|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Полупроводники
Характеризация широкозонных слоев в лазерных структурах на основе CdHgTe
М. С. Ружевичa, К. Д. Мынбаевb, Н. Л. Баженовb, М. В. Дороговa, С. А. Дворецкийc, Н. Н. Михайловc, В. Г. Ремесникc, И. Н. Ужаковc a Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
c Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
Аннотация:
Приведены результаты исследования оптических и структурных свойств широкозонных ($x\sim$ 0.7) слоев в лазерных гетероструктурах на основе твердых растворов Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках (013) GaAs, а также эпитаксиальных пленок, аналогичных этим слоям по химическому составу. Показано, что положение максимума спектра фотолюминесценции и характер его температурного сдвига связаны с разупорядочением состава твердого раствора. Обнаружены мелкие и глубокие акцепторные уровни в запрещенной зоне. Обсуждается возможное влияние разупорядочения и акцепторных уровней в лазерных структурах на энергетический спектр носителей.
Ключевые слова:
CdHgTe, лазерные структуры, фотолюминесценция, дефекты, структурные свойства.
Поступила в редакцию: 12.12.2022 Исправленный вариант: 12.12.2022 Принята в печать: 22.12.2022
Образец цитирования:
М. С. Ружевич, К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, М. В. Дорогов, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. Г. Ремесник, И. Н. Ужаков, “Характеризация широкозонных слоев в лазерных структурах на основе CdHgTe”, Физика твердого тела, 65:3 (2023), 411–414
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt10614 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v65/i3/p411
|
|