Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Давыдов Валерий Юрьевич

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 68
Научных статей: 68

Статистика просмотров:
Эта страница:645
Страницы публикаций:16922
Полные тексты:9091

https://www.mathnet.ru/rus/person166612
Список публикаций на Google Scholar

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2025
1. В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, И. А. Елисеев, М. К. Сахно, А. В. Мясоедов, Д. А. Пшенай-Северин, А. А. Шабалдин, А. Т. Бурков, “Влияние термической обработки на оптические и электрофизические свойства $\alpha$-GeTe”, Физика твердого тела, 67:12 (2025),  2448–2452  mathnet
2. И. А. Елисеев, V. A. Kurtash, J. Pezoldt, В. Ю. Давыдов, “Управление плотностью носителей заряда в фототранзисторных структурах на основе CVD-MoS$_2$ атомарной толщины”, Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  230–234  mathnet
2024
3. В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, И. А. Елисеев, А. А. Лебедев, М. Е. Левинштейн, В. В. Козловский, “Низкотемпературное люминесцентное исследование образования радиационных дефектов в $4H$-$\mathrm{SiC}$ диодах Шоттки”, Физика твердого тела, 66:12 (2024),  2193–2196  mathnet  elib
4. И. А. Елисеев, Г. В. Осоченко, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, М. В. Рахлин, Л. В. Котова, К. А. Гасникова, П. А. Алексеев, Ю. Э. Китаев, “Особенности спектров комбинационного рассеяния света слоистых кристаллов 2$H$-$\alpha$-In$_2$Se$_3$ различной толщины”, Физика твердого тела, 66:12 (2024),  2189–2192  mathnet  elib
5. В. Ю. Давыдов, Ю. Э. Китаев, Н. С. Аверкиев, А. Н. Смирнов, И. А. Елисеев, Д. К. Нельсон, Д. Ю. Панов, В. А. Спиридонов, Д. А. Бауман, А. Е. Романов, “Исследование угловой и температурной зависимости примесной Cr$^{3+}$ люминесценции $\beta$-Ga$_2$O$_3$”, Физика твердого тела, 66:12 (2024),  2185–2188  mathnet  elib
6. Ф. Ф. Мурзаханов, Г. В. Мамин, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, В. А. Солтамов, И. Н. Грачева, “Центры окраски с воспроизводимыми спектральными характеристиками в гексагональном нитриде бора (hBN), облученном протонами”, Физика твердого тела, 66:10 (2024),  1820–1823  mathnet  elib
7. Г. В. Вознюк, И. Н. Григоренко, А. С. Лила, М. И. Митрофанов, А. В. Бабичев, А. Н. Смирнов, Д. Н. Николаев, С. О. Слипченко, В. Ю. Давыдов, А. Ф. Цацульников, В. П. Евтихиев, “Исследование с помощью микро-рамановской спектроскопии радиационных дефектов, сформированных сфокусированным ионным пучком Ga$^+$ в структуре GaAs/Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As”, Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024),  552–555  mathnet  elib
2023
8. М. Г. Мынбаева, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, А. А. Лаврентьев, “Сравнительные исследования свойств толстых слоев GaN с различным типом кристаллической структуры, выращенных на керамической подложке”, Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2125–2127  mathnet  elib
9. Е. В. Балашова, А. А. Левин, С. И. Павлов, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, А. В. Фокин, А. Н. Старухин, Д. А. Курдюков, Д. А. Еуров, Б. Б. Кричевцов, “Синтез и исследование наноструктур на основе асбестов, кремнеземов и боратных стекол с включением 2-метилбензимидазола в систему нанотрубок или нанопор”, Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2083–2087  mathnet  elib
10. В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, И. А. Елисеев, Ю. Э. Китаев, Ш. Ш. Шарофидинов, А. А. Лебедев, Д. Ю. Панов, В. А. Спиридонов, Д. А. Бауман, А. Е. Романов, В. В. Козловский, “Исследование Cr$^{3+}$ примесной люминесценции в протонно-облученном $\beta$-Ga$_2$O$_3$”, Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023),  573–576  mathnet  elib
11. М. Н. Батаев, М. С. Кузнецова, Д. В. Панькин, М. Б. Смирнов, С. Ю. Вербин, И. В. Игнатьев, И. А. Елисеев, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, Е. В. Колобкова, “Электрон-фононное взаимодействие в нанокристаллах перовскитов во фторфосфатном стекле”, Физика и техника полупроводников, 57:5 (2023),  313–320  mathnet  elib
2022
12. Ф. Ф. Мурзаханов, И. Э. Мумджи, Г. В. Мамин, Р. В. Юсупов, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, М. В. Музафарова, С. С. Нагалюк, В. А. Солтамов, “Создание оптически адресуемых спиновых центров в гексагональном нитриде бора путем облучения протонами”, Физика твердого тела, 64:8 (2022),  1033–1037  mathnet  elib
13. М. С. Кузнецова, М. Н. Батаев, М. А. Чукеев, Н. Д. Ростовцев, С. Ю. Вербин, И. В. Игнатьев, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, И. А. Елисеев, Е. В. Колобкова, “Антистоксова люминесценция перовскитных нанокристаллов CsPbBr$_3$ во фторфосфатной стеклянной матрице”, Оптика и спектроскопия, 130:11 (2022),  1739–1744  mathnet  elib 1
14. М. Г. Мынбаева, Д. Г. Амельчук, А. Н. Смирнов, И. П. Никитина, С. П. Лебедев, В. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, “Создание темплейтов для гомоэпитаксиального роста 3C-SiC методом прямого сращивания пластин карбида кремния различающихся политипов”, Физика и техника полупроводников, 56:11 (2022),  1094–1098  mathnet  elib
15. М. Э. Лабзовская, Б. В. Новиков, А. Ю. Серов, С. В. Микушев, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, В. Г. Талалаев, “Оптические свойства нановискеров Cu$_2$O”, Физика и техника полупроводников, 56:11 (2022),  1075–1081  mathnet  elib
16. Е. Н. Мохов, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, С. С. Нагалюк, “Рост гексагонального нитрида бора (hBN) на подложках карбида кремния методом сублимации”, Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022),  1011–1015  mathnet  elib
17. М. В. Лебедев, Т. В. Львова, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, А. В. Королева, Е. В. Жижин, С. В. Лебедев, “Взаимосвязь электронной и атомной структуры пассивированных поверхностей $n$-InP(100)”, Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  659–666  mathnet  elib
18. А. А. Лебедев, В. Ю. Давыдов, И. А. Елисеев, С. П. Лебедев, И. П. Никитина, Г. А. Оганесян, А. Н. Смирнов, Л. В. Шахов, “Исследование сильно легированных эпитаксиальных пленок $n$-$3\mathrm{C}$-$\mathrm{SiC}$, выращенных методом сублимации на основе полуизолирующих подложек $6H$-$\mathrm{SiC}$”, Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022),  225–228  mathnet  elib
2021
19. С. А. Грудинкин, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, В. Г. Голубев, “Зависимость характеристик узких линий люминесценции в наноалмазах от параметров возбуждения и температуры”, Физика твердого тела, 63:8 (2021),  1126–1131  mathnet  elib; S. A. Grudinkin, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, V. G. Golubev, “Dependence of the characteristics of spectrally narrow luminescence lines in nanodiamonds on the excitation and temperature parameters”, Phys. Solid State, 63:8 (2021), 1170–1175
20. М. В. Лебедев, Т. В. Львова, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, “Модификация электронных свойств поверхности $n$-InP(100) сульфидными растворами”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  895–900  mathnet  elib; M. V. Lebedev, T. V. L'vova, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, “Modification of the electronic properties of the $n$-InP(100) surface with sulfide solutions”, Semiconductors, 55:11 (2021), 844–849 1
21. М. В. Байдакова, Н. А. Берт, В. Ю. Давыдов, А. В. Ершов, А. А. Левин, А. Н. Смирнов, Л. А. Cокура, О. М. Сресели, И. Н. Яссиевич, “Модификация структурно-морфологических свойств германия в многослойной нанопериодической структуре Al$_{2}$O$_{3}$/Ge с промежуточными слоями Si при отжиге”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  882–889  mathnet  elib
2020
22. Г. С. Гребенюк, И. А. Елисеев, С. П. Лебедев, Е. Ю. Лобанова, Д. А. Смирнов, В. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, И. И. Пронин, “Формирование силицидов железа под графеном, выращенным на поверхности карбида кремния”, Физика твердого тела, 62:10 (2020),  1726–1730  mathnet  elib; G. S. Grebenyuk, I. A. Eliseyev, S. P. Lebedev, E. Yu. Lobanova, D. A. Smirnov, V. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, I. I. Pronin, “Formation of iron silicides under graphene grown on the silicon carbide surface”, Phys. Solid State, 62:10 (2020), 1944–1948 3
23. Г. С. Гребенюк, И. А. Елисеев, С. П. Лебедев, Е. Ю. Лобанова, Д. А. Смирнов, В. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, И. И. Пронин, “Интеркаляционный синтез силицидов кобальта под графеном, выращенным на карбиде кремния”, Физика твердого тела, 62:3 (2020),  462–471  mathnet  elib; G. S. Grebenyuk, I. A. Eliseyev, S. P. Lebedev, E. Yu. Lobanova, D. A. Smirnov, V. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, I. I. Pronin, “Intercalation synthesis of cobalt silicides under graphene grown on silicon carbide”, Phys. Solid State, 62:3 (2020), 519–528 5
24. I. A. Eliseyev, V. Yu. Davydov, E. M. Roginskii, Yu. E. Kitaev, A. N. Smirnov, M. A. Yagovkina, D. V. Nechaev, V. N. Zhmerik, M. V. Smirnov, “Structural and dynamical properties of short-period GaN/AlN superlattices: Experiment and theory”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1397  mathnet; Semiconductors, 54:12 (2020), 1706–1709
25. I. A. Eliseyev, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, S. V. Belov, A. V. Zubov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, “Raman studies of graphene films grown on 4$H$-SiC subjected to deposition of Ni”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1388  mathnet; Semiconductors, 54:12 (2020), 1674–1677
26. А. В. Бабичев, С. А. Кадинская, К. Ю. Шубина, А. А. Васильев, А. А. Блохин, Э. И. Моисеев, С. А. Блохин, И. С. Мухин, И. А. Елисеев, В. Ю. Давыдов, П. Н. Брунков, Н. В. Крыжановская, А. Ю. Егоров, “Исследование фотоотклика графена, полученного методом химического осаждения из газовой фазы”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  833–840  mathnet  elib; A. V. Babichev, S. A. Kadinskaya, K. Yu. Shubina, A. A. Vasil'ev, A. A. Blokhin, È. I. Moiseev, S. A. Blokhin, I. S. Mukhin, I. A. Eliseyev, V. Yu. Davydov, P. N. Brunkov, N. V. Kryzhanovskaya, A. Yu. Egorov, “A study of the photoresponse in graphene produced by chemical vapor deposition”, Semiconductors, 54:9 (2020), 991–998
2019
27. Г. С. Гребенюк, Е. Ю. Лобанова, Д. А. Смирнов, И. А. Елисеев, А. В. Зубов, А. Н. Смирнов, С. П. Лебедев, В. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, И. И. Пронин, “Интеркалирование графена на карбиде кремния кобальтом”, Физика твердого тела, 61:7 (2019),  1374–1384  mathnet  elib; G. S. Grebenyuk, E. Yu. Lobanova, D. A. Smirnov, I. A. Eliseyev, A. V. Zubov, A. N. Smirnov, S. P. Lebedev, V. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, I. I. Pronin, “Cobalt intercalation of graphene on silicon carbide”, Phys. Solid State, 61:7 (2019), 1316–1326 11
28. V. Yu. Davydov, V. N. Jmerik, E. M. Roginskii, Yu. E. Kitaev, Y. M. Beltukov, M. B. Smirnov, D. V. Nechaev, A. N. Smirnov, I. A. Eliseyev, P. N. Brunkov, S. V. Ivanov, “Boson peak related to Ga-nanoclusters in AlGaN layers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy at Ga-rich conditions”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1519  mathnet  elib; Semiconductors, 53:11 (2019), 1479–1488 2
29. Б. А. Андреев, Д. Н. Лобанов, Л. В. Красильникова, П. А. Бушуйкин, А. Н. Яблонский, А. В. Новиков, В. Ю. Давыдов, П. А. Юнин, М. И. Калинников, Е. В. Скороходов, З. Ф. Красильник, “Излучательные свойства сильно легированных эпитаксиальных слоев нитрида индия”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1395–1400  mathnet  elib; B. A. Andreev, D. N. Lobanov, L. V. Krasil’nikova, P. A. Bushuikin, A. N. Yablonskii, A. V. Novikov, V. Yu. Davydov, P. A. Yunin, M. I. Kalinnikov, E. V. Skorokhodov, Z. F. Krasil'nik, “Emission properties of heavily doped epitaxial indium-nitride layers”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1357–1362 3
30. С. В. Сорокин, П. С. Авдиенко, И. В. Седова, Д. А. Кириленко, М. А. Яговкина, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, С. В. Иванов, “Молекулярно-пучковая эпитаксия двухмерных слоев GaSe на подложках GaAs(001) и GaAs(112): структурные и оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1152–1158  mathnet  elib; S. V. Sorokin, P. S. Avdienko, I. V. Sedova, D. A. Kirilenko, M. A. Yagovkina, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, S. V. Ivanov, “Molecular-beam epitaxy of two-dimensional gase layers on GaAs(001) and GaAs(112) substrates: structural and optical properties”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1131–1137 11
31. Д. А. Курдюков, Н. А. Феоктистов, Д. А. Кириленко, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, В. Г. Голубев, “Темплатный синтез монодисперсных сферических нанопористых частиц кремния субмикронного размера”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1068–1073  mathnet  elib; D. A. Kurdyukov, N. A. Feoktistov, D. A. Kirilenko, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, V. G. Golubev, “Template synthesis of monodisperse submicrometer spherical nanoporous silicon particles”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1048–1053 4
2018
32. М. В. Гомоюнова, Г. С. Гребенюк, В. Ю. Давыдов, И. А. Ермаков, И. А. Елисеев, А. А. Лебедев, С. П. Лебедев, Е. Ю. Лобанова, А. Н. Смирнов, Д. А. Смирнов, И. И. Пронин, “Интеркалирование графена, сформированного на карбиде кремния, атомами железа”, Физика твердого тела, 60:7 (2018),  1423–1430  mathnet  elib; M. V. Gomoyunova, G. S. Grebenyuk, V. Yu. Davydov, I. A. Ermakov, I. A. Eliseyev, A. A. Lebedev, S. P. Lebedev, E. Yu. Lobanova, A. N. Smirnov, D. A. Smirnov, I. I. Pronin, “Intercalation of iron atoms under graphene formed on silicon carbide”, Phys. Solid State, 60:7 (2018), 1439–1446 13
33. S. P. Lebedev, V. Yu. Davydov, D. Yu. Usachov, A. N. Smirnov, V. S. Levitskii, I. A. Eliseyev, E. V. Gushchina, M. S. Dunaevskii, O. Yu. Vilkov, A. G. Rybkin, A. A. Lebedev, S. N. Novikov, Yu. N. Makarov, “Graphene on silicon carbide as a basis for gas- and biosensor applications”, Наносистемы: физика, химия, математика, 9:1 (2018),  95–97  mathnet  isi  elib 2
34. Т. В. Малин, Д. С. Милахин, В. Г. Мансуров, Ю. Г. Галицын, А. С. Кожухов, В. В. Ратников, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, К. С. Журавлев, “Влияние степени нитридизации сапфира и обогащения алюминием зародышевого слоя на структурные свойства слоев AlN”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  643–650  mathnet  elib; T. V. Malin, D. S. Milakhin, V. G. Mansurov, Yu. G. Galitsyn, A. S. Kozhukhov, V. V. Ratnikov, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, K. S. Zhuravlev, “Effect of the sapphire-nitridation level and nucleation-layer enrichment with aluminum on the structural properties of AlN layers”, Semiconductors, 52:6 (2018), 789–796 11
35. V. N. Zhmerik, T. V. Shubina, D. V. Nechaev, A. N. Semenov, D. A. Kirilenko, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, I. A. Eliseev, G. Posina, S. V. Ivanov, “Site-controlled growth of GaN nanorods with inserted InGaN quantum wells on $\mu$-cone patterned sapphire substrates by plasma-assisted MBE”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  526  mathnet  elib; Semiconductors, 52:5 (2018), 667–670 2
36. П. А. Алексеев, Б. Р. Бородин, М. С. Дунаевский, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, “Локальное анодное окисление слоев графена на SiC”, Письма в ЖТФ, 44:9 (2018),  34–40  mathnet  elib; P. A. Alekseev, B. R. Borodin, M. S. Dunaevskii, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, “Local anodic oxidation of graphene layers on SiC”, Tech. Phys. Lett., 44:5 (2018), 381–383 13
2017
37. В. Г. Голубев, С. А. Грудинкин, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, Н. А. Феоктистов, “Новые линии люминесценции в полученных методом химического газофазного осаждения наноалмазах”, Физика твердого тела, 59:12 (2017),  2382–2386  mathnet  elib; V. G. Golubev, S. A. Grudinkin, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, N. A. Feoktistov, “New luminescence lines in nanodiamonds obtained by chemical vapor deposition”, Phys. Solid State, 59:12 (2017), 2407–2412 2
38. Д. В. Лебедев, А. М. Минтаиров, А. С. Власов, В. Ю. Давыдов, М. М. Кулагина, С. И. Трошков, А. А. Богданов, А. Н. Смирнов, A. Gocalinska, G. Juska, E. Pelucchi, J. Kapaldo, S. Rouvimov, J. Merz, “Лазерная генерация в микродисках с активной областью на основе решеточно-согласованных InP/AlInAs наноструктур”, ЖТФ, 87:7 (2017),  1066–1070  mathnet  elib; D. V. Lebedev, A. M. Mintairov, A. S. Vlasov, V. Yu. Davydov, M. M. Kulagina, S. I. Troshkov, A. A. Bogdanov, A. N. Smirnov, A. Gocalinska, G. Juska, E. Pelucchi, J. Kapaldo, S. Rouvimov, J. Merz, “Lasing in microdisks with an active region based on lattice-matched InP/AlInAs nanostructures”, Tech. Phys., 62:7 (2017), 1082–1086
39. П. А. Бушуйкин, А. В. Новиков, Б. А. Андреев, Д. Н. Лобанов, П. А. Юнин, Е. В. Скороходов, Л. В. Красильникова, Е. В. Демидов, Г. М. Савченко, В. Ю. Давыдов, “Особенности спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1594–1598  mathnet  elib; P. A. Bushuikin, A. V. Novikov, B. A. Andreev, D. N. Lobanov, P. A. Yunin, E. V. Skorokhodov, L. V. Krasil’nikova, E. V. Demidov, G. M. Savchenko, V. Yu. Davydov, “Specific features of the photoexcitation spectra of epitaxial InN layers grown by molecular-beam epitaxy with the plasma activation of nitrogen”, Semiconductors, 51:12 (2017), 1537–1541
40. В. Ю. Давыдов, Д. Ю. Усачёв, С. П. Лебедев, А. Н. Смирнов, В. С. Левицкий, И. А. Елисеев, П. А. Алексеев, М. С. Дунаевский, О. Ю. Вилков, А. Г. Рыбкин, А. А. Лебедев, “Исследование кристаллической и электронной структуры графеновых пленок, выращенных на 6$H$-SiC (0001)”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1116–1124  mathnet  elib; V. Yu. Davydov, D. Yu. Usachov, S. P. Lebedev, A. N. Smirnov, V. S. Levitskii, I. A. Eliseyev, P. A. Alekseev, M. S. Dunaevskii, O. Yu. Vilkov, A. G. Rybkin, A. A. Lebedev, “Study of the crystal and electronic structure of graphene films grown on 6$H$-SiC (0001)”, Semiconductors, 51:8 (2017), 1072–1080 49
41. В. В. Вороненков, М. В. Вирко, В. С. Коготков, А. А. Леонидов, А. В. Пинчук, А. С. Зубрилов, Р. И. Горбунов, Ф. Е. Латышев, Н. И. Бочкарева, Ю. С. Леликов, Д. В. Тархин, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, И. А. Шеремет, Ю. Г. Шретер, “Отделение слабо легированных пленок $n$-GaN микронной толщины от подложек, основанное на эффекте поглощения ИК излучения в сапфире”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  116–123  mathnet  elib; V. V. Voronenkov, M. V. Virko, V. S. Kogotkov, A. A. Leonidov, A. V. Pinchuk, A. S. Zubrilov, R. I. Gorbunov, F. E. Latyshev, N. I. Bochkareva, Yu. S. Lelikov, D. V. Tarkhin, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, I. A. Sheremet, Yu. G. Shreter, “On the laser lift-off of lightly doped micrometer-thick $n$-GaN films from substrates via the absorption of IR radiation in sapphire”, Semiconductors, 51:1 (2017), 115–121 3
42. С. П. Лебедев, И. А. Елисеев, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, В. С. Левицкий, М. Г. Мынбаева, М. М. Кулагина, B. Hähnlein, J. Pezoldt, А. А. Лебедев, “Транспортные свойства пленок графена, выращенных методом термодеструкции поверхности SiC (0001) в среде аргона”, Письма в ЖТФ, 43:18 (2017),  64–72  mathnet  elib; S. P. Lebedev, I. A. Eliseyev, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, V. S. Levitskii, M. G. Mynbaeva, M. M. Kulagina, B. Hähnlein, J. Pezoldt, A. A. Lebedev, “Transport properties of graphene films grown by thermodestruction of SiC (0001) surface in argon medium”, Tech. Phys. Lett., 43:9 (2017), 849–852 7
2016
43. М. А. Просников, А. Д. Молчанова, Р. М. Дубровин, К. Н. Болдырев, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, А. М. Балбашов, М. Н. Попова, Р. В. Писарев, “Динамика решетки и электронная структура кобальт-титановой шпинели Co$_{2}$TiO$_{4}$”, Физика твердого тела, 58:12 (2016),  2427–2433  mathnet  elib; M. A. Prosnikov, A. D. Molchanova, R. M. Dubrovin, K. N. Boldyrev, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, A. M. Balbashov, M. N. Popova, R. V. Pisarev, “Lattice dynamics and electronic structure of cobalt–titanium spinel Co$_{2}$TiO$_{4}$”, Phys. Solid State, 58:12 (2016), 2516–2522 11
44. Т. В. Шубина, К. Г. Беляев, М.А. Семина, А. В. Родина, А. А. Головатенко, А. А. Торопов, С. В. Сорокин, И. В. Седова, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, П. С. Копьев, С. В. Иванов, “Резонансный перенос энергии в плотном массиве II–VI квантовых точек”, Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2175–2179  mathnet  elib; T. V. Shubina, K. G. Belyaev, M.A. Semina, A. V. Rodina, A. A. Golovatenko, A. A. Toropov, S. V. Sorokin, I. V. Sedova, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, P. S. Kop'ev, S. V. Ivanov, “Resonance energy transfer in a dense array of II–VI quantum dots”, Phys. Solid State, 58:11 (2016), 2256–2260 2
45. А. В. Бутко, В. Ю. Бутко, С. П. Лебедев, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, Ю. А. Кумзеров, “Транспортные свойства графена в области его интерфейса с водной поверхностью”, Физика твердого тела, 58:7 (2016),  1432–1435  mathnet  elib; A. V. Butko, V. Yu. Butko, S. P. Lebedev, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, Yu. A. Kumzerov, “Transport properties of graphene in the region of its interface with water surface”, Phys. Solid State, 58:7 (2016), 1483–1486 2
46. А. А. Лебедев, С. П. Лебедев, С. Н. Новиков, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, Д. П. Литвин, Ю. Н. Макаров, В. С. Левицкий, “Сверхчувствительный газовый сенсор на основе графена”, ЖТФ, 86:3 (2016),  135–139  mathnet  elib; A. A. Lebedev, S. P. Lebedev, S. N. Novikov, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, D. P. Litvin, Yu. N. Makarov, V. S. Levitskii, “Supersensitive graphene-based gas sensor”, Tech. Phys., 61:3 (2016), 453–457 17
47. I. Alieva, I. Kireev, A. Rakhmanina, A. Garanina, O. Strelkova, O. Zhironkina, V. Cherepaninets, V. Davydov, V. Khabashesku, V. Agafonov, R. Uzbekov, “Magnet-induced behavior of iron carbide (Fe7C3@C) nanoparticles in the cytoplasm of living cells”, Наносистемы: физика, химия, математика, 7:1 (2016),  158–160  mathnet  isi 2
48. Д. В. Панькин, М. Б. Смирнов, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, Е. Е. Заварин, В. В. Лундин, “Упругие деформации и делокализованные оптические фононы в сверхрешетках AlN/GaN”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1064–1069  mathnet  elib; D. V. Pankin, M. B. Smirnov, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, E. E. Zavarin, V. V. Lundin, “Elastic strains and delocalized optical phonons in AlN/GaN superlattices”, Semiconductors, 50:8 (2016), 1043–1048 4
49. М. В. Вирко, В. С. Коготков, А. А. Леонидов, В. В. Вороненков, Ю. Т. Ребане, А. С. Зубрилов, Р. И. Горбунов, Ф. Е. Латышев, Н. И. Бочкарева, Ю. С. Леликов, Д. В. Тархин, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, Ю. Г. Шретер, “Лазерное отделение пленок $n$-GaN от подложек, основанное на эффекте сильного поглощения ИК излучения свободными носителями заряда в $n^{+}$-GaN подложках”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  711–716  mathnet  elib; M. V. Virko, V. S. Kogotkov, A. A. Leonidov, V. V. Voronenkov, Yu. T. Rebane, A. S. Zubrilov, R. I. Gorbunov, F. E. Latyshev, N. I. Bochkareva, Yu. S. Lelikov, D. V. Tarkhin, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, Yu. G. Shreter, “On the laser detachment of $n$-GaN films from substrates, based on the strong absorption of IR light by free charge carriers in $n^+$-GaN substrates”, Semiconductors, 50:5 (2016), 699–704 5
50. О. С. Кен, В. С. Левицкий, Д. А. Явсин, С. А. Гуревич, В. Ю. Давыдов, О. М. Сресели, “Оптические и структурные свойства композитных слоев Si : Au, полученных лазерным электродиспергированием”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  423–430  mathnet  elib; O. S. Ken, V. S. Levitskii, D. A. Yavsin, S. A. Gurevich, V. Yu. Davydov, O. M. Sreseli, “Optical and structural properties of composite Si:Au layers formed by laser electrodispersion”, Semiconductors, 50:3 (2016), 418–425 2
51. А. А. Лебедев, В. Ю. Давыдов, С. Н. Новиков, Д. П. Литвин, Ю. Н. Макаров, В. Б. Климович, М. П. Самойлович, “Биосенсоры на основе графена”, Письма в ЖТФ, 42:14 (2016),  28–35  mathnet  elib; A. A. Lebedev, V. Yu. Davydov, S. N. Novikov, D. P. Litvin, Yu. N. Makarov, V. B. Klimovich, M. P. Samoilovich, “Graphene-based biosensors”, Tech. Phys. Lett., 42:7 (2016), 729–732 15
2015
52. И. Х. Акопян, В. Ю. Давыдов, М. Э. Лабзовская, А. А. Лисаченко, Я. А. Могунов, Д. В. Назаров, Б. В. Новиков, А. И. Романычев, А. Ю. Серов, А. Н. Смирнов, В. В. Титов, Н. Г. Философов, “Спектры фотолюминесценции тонких пленок ZnO, выращенных по ALD-технологии”, Физика твердого тела, 57:9 (2015),  1817–1821  mathnet  elib; I. Kh. Akopyan, V. Yu. Davydov, M. È. Labzovskaya, A. A. Lisachenko, Ya. A. Mogunov, D. V. Nazarov, B. V. Novikov, A. I. Romanychev, A. Yu. Serov, A. N. Smirnov, V. V. Titov, N. G. Filosofov, “Photoluminescence spectra of thin ZnO films grown by ALD technology”, Phys. Solid State, 57:9 (2015), 1865–1869 3
53. Е. В. Астрова, Г. В. Ли, А. В. Парфеньева, А. М. Румянцев, В. В. Жданов, С. И. Павлов, В. С. Левицкий, Е. И. Теруков, В. Ю. Давыдов, “Исследование структуры и состава кремниевых микроструктур, подвергшихся циклическому внедрению и экстракции лития”, ЖТФ, 85:4 (2015),  52–61  mathnet  elib; E. V. Astrova, G. V. Li, A. V. Parfeneva, A. M. Rumyantsev, V. V. Zhdanov, S. I. Pavlov, V. S. Levitskii, E. I. Terukov, V. Yu. Davydov, “Structure and composition of silicon microarrays subjected to cyclic insertion and extraction of lithium”, Tech. Phys., 60:4 (2015), 531–540 8
54. Д. Р. Казанов, В. Х. Кайбышев, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, В. Н. Жмерик, Н. В. Кузнецова, П. С. Копьев, С. В. Иванов, Т. В. Шубина, “Температурное переключение резонаторных мод в микрокристаллах InN”, Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1484–1488  mathnet  elib; D. R. Kazanov, V. Kh. Kaibyshev, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, V. N. Zhmerik, N. V. Kuznetsova, P. S. Kop'ev, S. V. Ivanov, T. V. Shubina, “Temperature switching of cavity modes in InN microcrystals”, Semiconductors, 49:11 (2015), 1435–1439
55. В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, М. Г. Попов, С. И. Трошков, А. В. Сахаров, И. П. Смирнова, М. М. Кулагина, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, А. Ф. Цацульников, “Влияние содержания алюминия на морфологию поверхности сильнолегированных мезаструктур (Al)GaN, сформированных селективной газофазной эпитаксией из металлоорганических соединений”, Письма в ЖТФ, 41:20 (2015),  74–81  mathnet  elib; V. V. Lundin, E. E. Zavarin, M. G. Popov, S. I. Troshkov, A. V. Sakharov, I. P. Smirnova, M. M. Kulagina, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, A. F. Tsatsul'nikov, “The influence of aluminum content on the surface morphology of heavily doped (Al)GaN mesastrip structures grown by selective metalorganic vapor phase epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 41:10 (2015), 1006–1009
2014
56. М. М. Рожавская, В. В. Лундин, Е. Ю. Лундина, А. В. Сахаров, С. И. Трошков, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, “Синтез GaN нитевидных нано- и микрокристаллов, индуцированный нанослоем титана”, Письма в ЖТФ, 40:9 (2014),  17–23  mathnet  elib; M. M. Rozhavskaya, V. V. Lundin, E. Yu. Lundina, A. V. Sakharov, S. I. Troshkov, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, “Synthesis of GaN nano- and microwire crystals induced by a titanium nanolayer”, Tech. Phys. Lett., 40:5 (2014), 372–374 5
2013
57. А. В. Ильинский, В. Ю. Давыдов, Р. А. Кастро, О. Е. Квашенкина, М. Э. Пашкевич, Е. Б. Шадрин, “Электронно-лучевая модификация параметров фазового перехода изолятор-металл в пленках диоксида ванадия”, Письма в ЖТФ, 39:15 (2013),  78–85  mathnet  elib; A. V. Ilinskiy, V. Yu. Davydov, R. A. Castro, O. E. Kvashenkina, M. È. Pashkevich, E. B. Shadrin, “Electron-beam modification of the parameters of the insulator-metal phase transition in vanadium dioxide films”, Tech. Phys. Lett., 39:8 (2013), 705–708 4
2011
58. С. В. Карпов, Б. В. Новиков, М. Б. Смирнов, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, И. В. Штром, Г. Э. Цырлин, А. Д. Буравлев, Ю. Б. Самсоненко, “Особенности спектров рамановского рассеяния нитевидных кристаллов на основе соединений $A_3B_5$”, Физика твердого тела, 53:7 (2011),  1359–1366  mathnet  elib; S. V. Karpov, B. V. Novikov, M. B. Smirnov, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, I. V. Shtrom, G. È. Cirlin, A. D. Bouravlev, Yu. B. Samsonenko, “Specific features of Raman spectra of III–V nanowhiskers”, Phys. Solid State, 53:7 (2011), 1431–1439 7
2010
59. В. Ю. Давыдов, А. А. Клочихин, А. Н. Смирнов, И. Ю. Страшкова, А. С. Крылов, Hai Lu, William J. Schaff, H.-M. Lee, Y.-L. Hong, S. Gwo, “Резонансное рамановское рассеяние и дисперсия полярных оптических и акустических фононов в гексагональном InN”, Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  170–179  mathnet  elib; V. Yu. Davydov, A. A. Klochikhin, A. N. Smirnov, I. Yu. Strashkova, A. S. Krylov, Hai Lu, William J. Schaff, H.-M. Lee, Y.-L. Hong, S. Gwo, “Resonant Raman scattering and dispersion of polar optical and acoustic phonons in hexagonal InN”, Semiconductors, 44:2 (2010), 161–170 5
2008
60. А. А. Гуткин, М. Э. Рудинский, П. Н. Брунков, А. А. Клочихин, В. Ю. Давыдов, H.-Y. Chen, S. Gwo, “Поверхностные состояния на границе раздела $n$-InN–электролит”, Физика и техника полупроводников, 42:12 (2008),  1448–1451  mathnet  elib; A. A. Gutkin, M. È. Rudinskii, P. N. Brunkov, A. A. Klochikhin, V. Yu. Davydov, H.-Y. Chen, S. Gwo, “Surface states on the $n$-InN-electrolyte interface”, Semiconductors, 42:12 (2008), 1416–1419 1
2007
61. А. А. Клочихин, В. Ю. Давыдов, Е. Р. Сеель, “Флуктуации состава в изотопических твердых растворах”, Физика твердого тела, 49:1 (2007),  43–51  mathnet  elib; A. A. Klochikhin, V. Yu. Davydov, E. R. Seel', “Compositional fluctuations in isotopic solid solutions”, Phys. Solid State, 49:1 (2007), 46–54 2
1992
62. М. В. Белоусов, И. В. Игнатьев, Н. В. Орехова, В. Ю. Давыдов, “Влияние беспорядка в кислородной подрешетке на спектры комбинационного рассеяния кристаллов YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{x}$. Эксперимент и расчет”, Физика твердого тела, 34:9 (1992),  2804–2813  mathnet  isi
1989
63. О. В. Косогов, А. И. Акимов, М. В. Белоусов, С. В. Богачев, В. Ю. Давыдов, В. А. Ильин, С. Ф. Карманенко, А. Л. Карпей, О. В. Корнякова, В. Н. Макаров, Л. П. Получанкина, “Исследование высокотемпературных сверхпроводящих керамик и тонких пленок системы Тl$-$Ba$-$Ca$-$Cu$-$O”, Физика твердого тела, 31:10 (1989),  295–297  mathnet  isi
1987
64. В. Ю. Давыдов, Э. В. Числер, “Колебательный спектр кристаллов KDA и RDA в сегнетоэлектрической фазе”, Физика твердого тела, 29:4 (1987),  1060–1066  mathnet  isi
1986
65. В. Ю. Давыдов, È. В. Числер, “Спектры комбинационного рассеяния при гелиевой температуре сегнетоэлектриков KDP и DKDP, монодоменизированных электрическим полем”, Физика твердого тела, 28:11 (1986),  3249–3261  mathnet  isi
1984
66. В. Ю. Давыдов, Э. В. Числер, “Высокочастотные колебания протонной и дейтронной подрешеток в сегнетоэлектриках KH$_{2}$PO$_{4}$ и KD$_{2}$PO$_{4}$”, Физика твердого тела, 26:7 (1984),  2086–2091  mathnet  isi
67. В. Ю. Давыдов, Э. В. Числер, “Влияние дейтерирования на интенсивность спектра комбинационного рассеяния и динамику водородных связей в сегнетоэлектрике KH$_{2}$PO$_{4}$”, Физика твердого тела, 26:4 (1984),  1010–1012  mathnet  isi
68. В. Ю. Давыдов, Э. В. Числер, “Деформационные колебания водородной связи в сегнетоэлектриках KH$_{2}$PO$_{4}$ и RbH$_{2}$PO$_{4}$”, Физика твердого тела, 26:2 (1984),  367–371  mathnet  isi

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026