Фотолюминесцентные свойства и электронное строение поверхности анодно окисленного $n$-InP

На основании фотолюминесцентных исследований образцов $n$-InP с открытой и анодно окисленной поверхностью, а также сравнения с интенсивностью фотолюминесценции $n$-GaAs в эпитаксиальных гетероструктурах GaAs$-$AlGaAs показано, что: 1)  пленка анодного окисла пассивирует поверхность $n$-InP и стабилизирует во времени люминесцентные свойства образцов; 2)  внутренний квантовый выход люминесценции в $n$-InР близок к 100%, а скорость поверхностной рекомбинации ${\lesssim10^{3}}$ см/с; 3)  уменьшение скорости поверхностной рекомбинации в анодно окисленном $n$-InP обусловлено постепенным доокислением фосфора на поверхности фосфида индия.