Влияние гофрировки валентных зон на энергию $\Gamma^{+}_{8}$-уровней мелких акцепторов в кубических полупроводниках

В приближении эффективной массы с учетом гофрировки валентных зон вычислены энергии $1\Gamma^{+}_{8}$- и $2\Gamma^{+}_{8}$-уровней мелких акцепторов в целом ряде кубических полупроводников с помощью численного невариационного метода — метода переноса условий ограниченности решений из особых точек. Показано, что, хотя гофрировочные поправки (ГП) для этих уровней появляются лишь во втором порядке теории возмущений по несферичности валентных зон, а параметр валентной зоны $\delta$, характеризующий эту несферичность, мал (${\delta\ll1}$), ГП не малы (${\sim10}$%), в частности, по сравнению с центрально-ячеечными и поляронными поправками и учет их в некоторых случаях необходим. Это связано с большой величиной эффективной массы тяжелой дырки $m_{hh}$: малый параметр теории возмущений есть ${\delta/(1-\mu)}$, где $\mu$ — параметр валентной зоны, а ${m_{hh}\sim(1-\mu)^{-1}}$ в сферическом приближении.