Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 11, страницы 2075–2077 (Mi phts2610)  

Краткие сообщения

Длина когерентности носителей заряда с различными законами дисперсии в полупроводниковой области слабо связанных сверхпроводящих структур сверхпроводник–полупроводник–сверхпроводник

В. Н. Алфеев, Н. И. Гриценко
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Н. Алфеев, Н. И. Гриценко, “Длина когерентности носителей заряда с различными законами дисперсии в полупроводниковой области слабо связанных сверхпроводящих структур сверхпроводник–полупроводник–сверхпроводник”, Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983), 2075–2077
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Gri83}
\by В.~Н.~Алфеев, Н.~И.~Гриценко
\paper Длина когерентности носителей заряда с~различными законами дисперсии
в~полупроводниковой области слабо связанных сверхпроводящих структур
сверх\-про\-вод\-ник--полу\-про\-вод\-ник--сверхпроводник
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1983
\vol 17
\issue 11
\pages 2075--2077
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts2610}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts2610
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v17/i11/p2075
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:87
    PDF полного текста:32
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025