Computational nanotechnology
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Comp. nanotechnol.:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Computational nanotechnology, 2024, том 11, выпуск 3, страницы 161–176
DOI: https://doi.org/10.33693/2313-223X-2024-11-3-161-176 (Mi cn500) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ, ЧИСЛЕННЫЕ МЕТОДЫ И КОМПЛЕКСЫ ПРОГРАММ

Pulsed tunnel effect: new perspectives for controlling superconducting devices
[Импульсный туннельный эффект: новые перспективы управления сверхпроводящими устройствами]

R. Kh. Rakhimov

Institute for Material Sciencies of Academy of Sciencies of Republic Uzbekistan
PDF полного текста (6427 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.33693/2313-223X-2024-11-3-161-176
Аннотация: Статья посвящена исследованию импульсного туннельного эффекта и его новым перспективам в управлении сверхпроводящими устройствами. Рассматривается квантовая природа электрического сопротивления, включая квантовый эффект Холла, квантовое сопротивление Клитцинга и эффект Джозефсона. Особое внимание уделено роли квантовых размерных эффектов в формировании электрического сопротивления наноструктур и молекулярных проводников. Статья освещает новые перспективы использования импульсного туннельного эффекта для управления характеристиками сверхпроводящих устройств.
Ключевые слова: Импульсный туннельный эффект, сверхпроводящие устройства, квантовый эффект Холла, квантовое сопротивление Клитцинга, эффект Джозефсона, квантовые размерные эффекты, наноструктуры, молекулярные проводники.
Тип публикации: Статья
УДК: 666.3.017:620.18
Язык публикации: русский и английский
Образец цитирования: R. Kh. Rakhimov, “Pulsed tunnel effect: new perspectives for controlling superconducting devices”, Comp. nanotechnol., 11:3 (2024), 161–176
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Rak24}
\by R.~Kh.~Rakhimov
\paper Pulsed tunnel effect: new perspectives for controlling superconducting devices
\jour Comp. nanotechnol.
\yr 2024
\vol 11
\issue 3
\pages 161--176
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/cn500}
\crossref{https://doi.org/10.33693/2313-223X-2024-11-3-161-176}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/cn500
  • https://www.mathnet.ru/rus/cn/v11/i3/p161
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Computational nanotechnology
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025