|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Н. В. Агринская, В. И. Козуб, А. В. Шумилин, “Динамические спиновые явления в сложных структурах на основе ферромагнитных металлов и полупроводников (Миниобзор)”, Письма в ЖЭТФ, 110:7 (2019), 482–492 ; N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, A. V. Shumilin, “Dynamic spin phenomena in complex structures based on ferromagnetic metals and semiconductors (scientific summary)”, JETP Letters, 110:7 (2019), 495–504 |
1
|
| 2. |
П. Г. Баранов, А. М. Калашникова, В. И. Козуб, В. Л. Коренев, Ю. Г. Кусраев, Р. В. Писарев, В. Ф. Сапега, И. А. Акимов, М. Байер, А. В. Щербаков, Д. Р. Яковлев, “Спинтроника полупроводниковых, металлических, диэлектрических и гибридных структур (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)”, УФН, 189:8 (2019), 849–880 ; P. G. Baranov, A. M. Kalashnikova, V. I. Kozub, V. L. Korenev, Yu. G. Kusrayev, R. V. Pisarev, V. F. Sapega, I. A. Akimov, M. Bayer, A. V Scherbakov, D. R. Yakovlev, “Spintronics of semiconductor, metallic, dielectric, and hybrid structures (100th anniversary of the Ioffe Institute)”, Phys. Usp., 62:8 (2019), 795–822 |
30
|
|
2018 |
| 3. |
Н. Ю. Михайлин, Д. В. Шамшур, Р. В. Парфеньев, В. И. Козуб, Ю. М. Гальперин, Ю. А. Кумзеров, А. В. Фокин, “Размерные зависимости магнитных свойств сверхпроводящих наноструктур свинца в пористом стекле”, Физика твердого тела, 60:6 (2018), 1058–1061 ; N. Yu. Mikhailin, D. V. Shamshur, R. V. Parfen'ev, V. I. Kozub, Yu. M. Gal'perin, Yu. A. Kumzerov, A. V. Fokin, “Size dependences of the magnetic properties of superconducting lead–porous glass nanostructures”, Phys. Solid State, 60:6 (2018), 1068–1072 |
3
|
|
2017 |
| 4. |
N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, N. Yu. Mikhailin, D. V. Shamshur, “Spin-controlled negative magnetoresistance resulting from exchange interactions”, Письма в ЖЭТФ, 105:8 (2017), 477–478 ; JETP Letters, 105:8 (2017), 484–487 |
9
|
|
2015 |
| 5. |
N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, “Ferromagnetism mediated by the upper Hubbard band in selectively doped GaAs/AlGaAs structures”, Письма в ЖЭТФ, 102:4 (2015), 250–252 ; JETP Letters, 102:4 (2015), 222–225 |
1
|
|
2014 |
| 6. |
N. V. Agrinskaya, V. A. Berezotets, V. I. Kozub, “Positive magnetoresistance peaked at ferromagnetic transition in Mn-doped quantum wells GaAs/AlGaAs”, Письма в ЖЭТФ, 100:3 (2014), 186–193 ; JETP Letters, 100:3 (2014), 167–173 |
1
|
|
2013 |
| 7. |
Н. В. Агринская, В. И. Козуб, “Особенности проводимости и магнетосопротивления легированных
двумерных структур вблизи перехода металл–диэлектрик”, Письма в ЖЭТФ, 98:5 (2013), 342–350 ; N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, “Features of the conductivity and magnetoresistance of doped two-dimensional structures near a metal-insulator transition”, JETP Letters, 98:5 (2013), 304–311 |
| 8. |
Н. В. Агринская, В. А. Березовец, В. И. Козуб, И. С. Котоусова, А. А. Лебедев, С. П. Лебедев, А. А. Ситникова, “Структура и транспортные свойства наноуглеродных пленок, полученных сублимацией на поверхности на 6H-SiC”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 267–272 ; N. V. Agrinskaya, V. A. Berezotets, V. I. Kozub, I. S. Kotousova, A. A. Lebedev, S. P. Lebedev, A. A. Sitnikova, “Structure and transport properties of nanocarbon films prepared by sublimation on a 6H-SiC surface”, Semiconductors, 47:2 (2013), 301–306 |
12
|
|
2012 |
| 9. |
Y. M. Beltukov, V. I. Kozub, D. A. Parshin, “Diffusion of vibrations in disordered systems”, Письма в ЖЭТФ, 96:9 (2012), 641–645 ; JETP Letters, 96:9 (2012), 572–576 |
1
|
|
2011 |
| 10. |
Н. В. Агринская, В. И. Козуб, Д. С. Полоскин, “Разрушение виртуального перехода Андерсона в примесной зоне легированных структур квантовых ям”, Письма в ЖЭТФ, 94:2 (2011), 120–124 ; N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, D. S. Poloskin, “Suppression of the virtual anderson transition in the impurity band of doped quantum well structures”, JETP Letters, 94:2 (2011), 116–120 |
4
|
|
2010 |
| 11. |
Н. В. Агринская, В. И. Козуб, Д. С. Полоскин, “О смешанной проводимости, включающей квазиметаллическую проводимость по примесной зоне, в легированных полупроводниковых структурах”, Физика и техника полупроводников, 44:4 (2010), 491–496 ; N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, D. S. Poloskin, “Mixed conduction in doped semiconductor structures related to quasi-metallic conduction in the impurity band”, Semiconductors, 44:4 (2010), 472–477 |
9
|
|
2009 |
| 12. |
A. N. Poddubnyi, S. V. Goupalov, V. I. Kozub, I. N. Yassievich, “Electron-phonon interaction in non-polar quantum dots induced by the amorphous polar environment”, Письма в ЖЭТФ, 90:10 (2009), 756–760 ; JETP Letters, 90:10 (2009), 683–687 |
10
|
| 13. |
А. А. Лебедев, П. Л. Абрамов, Н. В. Агринская, В. И. Козуб, А. Н. Кузнецов, С. П. Лебедев, Г. А. Оганесян, А. С. Трегубова, А. В. Черняев, Д. В. Шамшур, М. О. Скворцова, “Переход металл–изолятор в эпитаксиальных пленках $n$-3C-SiC”, Физика и техника полупроводников, 43:3 (2009), 337–341 ; A. A. Lebedev, P. L. Abramov, N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, A. N. Kuznetsov, S. P. Lebedev, G. A. Oganesyan, A. S. Tregubova, A. V. Chernyaev, D. V. Shamshur, M. O. Skvortsova, “Metal–insulator transition in $n$-3C-SiC epitaxial films”, Semiconductors, 43:3 (2009), 318–322 |
|
2007 |
| 14. |
Д. С. Ильющенков, В. И. Козуб, И. Н. Яссиевич, “Формирование доменов в пленках магнитных наночастиц со случайным распределением осей анизотропии”, Физика твердого тела, 49:10 (2007), 1853–1857 ; D. S. Ilyushchenkov, V. I. Kozub, I. N. Yassievich, “Domain formation in films of magnetic nanoparticles with a random distribution of anisotropy axes”, Phys. Solid State, 49:10 (2007), 1944–1948 |
1
|
| 15. |
Н. В. Агринская, В. И. Козуб, Д. С. Полоскин, “Виртуальный переход Андерсона в узкой примесной зоне легированных слоев $p$-GaAs/AlGaAs”, Письма в ЖЭТФ, 85:3 (2007), 202–207 ; N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, D. S. Poloskin, “Virtual Anderson transition in a narrow impurity band of doped $p$-GaAs/AlGaAs layers”, JETP Letters, 85:3 (2007), 169–173 |
9
|
|
2006 |
| 16. |
В. И. Козуб, Р. В. Парфеньев, Д. В. Шамшур, Д. В. Шакура, А. В. Черняев, С. А. Немов, “Переход сверхпроводник-диэлектрик в $\mathrm{(Pb_zSn_{1-z})_{0.84}In_{0.16}Te}$”, Письма в ЖЭТФ, 84:1 (2006), 37–42 ; V. I. Kozub, R. V. Parfen'ev, D. V. Shamshur, D. V. Shakura, A. V. Chernyaev, S. A. Nemov, “Superconductor-insulator transition in (Pb<sub>z</sub>Sn<sub>1-z</sub>)<sub>0.84</sub>In<sub>0.16</sub>Te”, JETP Letters, 84:1 (2006), 35–40 |
11
|
|
2005 |
| 17. |
А. В. Кунцевич, Д. А. Князев, В. И. Козуб, В. М. Пудалов, Г. Брунтхалер, Г. Бауер, “Немонотонная температурная зависимость холловского сопротивления 2D системы электронов в Si”, Письма в ЖЭТФ, 81:8 (2005), 502–506 ; A. V. Kuntsevich, D. A. Knyazev, V. I. Kozub, V. M. Pudalov, G. Brunthaler, G. Bauer, “Nonmonotonic temperature dependence of the Hall resistance of a 2D electron system in silicon”, JETP Letters, 81:8 (2005), 409–412 |
7
|
| 18. |
В. И. Козуб, В. М. Кожевин, Д. А. Явсин, С. А. Гуревич, “Транспорт электронов в монодисперсных наноструктурах металлов”, Письма в ЖЭТФ, 81:5 (2005), 287–291 ; V. I. Kozub, V. M. Kozhevin, D. A. Yavsin, S. A. Gurevich, “Electron transport in monodisperse metal nanostructures”, JETP Letters, 81:5 (2005), 226–230 |
22
|
|
2004 |
| 19. |
Н. В. Агринская, В. И. Козуб, Д. С. Полоскин, А. В. Черняев, Д. В. Шамшур, “Переход от сильной к слабой локализации в отщепленной примесной зоне в двумерных структурах $p$-GaAs/AlGaAs”, Письма в ЖЭТФ, 80:1 (2004), 36–40 ; N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, D. S. Poloskin, A. V. Chernyaev, D. V. Shamshur, “Transition from strong to weak localization in the split-off impurity band in two-dimensional p-GaAs/AlGaAs structures”, JETP Letters, 80:1 (2004), 30–34 |
16
|
|
2002 |
| 20. |
Н. В. Агринская, В. И. Козуб, В. М. Устинов, А. В. Черняев, Д. В. Шамшур, “Проявление кулоновской щели в двумерных структурах $p$-GaAs-AIGaAs в условиях заполнения верхней зоны Хаббарда”, Письма в ЖЭТФ, 76:6 (2002), 420–424 ; N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, V. M. Ustinov, A. V. Chernyaev, D. V. Shamshur, “Manifestation of coulomb gap in two-dimensional $p$-GaAs-AlGaAs structures with filled upper Hubbard band”, JETP Letters, 76:6 (2002), 360–364 |
5
|
|
1992 |
| 21. |
Ю. М. Гальперин, В. И. Козуб, “Термомагнитный эффект в неоднородных сверхпроводящих пленках”, Физика твердого тела, 34:5 (1992), 1541–1545 |
| 22. |
В. И. Козуб, “О влиянии реальных граничных условий на эксперименты по распространению неравновесных фононов: ограничения метода тепловых импульсов”, Физика твердого тела, 34:5 (1992), 1429–1436 |
| 23. |
В. И. Козуб, Н. А. Редько, “Фононная теплопроводность сплавов вблизи диэлектрического максимума”, Физика твердого тела, 34:1 (1992), 178–182 |
| 24. |
В. И. Козуб, “Новые книги по полупроводникам”, Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992), 1675–1677 |
| 25. |
В. И. Козуб, “Новые книги по полупроводникам”, Физика и техника полупроводников, 26:7 (1992), 1355–1358 |
| 26. |
В. И. Козуб, “Новые книги по полупроводникам”, Физика и техника полупроводников, 26:1 (1992), 192–195 |
|
1991 |
| 27. |
В. И. Козуб, “Новые книги по полупроводникам”, Физика и техника полупроводников, 25:10 (1991), 1846–1849 |
| 28. |
В. И. Козуб, “Новые книги по полупроводникам”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991), 1476–1480 |
| 29. |
В. И. Козуб, “Новые книги по полупроводникам”, Физика и техника полупроводников, 25:7 (1991), 1274–1276 |
| 30. |
В. И. Козуб, “Новые книги по полупроводникам”, Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991), 1108–1113 |
| 31. |
В. И. Козуб, “Новые книги по полупроводникам”, Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991), 364 |
| 32. |
Ю. М. Гальперин, В. И. Козуб, “Термомагнитный эффект в слоистой сверхпроводящей структуре”, Письма в ЖТФ, 17:24 (1991), 59–62 |
|
1990 |
| 33. |
Ю. М. Гальперин, В. И. Козуб, “Нелинейная кинетика ВТСП в условиях сильного оптического возбуждения”, Физика твердого тела, 32:10 (1990), 3080–3082 |
| 34. |
Ю. М. Гальперин, В. И. Козуб, “О распространении поверхностных поляритонов в сверхпроводниках”, Физика твердого тела, 32:9 (1990), 2841–2843 |
| 35. |
В. И. Козуб, “Новые книги по полупроводникам”, Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990), 2225–2233 |
| 36. |
В. И. Козуб, “Новые книги по полупроводникам”, Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990), 1893–1899 |
| 37. |
В. И. Козуб, “Критика и библиография”, Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990), 1499–1502 |
| 38. |
В. И. Козуб, “Новые книги по полупроводникам”, Физика и техника полупроводников, 24:5 (1990), 943–953 |
|
1989 |
| 39. |
Ю. М. Гальперин, В. Л. Гуревич, В. И. Козуб, “О низкочастотных шумах в высокотемпературных сверхпроводниках”, Физика твердого тела, 31:5 (1989), 155–164 |
| 40. |
В. И. Козуб, “Новые книги по полупроводникам”, Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989), 1716–1718 |
| 41. |
В. И. Козуб, “Новые книги по полупроводникам”, Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989), 1123–1127 |
| 42. |
В. И. Козуб, “Новые книги по полупроводникам”, Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989), 925–931 |
| 43. |
В. И. Козуб, “Новые книги по полупроводникам”, Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989), 386–391 |
|
1988 |
| 44. |
В. И. Козуб, “Новые книги по полупроводникам (сс. 622, 669, 674, 678, 685, 691, 703)”, Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988), 774–780 |
| 45. |
В. И. Козуб, “Новые книги по полупроводникам (cc. 385, 401, 408, 412, 423, 432, 438)”, Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988), 566 |
| 46. |
В. И. Козуб, “Новые книги по полупроводникам”, Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988), 362–364 |
|
1987 |
| 47. |
А. В. Акимов, А. А. Каплянский, В. И. Козуб, П. С. Копьев, Б. Я. Мельцер, “Воздействие акустических фононных импульсов на примесную люминесценцию полупроводниковых структур с квантовыми ямами”, Физика твердого тела, 29:6 (1987), 1843–1847 |
1
|
| 48. |
В. И. Козуб, “Новые книги по полупроводникам”, Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987), 2247–2251 |
|
1986 |
| 49. |
В. И. Козуб, “Новые книги по полупроводникам”, Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986), 2239–2245 |
| 50. |
В. И. Козуб, “Новые книги по полупроводникам”, Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986), 1144–1148 |
| 51. |
В. И. Козуб, “Новые книги по полупроводникам”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 575–580 |
| 52. |
В. И. Козуб, “Новые книги по полупроводникам”, Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986), 190–195 |
|
1985 |
| 53. |
Ю. М. Гальперин, В. И. Козуб, Э. Я. Приев, “О взаимодействии поверхностных акустических волн с газоразрядной
плазмой”, ЖТФ, 55:1 (1985), 26–34 |
| 54. |
В. И. Козуб, “Новые книги по полупроводникам”, Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985), 1520–1525 |
| 55. |
В. И. Козуб, “Новые книги по полупроводникам”, Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985), 1337–1340 |
|
1984 |
| 56. |
В. И. Козуб, “О низкотемпературных свойствах точечных и мостиковых микроконтактов нормальных металлов с аморфной окрестностью контакта”, Физика твердого тела, 26:7 (1984), 1955–1963 |
| 57. |
Ю. М. Гальперин, В. И. Козуб, “Об увлечении экситонов в пьезополупроводниках в режиме генерации звука”, Физика твердого тела, 26:7 (1984), 1949–1954 |
| 58. |
В. И. Козуб, “О низкочастотных шумах в джозефсоновских структурах с аморфной слабой связью”, Физика твердого тела, 26:6 (1984), 1851–1853 |
| 59. |
В. И. Козуб, “Новые книги по полупроводникам”, Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984), 1914–1923 |
| 60. |
В. И. Козуб, “Новые книги по полупроводникам”, Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984), 1138–1147 |
| 61. |
В. И. Козуб, “Из программы редакции книг по физике Издательства «Мир»”, Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984), 762–763 |
|
1979 |
| 62. |
Ю. М. Гальперин, В. Л. Гуревич, В. И. Козуб, “Нелинейные эффекты при распространении высокочастотного звука в нормальных проводниках”, УФН, 128:1 (1979), 107–133 ; Yu. M. Gal'perin, V. L. Gurevich, V. I. Kozub, “Nonlinear effects in the propagation of high-frequency sound in normal conductors”, Phys. Usp., 22:5 (1979), 352–367 |
17
|
|
|
|
1988 |
| 63. |
В. И. Козуб, “Новые книги по полупроводникам”, Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988), 1899–1903 |
| 64. |
В. И. Козуб, “Новые книги по полупроводникам (сс. 1184, 1197, 1252)”, Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988), 1335 |
|