Перенос возбуждения через широкий барьер в системе квантовых ям GaAs/AlGaAs различной ширины

Исследована температурная зависимость люминесценции гетероструктуры, которая содержит три квантовые ямы (КЯ) GaAs толщиной 9.6, 4.8, и 2.4 nm, отделенные друг от друга барьерами Ga$_{0.6}$Al$_{0.4}$As толщиной 14 nm. Установлено, что при температурах выше 140 K имеет место перенос возбуждения из КЯ толщиной 2.4 nm в КЯ толщиной 4.8 nm. На основе модели, примененной ранее для описания переноса возбуждения в гетероструктурах типа II–VI, получены параметры, удовлетворительно описывающие наблюдаемый взаимодействие между этими КЯ, высказаны соображения относительно возможных механизмов переноса.