Доклады Академии наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Докл. РАН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Доклады Академии наук, 1985, том 280, номер 2, страницы 352–356 (Mi dan46864)  
ФИЗИКА

Температурная зависимость интенсивности дифракционных максимумов на рентгенограммах полупроводниковых соединений $\mathrm{GaAs}$, $\mathrm{InAs}$, $\mathrm{InP}$ в области температур $7$–$310$ К

Н. Н. Сиротаa, А. А. Сидоровb

a Московский гидромелиоративный институт
b Брянский государственный педагогический институт им. И. Г. Петровского
PDF полного текста (661 kB)
Поступило: 20.04.1984
Тип публикации: Статья
УДК: 548.732
Образец цитирования: Н. Н. Сирота, А. А. Сидоров, “Температурная зависимость интенсивности дифракционных максимумов на рентгенограммах полупроводниковых соединений $\mathrm{GaAs}$, $\mathrm{InAs}$, $\mathrm{InP}$ в области температур $7$–$310$ К”, Докл. АН СССР, 280:2 (1985), 352–356
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SirSid85}
\by Н.~Н.~Сирота, А.~А.~Сидоров
\paper Температурная зависимость интенсивности дифракционных максимумов на рентгенограммах полупроводниковых соединений $\mathrm{GaAs}$, $\mathrm{InAs}$, $\mathrm{InP}$ в области температур $7$--$310$~К
\jour Докл. АН СССР
\yr 1985
\vol 280
\issue 2
\pages 352--356
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/dan46864}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan46864
  • https://www.mathnet.ru/rus/dan/v280/i2/p352
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025