|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1995 |
| 1. |
В. Б. Сигачев, М. Е. Дорошенко, Т. Т. Басиев, Г. Б. Лутц, Б. Х. Чай, “Сенсибилизация люминесценции ионов Er<sup>3+</sup> и Ho<sup>3+</sup> ионами Cr<sup>4+</sup> в кристалле Y<sub>2</sub>SiO<sub>5</sub>”, Квантовая электроника, 22:1 (1995), 33–36  [V. B. Sigachev, M. E. Doroshenko, T. T. Basiev, G. B. Lutts, B. H. Chai, “Sensitisation of the luminescence of Er<sup>3+</sup> and Ho<sup>3+</sup> ions by Cr<sup>4+</sup> ions in a Y<sub>2</sub>SiO<sub>5</sub> crystal”, Quantum Electron., 25:1 (1995), 27–30  ] |
4
|
|
1993 |
| 2. |
М. Е. Дорошенко, В. В. Осико, В. Б. Сигачев, М. И. Тимошечкин, “Эффективная генерация лазерного излучения в области 1,4 мкм в кристалле Gd<sub>3</sub>Ga<sub>5</sub>O<sub>12</sub>:Cr,Ce,Nd”, Квантовая электроника, 20:6 (1993), 569–573 [M. E. Doroshenko, V. V. Osiko, V. B. Sigachev, M. I. Timoshechkin, “Efficient lasing near 1.4 μm in a (Cr, Ce, Nd):Gd<sub>3</sub>Ga<sub>5</sub>O<sub>12</sub> crystal”, Quantum Electron., 23:6 (1993), 490–493 ] |
8
|
|
1992 |
| 3. |
М. Е. Дорошенко, М. А. Иванов, В. Б. Сигачев, М. И. Тимошечкин, “Влияние ионов Се<sup>3+</sup> на спектроскопические и генерационные свойства кристаллов Y<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>:Ce<sup>3+</sup>, Ег<sup>3+</sup> и Gd<sub>3</sub>Ga<sub>5</sub>O<sub>12</sub>:Ce<sup>3+</sup>, Ег<sup>3+</sup>”, Квантовая электроника, 19:7 (1992), 638–640 [M. E. Doroshenko, M. A. Ivanov, V. B. Sigachev, M. I. Timoshechkin, “Influence of Ce<sup>3+</sup> ions on the spectroscopic and lasing properties of Y<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>:Ce<sup>3+</sup>:Er<sup>3+</sup> and Gd<sub>3</sub>Ga<sub>5</sub>O<sub>12</sub>:Ce<sup>3+</sup>:Er<sup>3+</sup> crystals”, Sov J Quantum Electron, 22:7 (1992), 588–590 ] |
4
|
|
1991 |
| 4. |
М. Е. Дорошенко, В. В. Осико, В. Б. Сигачев, М. И. Тимошечкин, “Эффективный лазер на кристалле гадолиний-галлиевого граната с неодимом”, Квантовая электроника, 18:7 (1991), 799–802 [M. E. Doroshenko, V. V. Osiko, V. B. Sigachev, M. I. Timoshechkin, “Efficient neodymium-doped gadolinium gallium garnet crystal laser”, Sov J Quantum Electron, 21:7 (1991), 724–727 ] |
4
|
| 5. |
М. Е. Дорошенко, В. В. Осико, В. Б. Сигачев, М. И. Тимошечкин, “Генерационные свойства кристалла гадолиний-галлиевого граната с неодимом на переходе <sup>4</sup>F<sub>3/2</sub>–<sup>4</sup>I<sub>13/2</sub> (λ = 1,33 мкм)”, Квантовая электроника, 18:3 (1991), 298–300 [M. E. Doroshenko, V. V. Osiko, V. B. Sigachev, M. I. Timoshechkin, “Stimulated emission from a neodymium-doped gadolinium gallium garnet crystal due to the <sup>4</sup>F<sub>3/2</sub>–<sup>4</sup>I<sub>13/2</sub> (λ = 1.33 μm) transition”, Sov J Quantum Electron, 21:3 (1991), 266–268 ] |
2
|
| 6. |
В. В. Осико, В. Б. Сигачев, В. И. Стрелов, М. И. Тимошечкин, “Лазер на кристалле эрбий-гадолиний-галлиевого граната”, Квантовая электроника, 18:2 (1991), 179–181 [V. V. Osiko, V. B. Sigachev, V. I. Strelov, M. I. Timoshechkin, “Erbium gadolinium gallium garnet crystal laser”, Sov J Quantum Electron, 21:2 (1991), 159–160 ] |
2
|
|
1990 |
| 7. |
В. В. Рандошкин, В. Б. Сигачев, “Динамика доменных стенок в тулийсодержащих пленках феррит-гранатов вблизи точки компенсации момента импульса”, Физика твердого тела, 32:1 (1990), 246–253 |
|
1989 |
| 8. |
В. В. Рандошкин, В. Б. Сигачев, В. И. Чани, А. Я. Червоненкис, “Динамика доменных стенок в пленках феррит-граната (Y, Lu)$_{1}$Bi$_{2}$(Fe, Ga)$_{5}$O$_{12}$ с орторомбической анизотропией”, Физика твердого тела, 31:7 (1989), 70–76 |
|
1988 |
| 9. |
В. В. Рандошкин, В. Б. Сигачев, “Влияние температуры на динамику доменных стенок в пленках
феррит-граната (Bi, Eu)$_{3}$(Fe, Ga, Al)$_{5}$O$_{12}$ вблизи точки
компенсации момента импульса”, ЖТФ, 58:12 (1988), 2350–2354 |
| 10. |
Ю. В. Старостин, А. Ю. Трошин, А. А. Хома, В. Б. Сигачев, В. В. Рандошкин, “Влияние параметров орторомбической магнитной анизотропии
на скорость насыщения доменных границ”, ЖТФ, 58:7 (1988), 1399–1401 |
| 11. |
Л. Ф. Алейников, В. В. Рандошкин, Е. Г. Рудашевский, В. Б. Сигачев, В. И. Чани, “Исследование монокристаллических пленок феррит-гранатов
для магнитооптического модулятора”, ЖТФ, 58:6 (1988), 1209–1211 |
|
1987 |
| 12. |
В. В. Рандошкин, В. Б. Сигачев, “Динамика доменных стенок в пленках (Bi, Er)$_{3}$, (Fe, Ga)$_{5}$O$_{12}$ вблизи точки компенсации момента импульса”, Физика твердого тела, 29:9 (1987), 2658–2665 |
| 13. |
М. В. Логунов, В. В. Рандошкин, В. Б. Сигачев, “Динамические доменные структуры при импульсном перемагничивании монокристаллических пленок феррит-гранатов”, Физика твердого тела, 29:8 (1987), 2247–2254 |
|
1986 |
| 14. |
В. В. Рандошкин, В. Б. Сигачев, “О механизме зарождения микродоменов вблизи движущейся доменной стенки”, Физика твердого тела, 28:5 (1986), 1522–1525 |
|
1985 |
| 15. |
В. В. Рандошкин, В. Б. Сигачев, А. Я. Червоненкис, А. П. Губарев, “Динамика переключения магнитооптических управляемых транспарантов”, ЖТФ, 55:7 (1985), 1393–1399 |
| 16. |
В. В. Рандошкин, В. Б. Сигачев, В. И. Чани, А. Я. Червоненкис, В. Е. Бахтеузов, Т. А. Ким, “Динамика доменных стенок в пленках
(Lu, Bi)$_{3}$(FeGa)$_{5}$O$_{12}$”, ЖТФ, 55:6 (1985), 1227–1230 |
|
1984 |
| 17. |
В. В. Осико, В. В. Рандошкин, В. Б. Сигачев, М. И. Тимошечкин, “Управляемое сползание доменных стенок в пленках феррит-гранатов”, ЖТФ, 54:12 (1984), 2423–2425 |
| 18. |
В. И. Зоря, И. Ю. Зуева, В. В. Рандошкин, В. Б. Сигачев, М. И. Тимошечкин, “Скорость движения доменных стенок в пленках
(Eu, Lu, Bi)$_{3}$(Fe, Ga, Al)$_{5}$O$_{12}$”, ЖТФ, 54:7 (1984), 1381–1383 |
| 19. |
Н. В. Заболотная, В. В. Осико, В. В. Рандошкин, В. Б. Сигачев, М. И. Тимошечкин, “Пленки (Bi,Tm)$_{3}$(Fe,Ga)$_{5}$O$_{12}$ с высокой скоростью
движения доменных стенок”, Письма в ЖТФ, 10:13 (1984), 788–792 |
|
