Доклады Академии наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Докл. РАН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Доклады Академии наук, 1965, том 161, номер 6, страницы 1310–1312 (Mi dan31033)  
ФИЗИКА

Определение параметров рекомбинационных центров в сульфиде кадмия с помощью кинетики инфракрасного гашения фототока

В. Е. Лашкарев, А. В. Любченко, М. К. Шейнкман

Институт полупроводников Академии наук УССР, г. Киев
PDF полного текста (436 kB)
Поступило: 11.12.1964
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Е. Лашкарев, А. В. Любченко, М. К. Шейнкман, “Определение параметров рекомбинационных центров в сульфиде кадмия с помощью кинетики инфракрасного гашения фототока”, Докл. АН СССР, 161:6 (1965), 1310–1312
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LasLyuShe65}
\by В.~Е.~Лашкарев, А.~В.~Любченко, М.~К.~Шейнкман
\paper Определение параметров рекомбинационных центров в~сульфиде кадмия с~помощью
кинетики инфракрасного гашения фототока
\jour Докл. АН СССР
\yr 1965
\vol 161
\issue 6
\pages 1310--1312
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/dan31033}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan31033
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan/v161/i6/p1310
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025