Влияние внешнего поля и температуры на временную эволюцию тока утечки в пленочной структуре BiFeO$_3$/TiO$_2$(Nt)Ti

Изучено поведение токов утечки пленочной структуры BiFeO$_3$/TiO$_2$(Nt)Ti (BFOT), полученной методом атомного слоевого осаждения феррита висмута на подложку из предварительно полученных нанотрубок диоксида титана, в зависимости от времени воздействия и величины электрического напряжения в области температур 28–250$^\circ$C. В структуре BFOT возникают электрически неоднородные состояния с объемным зарядом, что приводит к гистерезису ВАХ. Гистерезис и неоднородность зависят от времени релаксации. На временной зависимости токов утечки обнаружены особенности в виде тенденции к образованию максимума в интервале температур $\sim$28–200$^\circ$C. При температуре $T$ = 250$^\circ$C максимум на временной зависимости стабилизируется и монотонно растет с увеличением приложенного напряжения. Для данной структуры определено характерное время $t$ = 0.5 s для зависимостей $I(t)$ обусловленное захватом и высвобождением носителей с дефектных уровней.