|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1986 |
| 1. |
Д. И. Биленко, О. Я. Белобровая, А. С. Игнатьев, В. Г. Мокеров, C. Е. Пылаев, И. В. Рябинин, В. Д. Ципоруха, “Определение толщины и состава эпитаксиальных слоев в ходе образования
структур
GaAs$-$Ga$_{1-x}$Al$_{x}$As”, ЖТФ, 56:6 (1986), 1198–1201 |
|
1981 |
| 2. |
Л. П. Агейкина, В. Н. Гаврилов, В. В. Капаев, В. Г. Мокеров, И. В. Рябинин, А. А. Частов, “Регистрация параметров импульсного излучения с использованием фазового перехода полупроводник – металл в двуокиси ванадия”, Квантовая электроника, 8:6 (1981), 1363–1366 [L. P. Ageǐkina, V. N. Gavrilov, V. V. Kapaev, V. G. Mokerov, I. V. Ryabinin, A. A. Chastov, “Determination of the parameters of pulsed radiation using semiconductor–metal phase transitions in vanadium dioxide”, Sov J Quantum Electron, 11:6 (1981), 822–824 ] |
|