Исследование структурных дефектов в эпитаксиальных слоях арсенида индия

Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных слоев арсенида индия. Показано, что использование свинца в качестве нейтрального растворителя при выращивании эпитаксиальных слоев арсенида индия позволяет уменьшить концентрацию примесей и структурных дефектов и получить как более чистые слои (при 77 K концентрация электронов ${\sim5\cdot10^{16}}$ см$^{-3}$, подвижность ${\sim3\cdot10^{4}\,\text{см}^{2}/\text{В}\cdot\text{с}}$), так и полуизолирующие слои (при 77 K концентрация ${\sim10^{15}}$ см$^{-3}$, подвижность ${\sim4\cdot10^{3}\,\text{см}^{2}/\text{В}\cdot\text{с}}$). Определен энергетический спектр примесей и дефектов (энергии ионизации донорных уровней — ${E_{D}=0.002}$, $0.01\div0.02$, $0.1\div0.2$ эВ, акцепторного — ${E_{A}=0.05}$ эВ). Изучены механизм рассеяния и характер распределения центров рассеяния.