оптическая реверсивная побитовая запись информации на пленках VO$_{2}$”, ЖТФ, 59:10 (1989),  174–177  mathnet  isi
9. Д. З. Гарбузов, А. В. Васильев, Е. В. Журавкевич, В. П. Чалый, А. Л. Тер-Мартиросян, А. В. Овчинников, В. Б. Халфин, “Влияние внутренних потоков в расплаве при росте эпитаксиальных слоев на движущуюся подложку”, ЖТФ, 59:1 (1989),  92–97  mathnet  isi
10. В. Ю. Петрунькин, B. C. Сысуев, А. С. Щербаков, Д. З. Гарбузов, Ю. В. Ильин, И. С. Тарасов, “Формирование высокочастотной последовательности пикосекундных оптических импульсов на длине волны 1.32 мкм”, Письма в ЖТФ, 15:24 (1989),  64–68  mathnet  isi
11. Д. З. Гарбузов, А. В. Гулаков, А. В. Кочергин, Н. А. Стругов, В. П. Чалый, “Система диодной накачки АИГ${-}$Nd$^{3+}$ на основе InGaAsP/GaAs структур ($\text{Р}_{1.06}=320$ мВт, кпд 12%)”, Письма в ЖТФ, 15:24 (1989),  15–21  mathnet  isi
12. В. Ю. Петрунькин, В. М. Сысуев, А. С. Щербаков, Д. З. Гарбузов, Ю. В. Ильин, А. В. Овчинников, И. С. Тарасов, “Источник пикосекундных импульсов для высокоскоростной солитонной системы передачи информации”, Письма в ЖТФ, 15:9 (1989),  25–29  mathnet  isi
13. Д. З. Гарбузов, С. Н. Жигулин, И. А. Мокина, Т. А. Налет, М. А. Синицын, H. A. Стругов, А. П. Шкурко, Б. C. Явич, “Оксидно-полосковые и зарощенные AlGaAs/GaAs квантово-размерные лазеры, изготовленные методом МОС-гидридной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 15:1 (1989),  20–25  mathnet  isi
14. Д. З. Гарбузов, В. В. Дедыш, А. В. Кочергин, Н. В. Кравцов, О. Е. Наний, В. Е. Надточеев, Н. А. Стругов, В. В. Фирсов, А. Н. Шелаев, “Гранатовый чип-лазер с накачкой InGaAsP/GaAs-лазером”, Квантовая электроника, 16:12 (1989),  2423–2425  mathnet [D. Z. Garbuzov, V. V. Dedysh, A. V. Kochergin, N. V. Kravtsov, O. E. Nanii, V. E. Nadtocheev, N. A. Strugov, V. V. Firsov, A. N. Shelaev, “Garnet chip laser pumped by an InGaAsP/GaAs laser”, Sov J Quantum Electron, 19:12 (1989), 1557–1558  isi] 8
1988
15. Ж. И. Алфров, Д. З. Гарбузов, С. Н. Жигулин, И. А. Кузьмин, Б. Б. Орлов, М. А. Синицын, Н. А. Стругов, В. Е. Токранов, Б. С. Явич, “Квантово-размерные лазерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры, полученные МОС гидридным методом. Квантовый выход люминесценции и пороги генерации”, Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988),  2111–2117  mathnet
16. Ж. И. Алфёров, Д. З. Гарбузов, А. Г. Денисов, В. П. Евтихиев, А. Б. Комиссаров, А. П. Сеничкин, В. Н. Скороходов, В. Е. Токранов, “Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988),  2105–2110  mathnet
17. Д. З. Гарбузов, А. В. Тикунов, С. Н. Жигулин, З. Н. Соколова, В. Б. Халфин, “Влияние насыщения усиления на пороговые характеристики квантово-размерных InGaAsP/GaAs-гетеролазеров”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1035–1039  mathnet
18. Ж. И. Алфрове, Н. Ю. Антонишкис, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, В. И. Колышкин, Т. А. Налет, Н. А. Стругов, А. В. Тикунов, “Квантово-размерные InGaAsP/GaAs (${\lambda=0.86\div0.78}$ мкм) лазеры раздельного ограничения (${J_{\text{п}}=100\,\text{А/см}^{2}}$, КПД${}=59$%)”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1031–1034  mathnet
19. Д. З. Гарбузов, В. П. Чалый, А. Е. Свелокузов, В. Б. Халфин, А. Л. Тер-Мартиросян, “Оже-рекомбинация и разогрев носителей при высоком уровне фотовозбуждения квантово-размерных гетероструктур InGaAsP/InP (${\lambda=1.3}$ мкм) и InGaAsP/GaAs (${\lambda=0.85}$ мкм)”, Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988),  657–663  mathnet
20. М. И. Беловолов, Д. З. Гарбузов, Е. М. Дианов, С. В. Зайцев, А. П. Крюков, И. С. Тарасов, “Бистабильный режим генерации квантоворазмерных InGaAsP/InP-лазеров с внешним дисперсионным резонатором”, Письма в ЖТФ, 14:23 (1988),  2128–2132  mathnet  isi
21. М. И. Беловолов, Д. З. Гарбузов, Е. М. Дианов, С. В. Зайцев, А. П. Крюков, И. С. Тарасов, “Токовые перестроечные характеристики InGaAsP/InP-гетеролазеров с внешним дисперсионным резонатором”, Письма в ЖТФ, 14:23 (1988),  2116–2120  mathnet  isi
22. Н. Ю. Антонишкис, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, В. И. Колышкин, А. Б. Комиссаров, А. В. Кочергин, Т. А. Налет, Н. А. Стругов, “Мощный непрерывный InGaAsP/GaAs гетеролазер с диэлектрическим зеркалом ($I_{\text{nop}}=100\,\text{А/см}^{2}$, $P=1.1$ Вт, КПД = 66%, $T=10^{\circ}$С)”, Письма в ЖТФ, 14:8 (1988),  699–702  mathnet  isi
23. И. Н. Арсентьев, Н. А. Берт, А. В. Васильев, Д. З. Гарбузов, Е. В. Журавкевич, С. Г. Конников, А. О. Косогов, А. В. Кочергин, Н. Н. Фалеев, Л. И. Флакс, “Многослойные периодические структуры в системе Jn$-$Ga$-$As$-$Р, полученные методом жидкостной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 14:7 (1988),  593–597  mathnet  isi
24. Д. З. Гарбузов, С. В. Зайцев, В. И. Колышкин, Т. А. Налет, А. В. Овчинников, И. С. Тарасов, “Мезаполосковые InGaAsP/InP ($\lambda=1.3$ мкм) квантоворазмерные лазеры раздельного ограничения ($J_{nop}=380\,\text{А/см}^{2}$, $P=0.5$ Вт, $T=18^{\circ}$C)”, Письма в ЖТФ, 14:3 (1988),  241–246  mathnet  isi
25. Д. З. Гарбузов, С. В. Зайцев, В. И. Колышкин, М. М. Кулагина, И. А. Мокина, А. Б. Нивин, А. В. Овчинников, И. С. Тарасов, “Зарощенные непрерывные InGaAsP/InP ($\lambda=1.3$ мкм) лазеры раздельного ограничения ($J=360\,\text{А/см}^{2}$, $P=360$ мВт, $T= 18^{\circ}$С)”, Письма в ЖТФ, 14:2 (1988),  99–104  mathnet  isi
1987
26. Д. З. Гарбузов, С. В. Зайцев, Н. Д. Ильинская, В. И. Колышкин, А. В. Овчинников, И. С. Тарасов, М. К. Трукан, “Исследование срока службы непрерывных мезаполосковых InGaAsP/InP (${\lambda=1.3}$ мкм лазеров раздельного ограничения”, ЖТФ, 57:9 (1987),  1822–1824  mathnet  isi
27. Ж. И. Алфров, Н. Ю. Антонишкис, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, А. В. Тикунов, В. Б. Халфин, “Низкопороговые квантово-размерные InGaAsP/GaAs РО ДГ лазеры, изготовленные методом жидкостной эпитаксии (${\lambda=0.86}$ мкм, ${I_{\text{п}}=90\,\text{А/см}^{2}}$, ${L=\infty}$; ${I_{\text{п}}=165\,\text{А/см}^{2}}$, ${L=1150}$ мкм, ${T=300}$ K)”, Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1501–1503  mathnet
28. А. В. Чудинов, В. П. Чалый, А. Е. Свелокузов, А. В. Васильев, А. Л. Тер-Мартиросян, Д. З. Гарбузов, “Фотолюминесцентные исследования InGaAsP/InP-гетероструктур с толщиной активной области от 40 до 1000 Å”, Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987),  1217–1222  mathnet
29. Д. З. Гарбузов, А. В. Тикунов, В. Б. Халфин, “Влияние насыщения усиления и квантово-размерных эффектов на пороговые характеристики лазеров с супертонкими активными областями”, Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  1085–1094  mathnet
30. Ж. И. Алфёров, Д. З. Гарбузов, С. В. Зайцев, А. Б. Нивин, А. В. Овчинников, И. С. Тарасов, “Квантово-размерные InGaAsP/InP РО ДГ лазеры с ${\lambda=1.3}$ мкм (${J_{\text{п}}=410\,\text{А/см}^{2}}$, ${T=23^{\circ}}$С)”, Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  824–829  mathnet
31. Д. З. Гарбузов, В. П. Чалый, А. В. Чудинов, А. Е. Свелокузов, А. В. Овчинников, “Квантово-размерные эффекты в спектрах люминесценции жидкофазных InGaAsP/InP-гетероструктур с толщиной активной области 230$-$60 Å”, Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  437–441  mathnet
32. И. Н. Арсентьев, Н. Ю. Антонишкис, Д. З. Гарбузов, В. В. Красовский, А. Б. Комиссаров, В. Б. Халфин, “Квантово-размерные эффекты в жидкофазных InGaAsP/GaAs-гетероструктурах с толщиной активной области от 40 до 300 Å”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  178–181  mathnet
33. Ж. И. Алфров, Н. Ю. Антонишкис, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, В. В. Красовский, А. В. Тикунов, В. Б. Халфин, “Квантово-размерные InGaAsP/GaAs РО ДГ лазеры, изготовленные методом жидкостной эпитаксии (${\lambda=0.79}$ мкм, ${I_{\text{п}}=124\,\text{А/см}^{2}}$, ${T=300}$ K)”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  162–164  mathnet
34. Ж. И. Алфёров, Д. З. Гарбузов, Н. Ю. Давидюк, С. В. Зайцев, А. Б. Нивин, А. В. Овчинников, Н. А. Стругов, И. С. Тарасов, “Непрерывный $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ ($\lambda=1.3$ мкм) лазер раздельного ограничения с мощностью 270 мВт ($T=20^{\circ}$C, $I=900$ мА, внешнее диэлектрическое зеркало)”, Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  552–557  mathnet  isi
35. Д. З. Гарбузов, С. В. Зайцев, Н. Д. Ильинская, К. Ю. Кижаев, А. Б. Нивин, А. В. Овчинников, Н. А. Стругов, И. С. Тарасов, “Мощные $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ РО лазеры для ВОЛС ($\lambda=1,55$ мкм; $T=300$ K; $P=50$ мВт)”, Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  535–537  mathnet  isi
36. Ж. И. Алфёров, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, Н. А. Стругов, А. В. Тикунов, Е. И. Чудинова, “Видимые $In\,Ga\,As\,P/Ga\,As\,P$ РО ДГ лазеры, изготовленные методом жидкостной эпитаксии ($\lambda=0.65\div0.67$ мкм, $I_n=3\div0.8\,\text{кА}/\text{см}^{2}$; $P=5$ мВт, $\lambda=0.665$ мкм, $T=300$ K)”, Письма в ЖТФ, 13:6 (1987),  372–374  mathnet  isi
1986
37. И. Н. Арсентьев., Д. З. Гарбузов, С. Г. Конников, К. Ю. Погребицкий, А. Е. Свелокузов, Н. Н. Фалеев, А. В. Чудинов, “Рентгеновские фотоэмиссионные исследования жидкофазных InGaAsP-гетероструктур с протяженностью переходных слоев ${\leqslant20}$ Å”, Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2206–2211  mathnet
38. Ж. И. Алфров, Н. Ю. Антонишкис, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, В. В. Красовский, “Фотолюминесценция InGaAsP/GaAs квантово-размерных гетероструктур, полученных методом жидкостной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2145–2149  mathnet
39. В. Б. Халфин, Д. З. Гарбузов, В. В. Красовский, “Времена собственных излучательных переходов в квантово-размерных гетероструктурах”, Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1816–1822  mathnet
40. Н. Ю. Антонишкис, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, В. П. Евтихиев, В. В. Красовский, А. Е. Свелокузов, А. В. Чудинов, “Эффективность люминесценции и скорость граничной рекомбинации в гетероструктурах в системах Al$-$Ga$-$As и In$-$Ga$-$As$-$P”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  708–712  mathnet
41. Д. З. Гарбузов, С. В. Зайцев, А. Б. Нивин, А. В. Овчинников, И. С. Тарасов, А. Б. Комиссаров, М. К. Трукан, “Непрерывные мезаполосковые $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ РО ДГ лазеры с $\lambda=1.3$ мкм. Снижение порогов, повышение мощности”, Письма в ЖТФ, 12:11 (1986),  660–663  mathnet  isi
42. Ж. И. Алфёров, Б. Я. Бер, Д. З. Гарбузов, К. Ю. Кижаев, В. В. Красовский, С. А. Никишин, Д. В. Синявский, В. П. Улин, “Образование переходных слоев в гетероструктурах на основе твердых растворов $Ga\,As-Al\,As$ в процессе жидкостной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 12:6 (1986),  335–341  mathnet  isi
43. Ж. И. Алфёров, Д. З. Гарбузов, К. Ю. Кижаев, А. Б. Нивин, С. А. Никишин, А. В. Овчинников, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, А. В. Чудинов, “Низкопороговые $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ лазеры раздельного ограничения с $\lambda=1.3$ мкм и $\lambda=1.55$ мкм ($I_{\text{пор.}}=600-700\,\text{А/см}^{2}$)”, Письма в ЖТФ, 12:4 (1986),  210–215  mathnet  isi 2
1985
44. Д. З. Гарбузов, Н. Ю. Давидюк, В. И. Швейкин, И. С. Голдобин, Н. П. Черноусов, “Спонтанные торцевые InGaAsP/InP ДГС излучатели (${\gamma=1.3}$ мкм) для ВОЛС диаметром $50$ мкм”, ЖТФ, 55:4 (1985),  807–809  mathnet  isi
45. И. С. Тарасов, Д. З. Гарбузов, В. П. Евтихиев, А. В. Овчинников, З. Н. Соколова, А. В. Чудинов, “Особенности температурной зависимости порогов в РО InGaAsP/InP ДГ лазерах (${\lambda=1.3}$ мкм) с тонкой активной областью”, Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1496–1498  mathnet
46. В. П. Евтихиев, Д. З. Гарбузов, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, В. Б. Халфин, В. П. Чалый, А. В. Чудинов, “Особенности пороговых характеристик РО InGaAsP/InP ДГ лазеров (${\lambda=1.3}$ мкм) с супертонкими активными областями”, Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1420–1423  mathnet
47. Ж. И. Алфров, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, Д. З. Гарбузов, В. В. Красовский, А. В. Тикунов, В. П. Чалый, “0.677  мкм — непрерывный инжекционный РО InGaAsP/GaAsP ДГ лазер, полученный жидкостной эпитаксией”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1115–1118  mathnet
48. Ж. И. Алфров, Д. З. Гарбузов, И. Н. Арсентьев, Б. Я. Бер, Л. С. Вавилова, В. В. Красовский, А. В. Чудинов, “Оже-профили состава и люминесцентные исследования жидкофазных InGaAsP-гетероструктур с активными областями ${(1.5\div5)\cdot10^{-6}}$  см”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1108–1114  mathnet
49. Ж. И. Алфров, Д. З. Гарбузов, А. Б. Нивин, А. В. Овчинников, И. С. Тарасов, “Инжекционный непрерывный лазер с мощностью 60 мВт на сонове жидкофазной РО InGaAsP ДГС (${\lambda=1.35}$ мкм, ${T=300}$ K)”, Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  456–459  mathnet
50. Д. З. Гарбузов, В. П. Евтихиев, С. Ю. Карпов, З. Н. Соколова, В. Б. Халфин, “Расчет пороговых токов для InGaAsP/InP и InGaAsP/GaAs ДГС лазеров с раздельным ограничением”, Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  449–455  mathnet
51. Д. З. Гарбузов, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, А. В. Тикунов, Э. В. Тулашвили, “Непрерывный РО InGaAsP/GaAs ДГС ЖЭ лазер с мощностью 77 мВт (${T=300}$ K, ${\lambda=0.87}$ мкм)”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  136–138  mathnet
52. Ж. И. Алфёров, Д. З. Гарбузов, В. В. Красовский, С. А. Никишин, Д. В. Синявский, А. В. Тикунов, “$Al\,Ga\,As/Ga\,As$ гетеролазеры раздельного ограничения, полученные модифицированным методом жидкостной эпитаксии ($I_{\text{п}}=260$ А/см$^{2}$, $\lambda= 0.86-0.83$ мкм, $T= 300$ K)”, Письма в ЖТФ, 11:23 (1985),  1409–1413  mathnet  isi
53. Ж. И. Алфёров, Д. З. Гарбузов, Н. Ю. Давидюк, Н. Д. Ильинская, А. Б. Нивин, А. В. Овчинников, И. С. Тарасов, “Мощные мезаполосковые РО $In\,Ga\,As/In\,P$ лазеры для ВОЛС ($\lambda= 1.3$ мкм, $T=18^{\circ}$ С, $I =300$ мА, $P=28$ мВт в волокне $\varnothing$ $50$ мкм)”, Письма в ЖТФ, 11:22 (1985),  1345–1349  mathnet  isi
54. Ж. И. Алфёров, Д. З. Гарбузов, А. В. Овчинников, И. С. Тарасов, В. П. Евтихиев, А. Б. Нивин, А. Е. Свелокузов, “Непрерывный $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ РО ДГ лазер с КПД $17\%$ ($\lambda=1.32$ мкм, $T=290$ K)”, Письма в ЖТФ, 11:19 (1985),  1157–1162  mathnet  isi
55. Ж. И. Алфёров, Л. С. Вавилова, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, А. В. Тикунов, “Непрерывный коротковолновый ($\lambda=0.677$ мкм) инжекционный лазер на основе $In\,Ga\,As\,P/Ga\,As\,P$ РО ДГС с мощностью $10$ мВт”, Письма в ЖТФ, 11:19 (1985),  1153–1157  mathnet  isi
56. Ж. И. Алферов, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, Д. З. Гарбузов, А. В. Тикунов, Э. В. Тулашвили, “Полосковые лазеры на основе РО $In\,Ga\,As\,P/Ga\,As$ ДГС ($\lambda\simeq0.87$ мкм) с тонкой активной областью”, Письма в ЖТФ, 11:4 (1985),  205–209  mathnet  isi
1984
57. Ж. И. Алфёров, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, В. П. Евтихиев, О. В. Сулима, В. П. Чалый, А. В. Чудинов, “Инжекционные РО InGaAsP/InP ДГС лазеры с порогом $300\,\text{А/см}^{2}$ (четырехсколотые образцы, ${\lambda=1.25}$ мкм, ${T=300}$ K)”, Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2057–2060  mathnet
58. Д. З. Гарбузов, И. Н. Арсентьев, В. П. Чалый, А. В. Чудинов, В. П. Евтихиев, В. Б. Халфин, “Спонтанные и когерентные излучательные переходы в InGaAsP/InP ДГС с тонкой активной областью (${d_{\text{а}}=2\cdot10^{-5}\div2\cdot10^{-6}}$ см), полученные методом жидкостной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2041–2045  mathnet
59. Ж. И. Алфров, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, Д. З. Гарбузов, В. В. Красовский, “Низкопороговые инжекционные InGaAsP/GaAs ДГС лазеры с раздельным ограничением, полученные методом жидкостной эпитаксии (${\lambda=0.78\div0.87}$ мкм, ${I_{\text{пор}}=460\,\text{А/см}^{2}}$, ${T=300}$ K)”, Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1655–1659  mathnet
60. Д. З. Гарбузов, В. В. Агаев, З. Н. Соколова, В. Б. Халфин, В. П. Чалый, “Рекомбинационные процессы в InGaAsP/InP ДГС с ${\lambda= 1\div1.5}$ мкм”, Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984),  1069–1076  mathnet
61. Д. З. Гарбузов, “Рецензия на книгу Л.М.  Когана «Полупроводниковые светоизлучающие диоды»”, Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984),  964–965  mathnet
62. Ж. И. Алфёров, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, Д. З. Гарбузов, А. В. Тикунов, Р. С. Игнаткина, “Низкопороговые видимые GaInAsP/GaAsP ДГ лазеры (${T=300}$ K, ${\lambda=0.70{-}0.66}$ мкм, ${I_{\text{пор}}\simeq1.5{-}3.2\,\text{кА}/\text{см}^{2}}$)”, Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  757–758  mathnet
63. Ж. И. Алфёров, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, Д. З. Гарбузов, Э. В. Тулашвили, “Видимые низкопороговые импульсные и непрерывные InGaAsP/InGaP/GaAs ДГ лазеры на область 0.73$-$0.79 мкм (${T=300}$ K, ${I_{n}=3.5{-}1.3\,\text{мА}/\text{см}^{2}}$)”, Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  162–165  mathnet
64. Д. З. Гарбузов, А. В. Чудинов, В. В. Агаев, В. П. Чалый, В. П. Евтихиев, “Люминесцентные и пороговые характеристики InGaAsP/InP ДГС (${0.94<\lambda<1.51}$ мкм) при оптическом возбуждении”, Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  102–108  mathnet
65. Д. З. Гарбузов, В. Г. Агафонов, Н. Ю. Давидюк, М. К. Трукан, Н. Д. Ильинская, В. П. Чалый, Т. Н. Дрокина, “Спонтанные торцевые InGaAsP/InP-ДГС излучатели для ВОЛС с диаметром 200 мкм”, Письма в ЖТФ, 10:21 (1984),  1286–1290  mathnet  isi
66. Д. З. Гарбузов, В. П. Чалый, А. В. Чудинов, Н. Ю. Давидюк, В. В. Агаев, “Лазерные преобразователи коротковолнового излучения в инфракрасное на основе InGaAsP/InP ДГС (${\lambda=1.0{-}1.35}$ мкм, ${\eta_{D}=20}$%, ${T=300}$ K)”, Письма в ЖТФ, 10:16 (1984),  1010–1016  mathnet  isi
1983
67. Д. З. Гарбузов, К. А. Гацоев, А. Т. Гореленок, А. Г. Дзигасов, Н. Д. Ильинская, В. Б. Халфин, “Торцевые спонтанные излучатели на основе ДГС InGaAsP (${\lambda\approx1.3}$ мкм) с ${\eta_{e}\approx6}$% при 300 K”, ЖТФ, 53:7 (1983),  1408–1411  mathnet  isi
68. Д. З. Гарбузов, З. Н. Соколова, В. Б. Халфин, “Расчеты времен оже-процессов в твердых растворах $p$-InGaAsP”, ЖТФ, 53:2 (1983),  315–319  mathnet  isi
69. Д. З. Гарбузов, В. Г. Агафонов, В. В. Агаев, В. М. Лантратов, А. В. Чудинов, “Эффективный перенос возбуждения из эмиттера в активную область при фотолюминесценции InGaAsP/InP ДГС”, Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983),  2168–2172  mathnet
70. В. П. Евтихиев, Д. З. Гарбузов, В. В. Агаев, В. Б. Халфин, В. П. Чалый, “Форма краевой полосы в InGaAsP/InP ДГС (${\tau= 1.3}$ мкм) при низком и высоком уровне фотовозбуждения”, Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983),  1652–1655  mathnet
71. Д. З. Гарбузов, В. В. Агаев, В. Б. Халфин, В. П. Чалый, “Излучательные и оже-процессы в фотовозбужденной электронно-дырочной плазме ДГ-InGaAsP/InP-структур (${\lambda=1.3}$ мкм)”, Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983),  1557–1563  mathnet
72. В. П. Евтихиев, Д. З. Гарбузов, А. Т. Гореленок, “Сравнение краев поглощения в бинарных и многокомпонентных прямозонных соединениях A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ на основе системы InGaAsP”, Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983),  1402–1405  mathnet
73. И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, Д. З. Гарбузов, Э. В. Тулашвили, “Температурная зависимость порога генерации в ДГ-InGaAsP/GaAs-структурах (${\lambda_{\text{ген}}=729}$ нм, ${T\geqslant300}$ K, ${J_{\text{пор}}\geqslant5\cdot10^{3}\,\text{А/см}^{2}}$)”, Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983),  843–846  mathnet
74. А. В. Чудинов, В. П. Чалый, Д. З. Гарбузов, И. Н. Арсентьев, В. П. Евтихиев, “Фотолюминесцентные исследования перераспределения неравновесных носителей заряда в InGaAsP/InP с двумя активными областями”, Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  714–717  mathnet
75. Д. З. Гарбузов, В. П. Чалый, В. В. Агаев, М. К. Трукан, “Влияние эффекта насыщения интенсивности люминесценции на пороги генерации ДГ-InGaAsP/InP-лазеров (${\lambda=1.3}$ мкм) при ${T\geqslant300}$ K”, Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983),  538–540  mathnet
76. В. П. Чалый, Д. З. Гарбузов, А. В. Чудинов, В. В. Агаев, “Исследование эффекта насыщения интенсивности люминесценции в ДГ-InGaAsP/InP-структурах (${\lambda=1.3}$ мкм) при высоких уровнях возбуждения”, Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983),  464–468  mathnet
77. Д. З. Гарбузов, В. Б. Халфин, Э. В. Тулашвили, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, “Фотолюминесценция двойной гетероструктуры при возбуждении широкозонного эмиттера”, Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983),  242–246  mathnet
78. Д. З. Гарбузов, Н. Ю. Давидюк, Б. В. Пушный, Н. А. Тупицкая, “Торцевые суперкороткие AlGaAs-излучатели с ${\eta_{e}\approx10}$% (${T=300^{\circ}}$ K)”, Письма в ЖТФ, 9:15 (1983),  900–906  mathnet
1976
79. Ж. И. Алферов, В. М. Андреев, Д. З. Гарбузов, Н. Ю. Давидюк, В. Р. Ларионов, П. П. Пашинин, A. М. Прохоров, В. М. Тучкевич, “Модель лазера на основе YAG:Nd<sup>3+</sup> с полупроводниковым преобразователем в системе накачки”, Квантовая электроника, 3:6 (1976),  1349–1352  mathnet [Zh. I. Alferov, V. M. Andreev, D. Z. Garbuzov, N. Yu. Davidyuk, V. R. Larionov, P. P. Pashinin, A. M. Prokhorov, V. M. Tuchkevich, “Model of a YAG:Nd<sup>3+</sup> laser with a semiconductor converter in the pump system”, Sov J Quantum Electron, 6:6 (1976), 734–736] 2

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025