Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Румянцев Владимир Владимирович
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 55
Научных статей: 55

Статистика просмотров:
Эта страница:482
Страницы публикаций:12096
Полные тексты:4861
старший научный сотрудник
кандидат физико-математических наук (2014)
Специальность ВАК: 05.27.01 (твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах)
Дата рождения: 9.08.1988
E-mail:
Сайт: http://www.ipmras.ru/institute/persons/staff/217-rumyantsev-vladimir-vladimirovich/

Основные темы научной работы

Физика полупроводников, наноструктуры, фотопроводимость, фотолюминесценция, дальний инфракрасный диапазон, узкозонные полупроводники, мелкие примеси.

Научная биография:

Румянцев, Владимир Владимирович. Фотопроводимость и фотолюминесценция эпитаксиальных плёнок и структур с квантовыми ямами на основе $Hg Cd Te$ в среднем и дальнем инфракрасном диапазоне : дис. ... канд. физ.-матем. наук\ : 05.27.01; [Место защиты: Ин-т физики микроструктур РАН]. - Нижний Новгород, 2014. - 126 с. : ил.

https://www.mathnet.ru/rus/person61643
Список публикаций на Google Scholar

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2026
1. Д. И. Курицын, С. В. Морозов, Л. В. Гавриленко, В. И. Гавриленко, А. А. Дубинов, В. В. Румянцев, Р. А. Хабибуллин, Г. С. Соколовский, “Коллимирующая оптическая система из полиметилпентена для квантово-каскадного лазера терагерцевого диапазона”, Письма в ЖТФ, 52:7 (2026),  44–47  mathnet  elib
2. В. В. Уточкин, В. В. Румянцев, М. А. Фадеев, А. А. Разова, К. А. Мажукина, А. А. Янцер, В. И. Гавриленко, С. А. Краев, Е. А. Архипова, А. В. Окомельков, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, “Исследование спектров электролюминесценции в гетероструктурах с квантовыми ямами на основе твердых растворов HgCdTe при латеральной токовой накачке”, Письма в ЖТФ, 52:5 (2026),  9–13  mathnet  elib
2025
3. Е. Н. Кирьянова, В. В. Румянцев, А. А. Разова, Д. В. Шенгуров, Н. С. Гусев, Е. Е. Морозова, В. В. Уточкин, В. Р. Барышев, А. А. Янцер, К. А. Мажукина, М. А. Фадеев, Н. С. Гинзбург, А. М. Малкин, Е. Д. Егорова, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Лазерное излучение в мезаструктуре с квантовыми ямами на основе HgCdTe с периодической системой гребней”, Физика и техника полупроводников, 59:10 (2025),  608–613  mathnet
4. А. А. Разова, В. В. Румянцев, Д. В. Шенгуров, Н. С. Гусев, Е. Е. Морозова, В. В. Уточкин, М. А. Фадеев, В. А. Вербус, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Оптические свойства лазерных мезаструктур с квантовыми ямами HgCdTe, сформированных методом ионного травления”, Письма в ЖТФ, 51:19 (2025),  7–10  mathnet  elib
2023
5. К. А. Мажукина, В. В. Румянцев, А. А. Дубинов, В. В. Уточкин, А. А. Разова, М. А. Фадеев, К. Е. Спирин, М. С. Жолудев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Генерация длинноволнового стимулированного излучения в квантовых ямах HgCdTe с увеличенным энергетическим порогом оже-рекомбинации”, Письма в ЖЭТФ, 118:5 (2023),  311–316  mathnet; K. A. Mazhukina, V. V. Rumyantsev, A. A. Dubinov, V. V. Utochkin, A. A. Razova, M. A. Fadeev, K. E. Spirin, M. S. Zholudev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, “Generation of long-wavelength stimulated emission in HgCdTe quantum wells with an increased Auger recombination threshold”, JETP Letters, 118:5 (2023), 309–314 4
6. М. А. Фадеев, А. А. Янцер, А. А. Дубинов, Д. В. Козлов, В. В. Румянцев, Н. Н. Михайлов, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Двухчастотное стимулированное излучение в гетероструктуре Hg(Cd)Te/CdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  421–425  mathnet  elib
2022
7. М. С. Жолудев, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, “Расчет дискретных и резонансных уровней акцепторов в узкозонных твердых растворах CdHgTe”, Письма в ЖЭТФ, 116:5 (2022),  307–312  mathnet; M. S. Zholudev, V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, “Calculation of bound and resonant levels of acceptors in narrow-gap CdHgTe solid solutions”, JETP Letters, 116:5 (2022), 313–318 2
8. Д. В. Козлов, В. В. Румянцев, В. Я. Алешкин, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, “Влияние оптических фононов на гашение фотолюминесценции вакансий ртути в узкозонных твердых растворах HgСdTe при повышении температуры”, Физика и техника полупроводников, 56:11 (2022),  1060–1065  mathnet  elib
9. В. В. Румянцев, А. А. Разова, Д. В. Козлов, М. А. Фадеев, К. В. Маремьянин, В. В. Уточкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Спектроскопия фотолюминесценции структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe в диапазоне длин волн 15–30 мкм”, Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022),  472–478  mathnet  elib
10. Д. В. Козлов, М. С. Жолудев, В. В. Румянцев, А. В. Иконников, S. Pavlov, H.-W. Hübers, С. В. Морозов, “Температурная зависимость уровня Ферми в узкозонных объемных пленках HgCdTe при различной концентрации вакансий ртути”, Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022),  465–471  mathnet  elib
2021
11. Д. В. Козлов, Т. А. Уаман Светикова, А. В. Иконников, В. В. Румянцев, А. А. Разова, М. С. Жолудев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Фототермическая ионизационная спектроскопия вакансий ртути в эпитаксиальных пленках HgCdTe”, Письма в ЖЭТФ, 113:6 (2021),  399–405  mathnet  elib; D. V. Kozlov, T. A. Uaman Svetikova, A. V. Ikonnikov, V. V. Rumyantsev, A. A. Razova, M. S. Zholudev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, “Photothermal ionization spectroscopy of mercury vacancies in HgCdTe epitaxial films”, JETP Letters, 113:6 (2021), 402–408  isi  scopus 4
12. В. В. Уточкин, А. А. Дубинов, М. А. Фадеев, В. В. Румянцев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Влияние внутренних оптических потерь на генерацию стимулированного излучения в среднем ИК диапазоне в волноводных гетероструктурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  922–926  mathnet  elib; V. V. Utochkin, A. A. Dubinov, M. A. Fadeev, V. V. Rumyantsev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, “Effect of internal optical losses on the generation of mid-IR stimulated emission in waveguide heterostructures with HgCdTe/CdHgTe quantum wells”, Semiconductors, 55:12 (2021), 899–902 1
13. М. С. Жолудев, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, “Расчет температурной зависимости энергии состояний кулоновского акцептора в узкозонном твердом растворе HgCdTe”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  861–868  mathnet  elib; M. S. Zholudev, V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, “Calculation of the temperature dependence of the Coulomb-acceptor state energy in a narrow-gap HgCdTe solid solution”, Semiconductors, 55:12 (2021), 907–913 1
14. В. В. Румянцев, А. П. Фокин, А. А. Дубинов, С. С. Морозов, А. А. Богдашов, В. В. Паршин, М. Ю. Глявин, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Расчет эффективности удвоения частоты излучения субтерагерцового гиротрона за счет решеточной нелинейности в монокристаллической пластине InP”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  855–860  mathnet  elib
15. В. В. Румянцев, К. В. Маремьянин, А. П. Фокин, А. А. Дубинов, А. А. Разова, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, М. Ю. Глявин, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Получение терагерцового излучения в кристаллах InP : Fe за счет решеточной нелинейности второго порядка”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  813–817  mathnet  elib; V. V. Rumyantsev, K. V. Marem'yanin, A. P. Fokin, A. A. Dubinov, A. A. Razova, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, M. Yu. Glyavin, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, “Generation of terahertz radiation in InP : Fe crystals due to second-order lattice nonlinearity”, Semiconductors, 55:10 (2021), 785–789
16. А. А. Дубинов, В. В. Румянцев, М. А. Фадеев, В. В. Уточкин, С. В. Морозов, “Оптимизация диэлектрического волновода для лазерных структур дальнего инфракрасного диапазона на основе HgTe/CdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  455–459  mathnet  elib 1
17. М. С. Жолудев, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, “Расчет резонансных состояний кулоновских акцепторов в бесщелевых полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  391–396  mathnet  elib; M. S. Zholudev, V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, “Calculation of Coulomb acceptor resonant states in zero-gap semiconductors”, Semiconductors, 55:6 (2021), 537–541 2
18. С. В. Морозов, В. В. Уточкин, В. В. Румянцев, М. А. Фадеев, А. А. Разова, В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Экспресс-характеризация волноводных гетероструктур с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистcким законом дисперсии носителей методом спектроскопии фотолюминесценции при комнатной температуре”, Письма в ЖТФ, 47:3 (2021),  51–54  mathnet  elib; S. V. Morozov, V. V. Utochkin, V. V. Rumyantsev, M. A. Fadeev, A. A. Razova, V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, “Express characterization of the HgCdTe/CdHgTe quantum well waveguide heterostructures with the quasi-relativistic carrier dispersion law by room-temperature photoluminescence spectroscopy”, Tech. Phys. Lett., 47:2 (2021), 154–157 2
19. А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, В. В. Румянцев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. В. Уточкин, С. В. Морозов, “Терагерцевая лазерная генерация на гибридном поверхностном плазмоне в структуре на основе HgCdTe”, Квантовая электроника, 51:2 (2021),  158–163  mathnet  elib [A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, V. V. Rumyantsev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. V. Utochkin, S. V. Morozov, “THz laser generation on a hybrid surface plasmon in a HgCdTe-based structure”, Quantum Electron., 51:2 (2021), 158–163  isi  scopus] 2
2020
20. И. Д. Николаев, Т. А. Уаман Светикова, В. В. Румянцев, М. С. Жолудев, Д. В. Козлов, С. В. Морозов, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. И. Гавриленко, А. В. Иконников, “Зондирование состояний двухзарядного акцептора в гетероструктурах на основе CdHgTe с помощью оптического затвора”, Письма в ЖЭТФ, 111:10 (2020),  682–688  mathnet  elib; I. D. Nikolaev, T. A. Uaman Svetikova, V. V. Rumyantsev, M. S. Zholudev, D. V. Kozlov, S. V. Morozov, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, V. I. Gavrilenko, A. V. Ikonnikov, “Probing states of a double acceptor in СdHgTe heterostructures via optical gating”, JETP Letters, 111:10 (2020), 575–581  isi  scopus 7
21. В. В. Уточкин, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, В. И. Гавриленко, Н. С. Куликов, М. А. Фадеев, В. В. Румянцев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, А. А. Разова, С. В. Морозов, “Непрерывное стимулированное излучение в области 10–14 мкм при оптической накачке в структурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистским законом дисперсии”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1169–1173  mathnet  elib; V. V. Utochkin, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, V. I. Gavrilenko, N. S. Kulikov, M. A. Fadeev, V. V. Rumyantsev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, A. A. Razova, S. V. Morozov, “Continuous-wave stimulated emission in the 10–14-$\mu$m range under optical excitation in HgCdTe/CdHgTe structures with quasirelativistic dispersion”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1371–1375 3
22. Л. А. Кушков, В. В. Уточкин, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, В. И. Гавриленко, Н. С. Куликов, М. А. Фадеев, В. В. Румянцев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, А. А. Разова, С. В. Морозов, “Исследование стимулированного излучения в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe в окне прозрачности атмосферы 3–5 мкм”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1163–1168  mathnet  elib; L. A. Kushkov, V. V. Utochkin, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, V. I. Gavrilenko, N. S. Kulikov, M. A. Fadeev, V. V. Rumyantsev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, A. A. Razova, S. V. Morozov, “Investigation of stimulated emission from HgTe/CdHgTe quantum-well heterostructures in the 3–5 $\mu$m atmospheric transparency window”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1365–1370
23. В. В. Уточкин, М. А. Фадеев, С. С. Криштопенко, В. В. Румянцев, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, С. В. Морозов, Б. Р. Семягин, М. А. Путято, Е. А. Емельянов, В. В. Преображенский, В. И. Гавриленко, “Спектры фотолюминесценции квантовых ям InAs/GaInSb/InAs в среднем ИК диапазоне”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  929–932  mathnet  elib; V. V. Utochkin, M. A. Fadeev, S. S. Krishtopenko, V. V. Rumyantsev, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, S. V. Morozov, B. R. Semyagin, M. A. Putyato, E. A. Emelyanov, V. V. Preobrazhenskii, V. I. Gavrilenko, “Photoluminescence spectra of InAs/GaInSb/InAs quantum wells in the mid-infrared region”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1119–1122 2
24. В. В. Румянцев, К. В. Маремьянин, А. А. Разова, С. М. Сергеев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Исследования фоточувствительности узкозонных и бесщелевых твердых растворов HgCdTe в терагерцовом и субтерагерцовом диапазоне частот”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  906–912  mathnet  elib; V. V. Rumyantsev, K. V. Marem'yanin, A. A. Razova, S. M. Sergeev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, “Investigation of the photosensitivity of narrow-gap and gapless HgCdTe solid solutions in the terahertz and sub-terahertz range”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1096–1102 2
25. К. В. Маремьянин, В. В. Паршин, Е. А. Серов, В. В. Румянцев, К. Е. Кудрявцев, А. А. Дубинов, А. П. Фокин, С. С. Морозов, В. Я. Алешкин, М. Ю. Глявин, Г. Г. Денисов, С. В. Морозов, “Исследование микроволнового поглощения в полупроводниках для устройств умножения частоты и управления выводом излучения непрерывных и импульсных гиротронов”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  878–883  mathnet  elib; K. V. Marem'yanin, V. Parshin, E. A. Serov, V. V. Rumyantsev, K. E. Kudryavtsev, A. A. Dubinov, A. P. Fokin, S. S. Morozov, V. Ya. Aleshkin, M. Yu. Glyavin, G. G. Denisov, S. V. Morozov, “Investigation into microwave absorption in semiconductors for frequency-multiplication devices and radiation-output control of continuous and pulsed gyrotrons”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1069–1074 4
2019
26. Д. В. Козлов, В. В. Румянцев, А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, Н. С. Куликов, В. В. Уточкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, Х.- В. Хюберс, Ф. Теппе, С. В. Морозов, “Особенности фотолюминесценции двойных акцепторов в гетероструктурах HgTe/СdHgTe с квантовыми ямами в терагерцовом диапазоне”, Письма в ЖЭТФ, 109:10 (2019),  679–684  mathnet  elib; D. V. Kozlov, V. V. Rumyantsev, A. M. Kadykov, M. A. Fadeev, N. S. Kulikov, V. V. Utochkin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, H. W. Hubers, F. Teppe, S. V. Morozov, “Features of photoluminescence of double acceptors in HgTe/CdHgTe heterostructures with quantum wells in a terahertz range”, JETP Letters, 109:10 (2019), 657–662  isi  scopus 10
27. С. С. Криштопенко, С. Руффенах, Ф. Гонзалез-Посада, К. Консежо, В. Десра, Б. Жуо, В. Кнап, М. А. Фадеев, А. М. Кадыков, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, Г. Буасье, Э. Турнье, В. И. Гавриленко, Ф. Тепп, “Терагерцовая спектроскопия “двумерного полуметалла” в трехслойных квантовых ямах InAs/GaSb/InAs”, Письма в ЖЭТФ, 109:2 (2019),  91–97  mathnet  elib; S. S. Krishtopenko, S. Ruffenach, F. Gonzalez-Posada, C. Consejo, W. Desrat, B. Jouault, W. Knap, M. A. Fadeev, A. M. Kadykov, V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, G. Boissier, E. Tournié, V. I. Gavrilenko, F. Teppe, “Terahertz spectroscopy of two-dimensional semimetal in three-layer InAs/GaSb/InAs quantum well”, JETP Letters, 109:2 (2019), 96–101  isi  scopus 7
28. Т. А. Уаман Светикова, А. В. Иконников, В. В. Румянцев, Д. В. Козлов, В. И. Черничкин, А. В. Галеева, В. С. Варавин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, “Эволюция примесной фотопроводимости в эпитаксиальных пленках CdHgTe при изменении температуры”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1297–1302  mathnet  elib; T. A. Uaman Svetikova, A. V. Ikonnikov, V. V. Rumyantsev, D. V. Kozlov, V. I. Chernichkin, A. V. Galeeva, V. S. Varavin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, “Evolution of the impurity photoconductivity in CdHgTe epitaxial films with temperature”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1266–1271 2
29. В. Н. Шастин, Р. Х. Жукавин, К. А. Ковалевский, В. В. Цыпленков, В. В. Румянцев, Д. В. Шенгуров, С. Г. Павлов, В. Б. Шуман, Л. М. Порцель, А. Н. Лодыгин, Ю. А. Астров, Н. В. Абросимов, J. M. Klopf, H.-W. Hübers, “Химический сдвиг и энергия обменного взаимодействия $1s$ состояний доноров магния в кремнии. Возможность стимулированного излучения”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1263–1266  mathnet  elib; V. N. Shastin, R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevsky, V. V. Tsyplenkov, V. V. Rumyantsev, D. V. Shengurov, S. G. Pavlov, V. B. Shuman, L. M. Portsel', A. N. Lodygin, Yu. A. Astrov, N. V. Abrosimov, J. M. Klopf, H.-W. Hübers, “Chemical shift and exchange interaction energy of the $1s$ states of magnesium donors in silicon. The possibility of stimulated emission”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1234–1237 9
30. В. В. Румянцев, К. В. Маремьянин, А. П. Фокин, А. А. Дубинов, В. В. Уточкин, М. Ю. Глявин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, “Получение второй гармоники излучения субтерагерцовых гиротронов при удвоении частоты в InP : Fe и ее использование для магнитоспектроскопии полупроводниковых структур”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1244–1249  mathnet  elib; V. V. Rumyantsev, K. V. Marem'yanin, A. P. Fokin, A. A. Dubinov, V. V. Utochkin, M. Yu. Glyavin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, “Second-harmonic generation of subterahertz gyrotron radiation by frequency doubling in InP : Fe and its application for magnetospectroscopy of semiconductor structures”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1217–1221 8
31. Д. В. Козлов, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, “Спектр двойных акцепторов в слоях барьеров и квантовых ям гетероструктур HgTe/СdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1224–1228  mathnet  elib; D. V. Kozlov, V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, “Spectra of double acceptors in layers of barriers and quantum wells of HgTe/СdHgTe heterostructures”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1198–1202 1
32. В. В. Уточкин, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, В. И. Гавриленко, Н. С. Куликов, М. А. Фадеев, В. В. Румянцев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, “Исследование пороговой энергии оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами HgTe/Cd$_{0.7}$Hg$_{0.3}$Te в области 14 мкм”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1178–1181  mathnet  elib; V. V. Utochkin, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, V. I. Gavrilenko, N. S. Kulikov, M. A. Fadeev, V. V. Rumyantsev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. V. Morozov, “Study of the auger recombination energy threshold in a series of waveguide heterostructures with HgTe/Cd$_{0.7}$Hg$_{0.3}$Te QWs near 14 $\mu$m”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1154–1157 4
33. М. А. Фадеев, А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин, В. В. Румянцев, В. В. Уточкин, В. И. Гавриленко, Ф. Теп, Х.-В. Хюберс, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, “Влияние содержания Cd в барьерах на пороговую энергию оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgTe/Cd<sub>x</sub>Hg<sub>1-x</sub>Te, излучающих на длине волны 18 мкм”, Квантовая электроника, 49:6 (2019),  556–558  mathnet  elib [M. A. Fadeev, A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, V. V. Rumyantsev, V. V. Utochkin, V. I. Gavrilenko, F. Teppe, H.-W. Hübers, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. V. Morozov, “Effect of Cd content in barriers on the threshold energy of Auger recombination in waveguide structures with HgTe/Cd<sub>x</sub>Hg<sub>1-x</sub>Te quantum wells, emitting at a wavelength of 18 μm”, Quantum Electron., 49:6 (2019), 556–558  isi  scopus] 2
2018
34. К. В. Маремьянин, А. В. Иконников, Л. С. Бовкун, В. В. Румянцев, Е. Г. Чижевский, И. И. Засавицкий, В. И. Гавриленко, “Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 50 мкм и их использование для магнитоспектроскопии полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1486–1490  mathnet  elib; K. V. Marem'yanin, A. V. Ikonnikov, L. S. Bovkun, V. V. Rumyantsev, E. G. Chizhevskii, I. I. Zasavitskii, V. I. Gavrilenko, “Terahertz injection lasers based on a PbSnSe solid solution with an emission wavelength up to 50 $\mu$m and their application in the magnetospectroscopy of semiconductors”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1590–1594 19
35. К. Е. Спирин, Д. М. Гапонова, К. В. Маремьянин, В. В. Румянцев, В. И. Гавриленко, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Биполярная остаточная фотопроводимость в гетероструктурах HgTe/CdHgTe (013) с двойными квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1482–1485  mathnet  elib; K. E. Spirin, D. M. Gaponova, K. V. Marem'yanin, V. V. Rumyantsev, V. I. Gavrilenko, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, “Bipolar persistent photoconductivity in HgTe/CdHgTe (013) double quantum-well heterostructures”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1586–1589 11
36. В. В. Румянцев, Н. С. Куликов, А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, А. В. Иконников, А. С. Казаков, М. С. Жолудев, В. Я. Алешкин, В. В. Уточкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, “Влияние особенностей зонного спектра на характеристики стимулированного излучения в узкозонных гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1263–1267  mathnet  elib; V. V. Rumyantsev, N. S. Kulikov, A. M. Kadykov, M. A. Fadeev, A. V. Ikonnikov, A. S. Kazakov, M. S. Zholudev, V. Ya. Aleshkin, V. V. Utochkin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, “Effect of features of the band spectrum on the characteristics of stimulated emission in narrow-gap heterostructures with HgCdTe quantum wells”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1375–1379 7
37. Д. В. Козлов, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, H.-W. Hübers, В. И. Гавриленко, “Расчет состояний многозарядных примесно-дефектных центров в эпитаксиальных слоях Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1257–1262  mathnet  elib; D. V. Kozlov, V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, A. M. Kadykov, M. A. Fadeev, H.-W. Hübers, V. I. Gavrilenko, “Calculation of multiply charged states of impurity-defect centers in epitaxial Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te layers”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1369–1374 4
38. V. V. Rumyantsev, L. S. Bovkun, A. M. Kadykov, M. A. Fadeev, A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, B. Piot, M. Orlita, M. Potemski, F. Teppe, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, “Magnetooptical studies and stimulated emission in narrow gap HgTe/CdHgTe structures in the very long wavelength infrared range”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  464  mathnet  elib; Semiconductors, 52:4 (2018), 436–441
2017
39. В. В. Румянцев, А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, А. А. Дубинов, В. В. Уточкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, “Исследования волноводных структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe для получения длинноволнового стимулированного излучения”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1616–1620  mathnet  elib; V. V. Rumyantsev, A. M. Kadykov, M. A. Fadeev, A. A. Dubinov, V. V. Utochkin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, “Investigation of HgCdTe waveguide structures with quantum wells for long-wavelength stimulated emission”, Semiconductors, 51:12 (2017), 1557–1561 7
40. А. В. Иконников, Л. С. Бовкун, В. В. Румянцев, С. С. Криштопенко, В. Я. Алешкин, А. М. Кадыков, M. Orlita, M. Potemski, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, “Зонный спектр в гетероструктурах HgTe/CdHgTe $p$-типа и его перестройка с изменением температуры”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1588–1593  mathnet  elib; A. V. Ikonnikov, L. S. Bovkun, V. V. Rumyantsev, S. S. Krishtopenko, V. Ya. Aleshkin, A. M. Kadykov, M. Orlita, M. Potemski, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, “On the band spectrum in $p$-type HgTe/CdHgTe heterostructures and its transformation under temperature variation”, Semiconductors, 51:12 (2017), 1531–1536 11
2016
41. А. Н. Акимов, А. Э. Климов, С. В. Морозов, С. П. Супрун, В. С. Эпов, А. В. Иконников, М. А. Фадеев, В. В. Румянцев, “Гигантская отрицательная фотопроводимость пленок PbSnTe : In с краем чувствительности вблизи 30 мкм”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1713–1719  mathnet  elib; A. N. Akimov, A. E. Klimov, S. V. Morozov, S. P. Suprun, V. S. Epov, A. V. Ikonnikov, M. A. Fadeev, V. V. Rumyantsev, “Giant negative photoconductivity of PbSnTe:In films with wavelength cutoff near 30 $\mu$m”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1684–1690 9
42. К. В. Маремьянин, В. В. Румянцев, А. В. Иконников, Л. С. Бовкун, Е. Г. Чижевский, И. И. Засавицкий, В. И. Гавриленко, “Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 46.5 мкм”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1697–1700  mathnet  elib; K. V. Marem'yanin, V. V. Rumyantsev, A. V. Ikonnikov, L. S. Bovkun, E. G. Chizhevskii, I. I. Zasavitskii, V. I. Gavrilenko, “Terahertz injection lasers based on PbSnSe alloy with an emission wavelength up to 46.5 $\mu$m”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1669–1672 9
43. Д. В. Козлов, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, В. С. Варавин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, F. Teppe, “Вакансии ртути как двухвалентные акцепторы в структурах HgTe/Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te с квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1690–1696  mathnet  elib; D. V. Kozlov, V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, A. M. Kadykov, M. A. Fadeev, V. S. Varavin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, F. Teppe, “Mercury vacancies as divalent acceptors in HgTe/Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te structures with quantum wells”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1662–1668 6
44. В. В. Румянцев, М. А. Фадеев, С. В. Морозов, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, А. М. Кадыков, И. В. Тузов, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. И. Гавриленко, F. Teppe, “Длинноволновое стимулированное излучение и времена жизни носителей в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1679–1684  mathnet  elib; V. V. Rumyantsev, M. A. Fadeev, S. V. Morozov, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, A. M. Kadykov, I. V. Tuzov, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, V. I. Gavrilenko, F. Teppe, “Long-wavelength stimulated emission and carrier lifetimes in HgCdTe-based waveguide structures with quantum wells”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1651–1656 7
45. В. Н. Трухин, А. Д. Буравлев, И. А. Мустафин, Г. Э. Цырлин, Д. И. Курицын, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, J. P. Kakko, T. Huhtio, H. Lipsanen, “Резонансный характер генерации терагерцового излучения в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1587–1591  mathnet  elib; V. N. Trukhin, A. D. Bouravlev, I. A. Mustafin, G. E. Cirlin, D. I. Kuritsyn, V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, J. P. Kakko, T. Huhtio, H. Lipsanen, “Resonant features of the terahertz generation in semiconductor nanowires”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1561–1565 5
2015
46. К. В. Маремьянин, А. В. Иконников, А. В. Антонов, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, Л. С. Бовкун, К. Р. Умбеталиева, Е. Г. Чижевский, И. И. Засавицкий, В. И. Гавриленко, “Длинноволновые инжекционные лазеры на основе твердого раствора Pb$_{1-x}$Sn$_x$Se и их использование для спектроскопии твердого тела”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1672–1675  mathnet  elib; K. V. Marem'yanin, A. V. Ikonnikov, A. V. Antonov, V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, L. S. Bovkun, K. R. Umbetalieva, E. G. Chizhevskii, I. I. Zasavitskii, V. I. Gavrilenko, “Long-wavelength injection lasers based on Pb$_{1-x}$Sn$_x$Se alloys and their use in solid-state spectroscopy”, Semiconductors, 49:12 (2015), 1623–1626 17
47. Д. В. Козлов, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, А. М. Кадыков, В. С. Варавин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, F. Teppe, “Примесная фотопроводимость узкозонных структур кадмий–ртуть–теллур”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1654–1659  mathnet  elib; D. V. Kozlov, V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, A. M. Kadykov, V. S. Varavin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, F. Teppe, “Impurity-induced photoconductivity of narrow-gap Cadmium–Mercury–Telluride structures”, Semiconductors, 49:12 (2015), 1605–1610 6
48. Д. В. Козлов, С. В. Морозов, В. В. Румянцев, И. В. Тузов, К. Е. Кудрявцев, В. И. Гавриленко, “Влияние прямого захвата дырок с испусканием оптических фононов на релаксацию примесной фотопроводимости в $p$-Si:B”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  192–195  mathnet  elib; D. V. Kozlov, S. V. Morozov, V. V. Rumyantsev, I. V. Tuzov, K. E. Kudryavtsev, V. I. Gavrilenko, “Effect of the direct capture of holes with the emission of optical phonons on impurity-photoconductivity relaxation in $p$-Si:B”, Semiconductors, 49:2 (2015), 187–190 4
49. В. Я. Алешкин, С. В. Морозов, В. В. Румянцев, И. В. Тузов, “Наблюдение динамики примесной фотопроводимости в $n$-GaAs, обусловленной остыванием электронов”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  117–121  mathnet  elib; V. Ya. Aleshkin, S. V. Morozov, V. V. Rumyantsev, I. V. Tuzov, “Observation of dynamics of impurity photoconductivity in $n$-GaAs caused by electron cooling”, Semiconductors, 49:1 (2015), 113–117 3
2013
50. С. В. Морозов, В. В. Румянцев, К. Е. Кудрявцев, В. И. Гавриленко, Д. В. Козлов, “Кинетика релаксации примесной фотопроводимости в $p$-Si : B с различным уровнем легирования и степенью компенсации в сильных электрических полях”, Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1472–1475  mathnet  elib; S. V. Morozov, V. V. Rumyantsev, K. E. Kudryavtsev, V. I. Gavrilenko, D. V. Kozlov, “Relaxation kinetics of impurity photoconductivity in $p$-Si:B with various levels of doping and degrees of compensation in high electric fields”, Semiconductors, 47:11 (2013), 1461–1464 3
51. В. В. Румянцев, А. В. Иконников, А. В. Антонов, С. В. Морозов, М. С. Жолудев, К. Е. Спирин, В. И. Гавриленко, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, “Особенности спектров и кинетики релаксации длинноволновой фотопроводимости в узкозонных эпитаксиальных пленках и гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe”, Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1446–1450  mathnet  elib; V. V. Rumyantsev, A. V. Ikonnikov, A. V. Antonov, S. V. Morozov, M. S. Zholudev, K. E. Spirin, V. I. Gavrilenko, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, “Specific features of the spectra and relaxation kinetics of long-wavelength photoconductivity in narrow-gap HgCdTe epitaxial films and heterostructures with quantum wells”, Semiconductors, 47:11 (2013), 1438–1441 19
2012
52. В. В. Румянцев, С. В. Морозов, К. Е. Кудрявцев, В. И. Гавриленко, Д. В. Козлов, “Особенности релаксации примесной фотопроводимости в кремнии, легированном бором”, Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1414–1418  mathnet  elib; V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, K. E. Kudryavtsev, V. I. Gavrilenko, D. V. Kozlov, “Features of impurity-photoconductivity relaxation in boron-doped silicon”, Semiconductors, 46:11 (2012), 1387–1391 13
53. С. В. Морозов, М. С. Жолудев, А. В. Антонов, В. В. Румянцев, В. И. Гавриленко, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, O. Drachenko, S. Winnerl, H. Schneider, M. Helm, “Исследования времен жизни и релаксации фотопроводимости в гетероструктурах с квантовыми ямами Hg$_x$Cd$_{1-x}$Te/Cd$_y$Hg$_{1-y}$Te”, Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1388–1392  mathnet  elib; S. V. Morozov, M. S. Zholudev, A. V. Antonov, V. V. Rumyantsev, V. I. Gavrilenko, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, O. Drachenko, S. Winnerl, H. Schneider, M. Helm, “Study of lifetimes and photoconductivity relaxation in heterostructures with Hg$_x$Cd$_{1-x}$Te/Cd$_y$Hg$_{1-y}$Te quantum wells”, Semiconductors, 46:11 (2012), 1362–1366 35
2010
54. А. В. Иконников, А. А. Ластовкин, К. Е. Спирин, М. С. Жолудев, В. В. Румянцев, К. В. Маремьянин, А. В. Антонов, В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, Ю. Г. Садофьев, N. Samal, “Терагерцовая спектроскопия узкозонных гетероструктур с квантовыми ямами на основе HgTe/CdTe”, Письма в ЖЭТФ, 92:11 (2010),  837–841  mathnet  elib; A. V. Ikonnikov, A. A. Lastovkin, K. E. Spirin, M. S. Zholudev, V. V. Rumyantsev, K. V. Marem'yanin, A. V. Antonov, V. Ya. Aleshkin, V. I. Gavrilenko, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, Yu. G. Sadof'ev, N. Samal, JETP Letters, 92:11 (2010), 756–761  isi  elib  scopus 29
55. С. В. Морозов, К. В. Маремьянин, И. В. Ерофеева, А. Н. Яблонский, А. В. Антонов, Л. В. Гавриленко, В. В. Румянцев, В. И. Гавриленко, “Кинетика терагерцовой фотопроводимости в $p$-Ge в условиях примесного пробоя”, Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1523–1526  mathnet  elib; S. V. Morozov, K. V. Marem'yanin, I. V. Erofeeva, A. N. Yablonskii, A. V. Antonov, L. V. Gavrilenko, V. V. Rumyantsev, V. I. Gavrilenko, “Kinetics of terahertz photoconductivity in $p$-Ge under impurity breakdown conditions”, Semiconductors, 44:11 (2010), 1476–1479 10

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026