Расчет полупроводниковых логических элементов

Определяются основные соотношения для расчета реостатно-транзисторной схемы «ИЛИ — НЕ» ($RTL$), диодно-транзисторной схемы «И — НЕ» ($DTL$) и диодно-транзисторной схемы «ИЛИ — НЕ» ($DRTL$). Предложена методика расчета $RTL$ схемы с учетом зависимости статического коэффициента усиления и остаточного напряжения транзистора на границе насыщения от тока и температуры с помощью ЭВЦМ. Даны примеры расчета.