Морфология поверхности и структурные свойства кристаллов GaTe после ионно-плазменной обработки

Исследовано влияние ионно-плазменной обработки на физические свойства поверхности кристаллов GaTe. Кристаллы теллурида галлия были выращены методом вертикальной зонной плавки под давлением инертного газа аргона 10.0 MPa при температуре 1000$^\circ$С и скорости перемещения зоны 9 mm/hr. Обработка осуществлялась в реакторе плотной аргоновой плазмы ВЧ индукционного разряда низкого давления при энергии ионов аргона 100–200 eV в течение 15–120 s. С использованием методов растровой электронной микроскопии показано, что в процессе обработки на поверхности происходило образование нано- и субмикронных структур различной архитектуры (нановыступы, наноконусы, капельные структуры). Показано, что процессы распыления сопровождаются обогащением приповерхностного слоя атомами металла и снижением содержания кислорода. Методами рентгеновской дифрактометрии доказано формирование нано- и субмикронных капель галлия на поверхности. Анализ спектров комбинационного рассеяния света показал уменьшение оксидных фаз теллура после плазменной обработки. Установлено, что модификация поверхности GaTe приводит к подавлению зеркального оптического отражения в диапазоне 0.4–6.2 eV.