Электрические свойства тандемных солнечных элементов на основе пленок металлоорганических перовскитов, нанесенных на тонкопленочные кремниевые солнечные элементы

Представлены результаты исследования морфологических и электрических свойств многослойных структур, созданных на основе тонких пленок металлоорганических галогенидных перовскитов (organometallic halide perovskites, OHP), CH$_3$NH$_3$PbI$_3$, нанесенных на поверхность солнечных элементов (СЭ) на основе кристаллического кремния ($c$-Si). Исследования морфологии и электрических свойств полученных структур проводились методами атомно-силовой микроскопии (АСМ), вольт-амперной (ВАХ) характеризации и импедансной спектроскопии. Результаты АСМ исследований показали заметные морфологические различия между синтезированными образцами. Анализ ВАХ при 300 K показал, что все образцы обладают улучшенной фотопроводимостью по сравнению с чистым $c$-Si, что указывает на положительный эффект перовскитного слоя. Из анализа результатов импедансной спектроскопии следует, что образец со слоем перовскита на $c$-Si в темноте имеет два полукруга в комплексной плоскости импеданса, что свидетельствует о наличии двух различных механизмов, таких как диффузия ионов или перезарядка, которые при освещении сливаются в один механизм из-за изменения концентрации носителей заряда. Полученные результаты открывают новые возможности для оптимизации и улучшения рабочих характеристик тандемных $c$-Si СЭ следующего поколения с верхними слоями на основе металлоорганических галогенидных перовскитов.