Влияние энергии возбуждения на механизм фотопроводимости гидрогенизированного аморфного кремния

В области температур ${125\div360}$ K и энергии квантов ${1.14\div2.1}$ эВ исследовано влияние энергии возбуждения ($h\nu$) на характер температурных зависимостей стационарной фотопроводимости ($\Delta\sigma_{=}$) и величину нестационарной фотопроводимости ($\Delta\sigma_{\sim}$) пленок нелегированного аморфного гидрогенизированного кремния ($a$-Si : Н). Измерения ${\Delta\sigma_{\sim}(h\nu)}$ проводились при интенсивностях возбуждения, обеспечивающих одинаковую величину $\Delta\sigma_{=}$ для различных $h\nu$. Методом постоянного фотоответа исследовано влияние температуры на характер спектральных зависимостей коэффициента поглощения ($\alpha$) при ${h\nu\leqslant E_{0}}$.
Измерения проводились на пленках $a$-Si : Н, полученных разложением моносилана в ВЧ тлеющем разряде при температуре подложки $230^{\circ}$С.
Характер температурных зависимостей $\Delta\sigma_{=}$ оказался близким для различных $h\nu$, однако наблюдалось некоторое ослабление зависимости $\Delta\sigma_{=}(T)$ с ростом $h\nu$; $\Delta\sigma_{\sim}$ практически не менялась с $h\nu$ в области ${h\nu=1.0\div1.8}$ эВ и возрастала при больших $h\nu$. Полученные результаты объясняются температурной зависимостью $\alpha$ и возможностью увеличения рекомбинации для ${h\nu< 1.4}$ эВ при ${T< 170}$ K. Результаты измерений влияния температуры на характер зависимости $\alpha(h\nu)$ в области ${h\nu\leqslant E_{0}}$ указывают на то, что возбуждение носителей во всем исследованном спектральном диапазоне происходит непосредственно в зону про- водимости $a$-Si : Н.