Влияние температуры отжига на кинетику процесса алюминий-индуцированной кристаллизации тонких пленок аморфного субоксида кремния

Исследована кинетика процесса алюминий-индуцированной кристаллизации нестехиометрического оксида кремния $\alpha$-SiO$_{0.25}$ для температур отжига 370, 385 и 400$^\circ$C, в результате которого были получены тонкие пленки поликристаллического кремния. Показано, что для низких температур отжига поверхностная морфология кристаллического материала представлена дендрическими структурами, соответствующими модели роста с агрегацией, ограниченной диффузией. Кроме того, с ростом температуры отжига увеличивается плотность зародышеобразования от 3 до 53 mm$^{-2}$. Из графика Аррениуса впервые получено значение энергии активации процесса алюминий-индуцированной кристаллизации $\alpha$-SiO$_{0.25}$, которое составило 3.7 $\pm$ 0.4 eV.