Раннее образование поверхностных состояний в МОП-структурах при ионизирующем облучении

Разработана количественная модель раннего образования поверхностных состояний (ПС) в МОП-структурах при ионизирующем облучении (ИО) с лимитирующей стадией – дисперсионным переносом дырок. Согласно модели основной вклад в раннее образование ПС происходит во время микросекундного импульса ИО для тонкого подзатворного диэлектрика и после окончания импульса для толстого полевого оксида. Рост плотности ранних ПС после окончания ИО связан с наличием локализованных состояний и дисперсионным переносом дырок. Позднее образование ПС лимитируется дисперсионным транспортом ионов водорода, что затягивает процесс образования поздних ПС от $\sim$0.1 c до 10$^4$ и более секунд.