Фотоэлектрические свойства структур с множественными квантовыми ямами GeSiSn|Ge и релаксированными слоями GeSiSn

Изучены фотоэлектрические свойства $p$–$i$–$n$-фотодиодов, включающих множественные квантовые ямы (МКЯ) GeSiSn|Ge и релаксированные слои GeSiSn на подложке Ge(1 0 0). На основе измерений вольт-амперных характеристик показано, что наименьшая плотность темнового тока $p$–$i$–$n$-фотодиодов при обратном смещении 1 V достигает значения 0.7 mA/cm$^2$. Длинноволновая граница чувствительности как для диодов с МКЯ, так и с релаксированными слоями составляет около 2 $\mu$m ($\sim$ 0.6 eV).