|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1987 |
| 1. |
Н. Г. Басов, А. Ф. Плотников, Ю. М. Попов, В. Н. Селезнев, “Новая оптоэлектронная реверсивная запоминающая среда (обзор)”, Квантовая электроника, 14:3 (1987), 437–451 [N. G. Basov, A. F. Plotnikov, Yu. M. Popov, V. N. Seleznev, “New optoelectronic erasable storage medium (review)”, Sov J Quantum Electron, 17:3 (1987), 273–281 ] |
| 2. |
М. В. Долгов, А. Ф. Плотников, Ю. М. Попов, В. Н. Селезнев, И. В. Ербен, В. Шарф, А. Вольф, “Новая реверсивная запоминающая оптоэлектронная среда”, Квантовая электроника, 14:1 (1987), 190–192 [M. V. Dolgov, A. F. Plotnikov, Yu. M. Popov, V. N. Seleznev, J. W. Erben, W. Scharff, A. Wolf, “New reusable optoelectronic storage medium”, Sov J Quantum Electron, 17:1 (1987), 110–112 ] |
|
1986 |
| 3. |
А. И. Агафонов, М. В. Долгов, В. Д. Лохныгин, А. Ф. Плотников, В. Н. Селезнев, А. А. Фомичев, А. А. Якшин, “Фотолюминесценция аморфного нитрида кремния”, Письма в ЖТФ, 12:1 (1986), 10–13 |
|
1985 |
| 4. |
А. И. Агафонов, А. Ф. Плотников, В. Н. Селезнев, “О температурной зависимости энергии активации проводимости
некристаллических полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985), 156–158 |
|
1983 |
| 5. |
А. И. Агафонов, А. Ф. Плотников, В. Н. Селезнев, “Переходные процессы в МНОП структурах и их связь с нестабильностью
электрических характеристик приборов”, ЖТФ, 53:6 (1983), 1089–1095 |
|
1981 |
| 6. |
А. Ф. Плотников, В. Н. Селезнев, Р. Г. Сагитов, “МДП-элемент памяти с оптическим управлением”, Квантовая электроника, 8:12 (1981), 2707–2710 [A. F. Plotnikov, V. N. Seleznev, R. G. Sagitov, “Optically controlled metal–insulator–semiconductor memory element”, Sov J Quantum Electron, 11:12 (1981), 1650–1651 ] |
| 7. |
А. Б. Кравченко, А. Ф. Плотников, Ю. М. Попов, В. Э. Шубин, “Регистрация света с помощью МДП-структуры, работающей в режиме лавинного умножения”, Квантовая электроника, 8:4 (1981), 785–792 [A. B. Kravchenko, A. F. Plotnikov, Yu. M. Popov, V. È. Shubin, “Detection of light with an MIS structure operating under avalanche multiplication conditions”, Sov J Quantum Electron, 11:4 (1981), 473–477 ] |
6
|
| 8. |
Н. Г. Басов, А. Б. Кравченко, А. Ф. Плотников, В. Э. Шубин, “Самостабилизированный лавинный процесс в структуре металл – диэлектрик – полупроводник (МДП). Лавинные МДП-фотоприемники”, УФН, 134:4 (1981), 748–750 ; N. G. Basov, A. B. Kravchenko, A. F. Plotnikov, V. È. Shubin, “Self-stabilized avalanche process in a metal-dielectric-semiconductor (MDS) structure. Avalanche MDS photodetectors”, Phys. Usp., 24:8 (1981), 728–729 |
1
|
| 9. |
Н. Г. Басов, А. Ф. Плотников, В. Н. Селезнев, “Электронные процессы в структурах маталл – нитрид кремния – двуокись кремния – полупроводник (МНОП)”, УФН, 134:4 (1981), 747–748 ; N. G. Basov, A. F. Plotnikov, V. N. Seleznev, “Electronic processes in metal-silicon nitride-silicon dioxide-semiconductor (MNOS) structures”, Phys. Usp., 24:8 (1981), 727–728 |
|
1980 |
| 10. |
В. И. Козловский, С. В. Кучаев, А. С. Насибов, А. Н. Печенов, А. Ф. Плотников, Ю. М. Попов, Р. М. Саввина, В. Н. Селезнев, “Оптоэлектронное оперативное запоминающее устройство на основе МНОП-структуры и лазерной ЭЛТ”, Квантовая электроника, 7:7 (1980), 1585–1588 [V. I. Kozlovsky, S. V. Kuchaev, A. S. Nasibov, A. N. Pechenov, A. F. Plotnikov, Yu. M. Popov, R. M. Savvina, V. N. Seleznev, “Optoelectronic internal memory utilizing a metal–nitride–oxide–semiconductor structure and a laser electron-beam tube”, Sov J Quantum Electron, 10:7 (1980), 917–919 ] |
1
|
|
1978 |
| 11. |
А. Б. Кравченко, А. Ф. Плотников, В. Э. Шубин, “Линейка лавинных МДП-фотоприемников”, Квантовая электроника, 5:11 (1978), 2482–2484 [A. B. Kravchenko, A. F. Plotnikov, V. È. Shubin, “A linear array of avalanche MIS photodetectors”, Sov J Quantum Electron, 8:11 (1978), 1399–1400] |
4
|
| 12. |
А. Б. Кравченко, А. Ф. Плотников, В. Э. Шубин, “О возможности создания импульсного лавинного фотоприемника с устойчивым внутренним усилением
на основе МДП-структуры”, Квантовая электроника, 5:9 (1978), 1918–1923 [A. B. Kravchenko, A. F. Plotnikov, V. È. Shubin, “Feasibility of construction of a pulsed avalanche photodetector based on an MIS structure with stable internal amplification”, Sov J Quantum Electron, 8:9 (1978), 1086–1089] |
8
|
|
1977 |
| 13. |
А. Ф. Плотников, В. Н. Селезнев, Д. Н. Токарчук, Г. П. Ферчев, “О возможности использования МДП-структур на основе гетероструктур GaP–GaAs для оптической обработки информации”, Квантовая электроника, 4:3 (1977), 678–681 [A. F. Plotnikov, V. N. Seleznev, D. N. Tokarchuk, G. P. Ferchev, “Possible use of metal-insulator-semiconductor structures with GaP–GaAs heterojunctions in optical data processing”, Sov J Quantum Electron, 7:3 (1977), 382–384] |
| 14. |
H. Н. Лошкарева, А. Ф. Плотников, А. Н. Родионов, А. А. Самохвалов, В. Н. Селезнев, “Исследование разрешающей способности пленок EuO при записи голографической информации”, Квантовая электроника, 4:3 (1977), 669–672 [N. N. Loshkareva, A. F. Plotnikov, A. N. Rodionov, A. A. Samokhvalov, V. N. Seleznev, “Investigation of the resolution of EuO as a hologram recording material”, Sov J Quantum Electron, 7:3 (1977), 375–376] |
|
1976 |
| 15. |
H. И. Буланьков, В. Д. Журавов, А. Ф. Плотников, В. Н. Селезнев, Д. Н. Токарчук, Г. П. Ферчев, “Оптически управляемый элемент памяти на основе МНОП-структуры с подложкой из арсенида галлия”, Квантовая электроника, 3:9 (1976), 2078–2080 [N. I. Bulan'kov, V. D. Zhuravov, A. F. Plotnikov, V. N. Seleznev, D. N. Tokarchuk, G. P. Ferchev, “Optically controlled memory element based on a metalnitride- oxide-semiconductor structure with a gallium arsenide substrate”, Sov J Quantum Electron, 6:9 (1976), 1137–1139] |
| 16. |
А. Ф. Плотников, А. Н. Родионов, А. А. Самохвалов, В. Н. Селезнев, “Голографическая запись информации на пленках EuO”, Квантовая электроника, 3:9 (1976), 2076–2078 [A. F. Plotnikov, A. N. Rodionov, A. A. Samokhvalov, V. N. Seleznev, “Holographic storage of information in EuO films”, Sov J Quantum Electron, 6:9 (1976), 1136–1137] |
|
1975 |
| 17. |
H. И. Гольбрайх, А. Ф. Плотников, В. Э. Шубин, “Импульсный лавинный фотоприемник на МДП-структуре”, Квантовая электроника, 2:12 (1975), 2624–2626 [N. I. Gol'braikh, A. F. Plotnikov, V. È. Shubin, “Pulse avalanche photodetector based on a metal-insulator-semiconductor structure”, Sov J Quantum Electron, 5:12 (1975), 1435–1436] |
9
|
| 18. |
А. В. Вельских, Б. И. Васильев, А. Ф. Плотников, В. Э. Шубин, “Считывание оптической информации с МДП-структуры электронным пучком”, Квантовая электроника, 2:12 (1975), 2617–2620 [A. V. Bel'skikh, B. I. Vasil'ev, A. F. Plotnikov, V. È. Shubin, “Reading of optical information from a metal-insulator-semiconductor structure by an electron beam”, Sov J Quantum Electron, 5:12 (1975), 1430–1431] |
| 19. |
И. В. Коробов, А. Ф. Плотников, Ю. М. Попов, В. Н. Селезнев, “Реверсивная запись оптической информации на структурах металл – диэлектрик – полупроводник”, Квантовая электроника, 2:9 (1975), 2013–2018 [I. V. Korobov, A. F. Plotnikov, Yu. M. Popov, V. N. Seleznev, “Reversible recording of optical information in metal-dielectric-semiconductor structures”, Sov J Quantum Electron, 5:9 (1975), 1092–1095] |
1
|
| 20. |
А. Ф. Плотников, В. Н. Селезнев, Д. Н. Токарчук, Г. П. Ферчев, “Фотоэлектрическое считывание информации, записанной на МНОП-структуре”, Квантовая электроника, 2:3 (1975), 508–512 [A. F. Plotnikov, V. N. Seleznev, D. N. Tokarchuk, G. P. Ferchev, “Photoelectric reading of information recorded in a MNOS structure”, Sov J Quantum Electron, 5:3 (1975), 288–290] |
|
1974 |
| 21. |
А. Б. Кравченко, А. Ф. Плотников, В. Н. Селезнев, Д. Н. Токарчук, В. Э. Шубин, “Исследование разрешающей способности структур металл – нитрид – окисел – полупроводник при записи и считывании оптической информации”, Квантовая электроника, 1:10 (1974), 2291–2293 [A. B. Kravchenko, A. F. Plotnikov, V. N. Seleznev, D. N. Tokarchuk, V. È. Shubin, “Investigation of the resolution of metal-nitride-oxide-semiconductor structures in recording and reading of optical information”, Sov J Quantum Electron, 4:10 (1975), 1279–1280] |
| 22. |
А. Ф. Плотников, В. Н. Селезнев, В. Э. Шубин, Г. П. Ферчев, “Перераспределение напряжения в структуре металл – нитрид кремния – окись кремния – кремний под действием света лазера”, Квантовая электроника, 1:8 (1974), 1885–1888 [A. F. Plotnikov, V. N. Seleznev, V. È. Shubin, G. P. Ferchev, “Redistribution of the voltage in a metal-silicon nitride-silicon dioxide-silicon structure under the influence of laser radiation”, Sov J Quantum Electron, 4:8 (1975), 1054–1055] |
1
|
|
|
|
1986 |
| 23. |
А. П. Александров, Ж. И. Алфёров, Н. Г. Басов, В. С. Вавилов, Л. Н. Курбатов, Г. В. Курдюмов, Ю. А. Осипьян, А. Ф. Плотников, A. М. Прохоров, В. М. Тучкевич, И. М. Халатников, А. П. Шотов, “Памяти Бенциона Моисеевича Вула”, УФН, 149:2 (1986), 349–350 ; A. P. Aleksandrov, Zh. I. Alferov, N. G. Basov, V. S. Vavilov, L. N. Kurbatov, G. V. Kurdyumov, Yu. A. Osip'yan, A. F. Plotnikov, A. M. Prokhorov, V. M. Tuchkevich, I. M. Khalatnikov, A. P. Shotov, “Bentsion Moiseevich Vul (Obituary)”, Phys. Usp., 29:6 (1986), 587–588 |
|
1983 |
| 24. |
Н. Г. Басов, С. В. Богданов, В. С. Вавилов, С. И. Никольский, А. Ф. Плотников, А. В. Ржанов, А. П. Шотов, “Бенцион Моисеевич Вул (К восьмидесятилетию со дня рождения)”, УФН, 140:1 (1983), 161–162 ; N. G. Basov, S. V. Bogdanov, V. S. Vavilov, S. I. Nikol'skii, A. F. Plotnikov, A. V. Rzhanov, A. P. Shotov, “Bentsion Moiseevich Vul (on his eightieth birthday)”, Phys. Usp., 26:5 (1983), 462–463 |
|
1982 |
| 25. |
Б. М. Вул, Л. В. Келдыш, В. А. Котельников, А. А. Логунов, М. А. Марков, С. И. Никольский, А. Ф. Плотников, A. М. Прохоров, Д. В. Скобельцын, “Николай Геннадиевич Басов (К шестидесятилетию со дня рождения)”, УФН, 138:4 (1982), 683–684 ; B. M. Vul, L. V. Keldysh, V. A. Kotel'nikov, A. A. Logunov, M. A. Markov, S. I. Nikol'skii, A. F. Plotnikov, A. M. Prokhorov, D. V. Skobel'tsyn, “Nikolai Gennadievich Basov (on his 60th birthday)”, Phys. Usp., 25:12 (1982), 940–941 |
1
|
|